半导体器件制造技术

提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，由沟槽限定，第一鳍型图案和第二鳍型图案，沿第一方向延伸，第一鳍型图案和第二鳍型图案是相互最近的；场绝缘层，填充沟槽的一部分；接触件，与场绝缘层、第一鳍型图案和第二鳍型图案相接触，接触件具有波形形状的底表面。

【技术实现步骤摘要】
于2015年4月2日在韩国知识产权局提交的第10-2015-0046764号且名称为“半导体器件”的韩国专利申请通过引用全部包含于此。
多个实施例涉及一种半导体器件。
技术介绍
具有形成在基底上的鳍状硅主体和形成在鳍状硅主体的表面上的栅极的多栅极晶体管已被建议作为用于提高半导体器件的密度的一项缩放技术。
技术实现思路
实施例可以通过提供一种半导体器件来实现，所述半导体器件包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，由沟槽限定，第一鳍型图案和第二鳍型图案沿第一方向延伸，第一鳍型图案和第二鳍型图案是相互最近的；场绝缘层，填充沟槽的一部分；接触件，与场绝缘层、第一鳍型图案和第二鳍型图案相接触，接触件具有波形形状的底表面。接触件的与位于第一鳍型图案和第二鳍型图案之间的场绝缘层相接触的底表面可以具有靠近于第一鳍型图案的第一点和比第一点距离第一鳍型图案远的第二点，并且从沟槽的底部至第一点的高度可以大于从沟槽的底部至第二点的高度。第一鳍型图案的顶表面、第二鳍型图案的顶表面和场绝缘层的顶表面在与接触件叠置的区域中可以是曲面。接触件的在接触件与第一鳍型图案的顶表面叠置的区域处的平均厚度为第一厚度，接触件的在接触件与位于第一鳍型图案和第二鳍型图案之间的场绝缘层的顶表面叠置的区域处的平均厚度为第二厚度，第二厚度可以大于第一厚度。接触件的底表面沿着第一鳍型图案的顶表面、场绝缘层的顶表面和第二
鳍型图案的顶表面可以是连续的。第一鳍型图案的侧壁和第二鳍型图案的侧壁在与接触件叠置的区域中可以被场绝缘层完全地围绕。第一鳍型图案的距沟槽的底部第一高度处的宽度可以为第一宽度，第一鳍型图案的距沟槽的底部高于第一高度的第二高度处的宽度可以为第二宽度，第一宽度可以大于或等于第二宽度。半导体器件还可以包括：第三鳍型图案，沿第一方向延伸；栅电极，沿不同于第一方向的第二方向延伸，栅电极在第一至第三鳍型图案上。接触件的底表面可以不与第三鳍型图案相接触。在接触件与第一鳍型图案彼此交叉的区域中从沟槽的底部至第一鳍型图案的最顶部分的高度可以为第一高度，在接触件的沿第二方向延伸的延长线与第三鳍型图案彼此交叉的区域中从沟槽的底部至第三鳍型图案的最顶部分的高度可以为第二高度，第二高度可以大于第一高度。第三鳍型图案可以不与接触件相接触。场绝缘层可以包括：第一部分，位于第一鳍型图案和第二鳍型图案之间；第二部分，以第一鳍型图案为基准与场绝缘层的第一部分对应；第三部分，以第二鳍型图案的视图为基准与场绝缘层的第一部分对应，从沟槽的底部至场绝缘层的第一部分的顶表面的最底部分的高度可以与从沟槽的底部至场绝缘层的第二部分的顶表面的最底部分的高度和从沟槽的底部至场绝缘层的第三部分的顶表面的最底部分的高度不同。从沟槽的底部至场绝缘层的第一部分的顶表面的最底部分的高度可以大于从沟槽的底部至场绝缘层的第二部分的顶表面的最底部分的高度和从沟槽的底部至场绝缘层的第三部分的顶表面的最底部分的高度。第一鳍型图案可以包括含有凹进的第一部分和第二部分，第一鳍型图案的第二部分可以沿第一方向位于第一鳍型图案的第一部分的相对侧处，接触件可以填充凹进。半导体器件还可以包括：栅电极，沿不同于第一方向的第二方向延伸并且在第一鳍型图案的第一部分上；分隔件，在栅电极的侧壁上。第一鳍型图案的一部分可以被置于分隔件和接触件之间。实施例可以通过提供一种半导体器件来实现，所述半导体器件包括：鳍型图案组，包括由第一沟槽限定的多个鳍型图案，鳍型图案组沿第一方向延
