【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2015年4月14日提交的法国专利申请No.15/53236的优先权利益,其内容按照其整体上能够由法律所允许的最大范围通过引用的方式被并入本文。
本公开内容涉及无线通信领域,并且更具体地涉及传输射频信号的装置。本公开内容更具体地涉及其中传输的射频信号的功率放大。
技术介绍
射频信号传输装置传统上包括:用于产生将被传输的射频信号的数字和/或模拟电路;用于对射频信号进行放大的功率模拟电路;以及通常经由阻抗匹配和/或谐波滤波电路耦合至功率放大器的输出的天线。由这种装置传输的射频信号可以是经频率调制的信号或经相位调制的信号,也就是恒定幅度的交流(AC)信号,将被传输的数据可以通过信号频率或信号相位的变化来编码。作为一种变化形式,所传输的射频信号可以是经幅度调制的信号,也就是恒定频率的AC信号,将被传输的数据通过信号幅度的变化来编码。在传输经频率调制的信号或经相位调制的信号的装置中,功率放大器可以是所谓的E类放大器。这种类型的放大器实际上具有对恒定幅度的射频信号的放大的高效率。然而,E类放大器不具有线性工作状态,并且因此不适于对经幅度调制的射频信号进行放大。在特定的应用中,希望交替地传输经频率调制的射频信号或经相
位调制的射频信号、或经幅度调制的射频信号。为了实现该目的,可能的解决方案是提供两种不同的功率放大器,一种功率放大器适于对经频率调制的信号或经相位调制的信号进行放大,而另一种功率放大器适于对经幅度调制的信号进行放大。然而,这会引起成本、体积和/或电力消耗方面的问题。
技术实现思路
因此,实施方式提供了一种射频信号放大器 ...
【技术保护点】
一种射频信号功率放大器,包括:第一支路,所述第一支路包括在施加直流(DC)供电电压的第一节点和第二节点之间与第一电容器串联连接的电感器,其中,所述电感器和所述第一电容器的连接点形成被配置成耦合至负载的所述放大器的输出节点;第二支路,所述第二支路包括在所述输出节点和所述第二节点之间与第一开关串联连接的第一MOS晶体管,所述第一开关具有耦合至被配置成接收第一输入信号的第一输入节点的控制节点,所述第一MOS晶体管具有耦合至被配置成接收第二输入信号的第二输入节点的栅极;以及电路,所述电路被配置成产生二进制信号,所述二进制信号表示在所述第一晶体管的漏源电压和所述第一晶体管的栅源电压与阈值电压之差之间的差的符号。
【技术特征摘要】
2015.04.14 FR 15532361.一种射频信号功率放大器,包括:第一支路,所述第一支路包括在施加直流(DC)供电电压的第一节点和第二节点之间与第一电容器串联连接的电感器,其中,所述电感器和所述第一电容器的连接点形成被配置成耦合至负载的所述放大器的输出节点;第二支路,所述第二支路包括在所述输出节点和所述第二节点之间与第一开关串联连接的第一MOS晶体管,所述第一开关具有耦合至被配置成接收第一输入信号的第一输入节点的控制节点,所述第一MOS晶体管具有耦合至被配置成接收第二输入信号的第二输入节点的栅极;以及电路,所述电路被配置成产生二进制信号,所述二进制信号表示在所述第一晶体管的漏源电压和所述第一晶体管的栅源电压与阈值电压之差之间的差的符号。2.根据权利要求1所述的放大器,其中,所述第一MOS晶体管被配置成作为响应于在所述第二输入节点处的所述第二输入信号的可控电流源进行操作。3.根据权利要求1所述的放大器,其中,所述第一开关是第二MOS晶体管,所述第二MOS晶体管被配置成作为响应于施加到所述第二MOS晶体管的栅极上的、在所述第一输入节点处的所述第一输入信号的开关元件进行操作。4.根据权利要求3所述的放大器,其中,所述第一MOS晶体管的栅极氧化物比所述第二MOS晶体管的栅极氧化物厚。5.根据权利要求1所述的放大器,其中,所述电路包括:第二电容器和第二开关,所述第二电容器和所述第二开关被配置成对电压进行采样,所述电压表示当所述第一开关处于接通状态时在所述输出节点处的电压;以及第二MOS晶体管,所述第二MOS晶体管与所述第一MOS晶体
\t管类型相同,并且被以二极管方式安装且被偏置到导通阈值,所述第二MOS晶体管的漏极被耦合至所述第一MOS晶体管的栅极。6.根据权利要求5所述的放大器,其中:所述第二电容器具有被耦合至第二供电节点的第一电极、以及通过所述第二开关被耦合至所述输出节点的第二电极;而且所述第二MOS晶体管的源极通过电流源被耦合至所述第二供电节点;而且所述放大器还包括比较器,所述比较器具有被耦合至所述第二电容器的所述第二电极的第一输入端以及被耦合至所述第二MOS晶体管的所述源极的第二输入端。7.根据权利要求6所述的放大器,其中,所述二进制信号是所述比较器的输出信号。8.根据权利要求5所述的放大器,其中:所述第二电容器具有被耦合至第二供电节点的第一电极以及被耦合至第一分压桥电路的中点的第二电极,所述第一分压桥电路将所述输出节点耦合至所述第二供电节点;并且所述第二MOS晶体管的源极通过分压桥电路被耦合至所述第二供电节点;并且所述放大器还包括比较器,所述比较器具有被耦合至所述第二电容器的所述第二电极的第一输入端以及被耦合至所述中点的第二输入端。9.根据权利要求8所述的放大器,其中,所述二进制信号是所述比较器的输出信号。10.根据权利要求4所述的放大器,其中,所述第二开关具有被耦合至所述第一开关的所述控制节点的控制节点。11.根据权利要求1所述的放大器,还包括:数模转换器电路,被配置成将数字信号转换成提供给所述第二MOS晶体管的所述栅极的模拟电流;其中,所述数字信号具有响应于所述二进制信号而设置的值,使
\t得将所述第二MOS晶体管限制成作为电流源进行操作。12.一种射频信号传输装置,包括:放大器,所述放大器包括:第一支路,所述第一支路包括在施加直流(DC)供电电压的第一节点和第二节点之间与第一电容器串联连接的电感器,其中,所述电感器和所述第一电容器的连接点形成被配置成耦合至负载的所述放大器的输出节点;第二支路,所述第二支路包括在所述输出节点和所述第二节点之间与第一开关串联连接的第一MOS晶体管,所述第一开关具有耦合至被配置成接收第一输入...
【专利技术属性】
技术研发人员:M·艾罗,
申请(专利权)人:意法半导体格勒诺布尔二公司,
类型:发明
国别省市:法国;FR
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