伸，所述多个鳍型图案沿不同于第一方向的第二方向布置；场绝缘层，填充第一沟槽的一部分；栅电极，在场绝缘层上沿第二方向延伸，栅电极与鳍型图案组相交；层间介电膜，在场绝缘层上，层间介电膜包括覆盖鳍型图案组和栅电极的接触孔，接触孔沿第二方向延伸，接触孔具有由场绝缘层的顶表面和至少一个鳍型图案的顶表面限定的底表面，接触孔的底表面具有波形形状；接触件，在栅电极的至少一侧上填充接触孔。接触件可以与鳍型图案的顶表面和场绝缘层的顶表面相接触。接触孔的由鳍型图案的顶表面限定的底表面可以具有波形的波峰，接触孔的由场绝缘层的顶表面限定的底表面可以具有波形的波谷。通过接触孔暴露的鳍型图案组的顶表面和场绝缘层的顶表面可以是曲面。接触件的在接触件与鳍型图案组的顶表面叠置的区域处的平均厚度可以为第一厚度，接触件的在接触件与场绝缘层的顶表面叠置的区域处的平均厚度可以为第二厚度，第二厚度可以大于第一厚度。鳍型图案组可以在有源区中由比第一沟槽深的第二沟槽来限定。实施例可以通过提供一种半导体器件来实现，所述半导体器件包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一鳍型图案，在在基底的第一区域中由第一沟槽来限定，第一鳍型图案沿第一方向延伸；第二鳍型图案，在基底的第二区域中由第二沟槽来限定，第二鳍型图案沿第二方向延伸；场绝缘层，在基底上填充第一沟道的一部分和第二沟槽的一部分；第一栅电极，在第一鳍型图案上沿不同于第一方向的第三方向延伸；第二栅电极，在第二鳍型图案沿不同于第二方向的第四方向延伸；第一源极/漏极，在第二栅电极的相对侧处包括位于第二鳍型图案上的第一外延层；第一接触件，在第一栅电极的相对侧处与场绝缘层和第一鳍型图案相接触，第一接触件具有波形形状的底表面；第二接触件，在第一源极/漏极上，第二接触件不与场绝缘层相接触。第一接触件的底表面沿着第一鳍型图案的顶表面和场绝缘层的顶表面可以是连续的。从第一沟槽的底部至第一接触件的最底部分的高度可以小于从第二沟槽的底部至第二接触件的最底部分的高度。第二鳍型图案可以包括位于第二栅电极的相对侧处的凹进，第一外延层可以填充凹进。第一外延层可以沿着突出到场绝缘层的顶表面上方的第二鳍型图案的轮廓。第一外延层的外周表面的一部分可以沿场绝缘层的顶表面延伸。半导体器件还可以包括：第三鳍型图案，由第三沟槽限定，第三鳍型图案在基底的第三区域中沿第五方向延伸；第三栅电极，在第三鳍型图案上沿与第五方向不同的第六方向延伸；第二源极/漏极，在第三栅电极相对侧处包括位于第三鳍型图案上的第二外延层；第三接触件，在第二源极/漏极上，第三接触件不与场绝缘层相接触。从第二沟槽的底部至第二接触件的最底部分的高度可以与从第三沟槽的底部至第三接触件的最底部分的高度不同。基底的第二区域可以是PMOS区域，基底的第三区域可以是NMOS区域。从第二沟槽的底部至第二接触件的最底部分的高度可以不同于从第三沟槽的底部至第三接触件的最底部分的高度。第二外延层的外周表面的一部分可以沿场绝缘层的顶表面延伸，第一外延层的外周表面可以不沿场绝缘层的顶表面延伸。实施例可以通过提供一种半导体器件来实现，所述半导体器件包括：基底；鳍图案，在基底上；场绝缘层，位于鳍图案之间；接触件，与鳍图案中的至少一些和场绝缘层的位于鳍图案之间的至少一部分叠置并相接触，鳍图案的与接触件叠置的顶表面向上凸出，场绝缘层的与接触件叠置的顶表面向下凸出。半导体器件还可以包括额外的接触件，接触件和额外的接触件中的每个与鳍图案中的至少一些和场绝缘层的位于鳍图案之间的至少一部分叠置。鳍图案的与每个接触件叠置的顶表面可以向上凸出，场绝缘层的与每个接触件叠置的顶表面可以向下凸出。半导体器件还可以包括在接触件之间的栅电极。栅电极可以沿与鳍图案延伸所沿的方向本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，由沟槽限定，第一鳍型图案和第二鳍型图案沿第一方向延伸，第一鳍型图案和第二鳍型图案是相互最近的；场绝缘层，填充沟槽的一部分；以及接触件，与场绝缘层、第一鳍型图案和第二鳍型图案相接触，接触件具有波形形状的底表面。

【技术特征摘要】
2015.04.02 KR 10-2015-00467641.一种半导体器件，所述半导体器件包括：第一鳍型图案和第二鳍型图案，由沟槽限定，第一鳍型图案和第二鳍型图案沿第一方向延伸，第一鳍型图案和第二鳍型图案是相互最近的；场绝缘层，填充沟槽的一部分；以及接触件，与场绝缘层、第一鳍型图案和第二鳍型图案相接触，接触件具有波形形状的底表面。2.如权利要求1所述的半导体器件，其中，接触件的与位于第一鳍型图案和第二鳍型图案之间的场绝缘层相接触的底表面具有靠近于第一鳍型图案的第一点和比第一点距离第一鳍型图案远的第二点，并且从沟槽的底部至第一点的高度大于从沟槽的底部至第二点的高度。3.如权利要求2所述的半导体器件，其中，第一鳍型图案的顶表面、第二鳍型图案的顶表面和场绝缘层的顶表面在与接触件叠置的区域中是曲面。4.如权利要求1所述的半导体器件，其中：接触件的在接触件与第一鳍型图案的顶表面叠置的区域处的平均厚度为第一厚度，接触件的在接触件与位于第一鳍型图案和第二鳍型图案之间的场绝缘层的顶表面叠置的区域处的平均厚度为第二厚度，第二厚度大于第一厚度。5.如权利要求1所述的半导体器件，其中，接触件的底表面沿着第一鳍型图案的顶表面、场绝缘层的顶表面和第二鳍型图案的顶表面是连续的。6.如权利要求1所述的半导体器件，其中，第一鳍型图案的侧壁和第二鳍型图案的侧壁在与接触件叠置的区域中被场绝缘层完全地围绕。7.如权利要求6所述的半导体器件，其中，第一鳍型图案的距沟槽的底部第一高度处的宽度为第一宽度，第一鳍型图案的距沟槽的底部高于第一高度的第二高度处的宽度为第二宽度，第一宽度大于或等于第二宽度。8.如权利要求1所述的半导体器件，所述半导体器件还包括：第三鳍型图案，沿第一方向延伸；以及栅电极，沿不同于第一方向的第二方向延伸，栅电极位于第一鳍型图案至第三鳍型图案上，其中，接触件的底表面不与第三鳍型图案相接触。9.如权利要求8所述的半导体器件，其中：在接触件与第一鳍型图案彼此交叉的区域中从沟槽的底部至第一鳍型图案的最顶部分的高度为第一高度，在接触件的沿第二方向延伸的延长线与第三鳍型图案彼此交叉的区域中从沟槽的底部至第三鳍型图案的最顶部分的高度为第二高度，第二高度大于第一高度。10.如权利要求1所述的半导体器件，其中：场绝缘层包括：第一部分，位于第一鳍型图案和第二鳍型图案之间；第二部分，以第一鳍型图案为基准，第二部分与场绝缘层的第一部分...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘庭均，李炯宗，张锺光，金盛民，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR