随环境亮度变化的变光路灯制造技术

本发明专利技术是关于一种随环境亮度变化的变光路灯，其特征包括：220V交流电源、12V半波整流稳压电源、光敏电阻分压电路、照明灯驱动电路。本发明专利技术所述的随环境亮度变化的变光路灯采取光敏控制方式，路灯由原来的集中控制，转变为分散本地各自控制。只要当环境光线变暗或天黑后，变光路灯就会自动点亮。它能根据道路环境的亮度情况，如遇到阴雨天或雾霾天，或是起雾天等自然环境因素时，它能自动打开变光路灯或自行调整路灯的亮度。此外，它还有助于降低路灯的耗电量、延长变光路灯的使用寿命、减少维修成本、大幅度降低灯具更换率等作用，同时变光路灯为市政道路路灯提供了又一种智能化服务模式。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子自动控制
，是关于一种随环境亮度变化的变光路灯。
技术介绍
市政道路路灯到规定的时间全城同时开启或同时关闭，路灯没有一点选择性的工作，有些路段因楼宇或行道树的影响，需要提前开启路灯，有些路段或广场环境光线比较充沛，完全可以迟一点打开路灯。本专利技术所述的随环境亮度变化的变光路灯采取光敏控制方式，路灯由原来的集中控制，转变为分散本地各自控制。只要当环境光线变暗或天黑后，变光路灯就会自动点亮。它能根据道路环境的亮度情况，如遇到阴雨天或雾霾天，或是起雾天等自然环境因素时，它能自动打开变光路灯或自行调整路灯的亮度。此外，它还有助于降低路灯的耗电量、延长变光路灯的使用寿命、减少维修成本、大幅度降低灯具更换率等作用，同时变光路灯为市政道路路灯提供了又一种智能化服务模式。本专利技术所述的随环境亮度变化的变光路灯具有电路简单、工作稳定、性能可靠，电路仅使用少量普通分立元器件，制作成本仅需几元，适合于工厂批量开发。以下详细说明本专利技术所述的随环境亮度变化的变光路灯在实施过程中所涉及必要的、关键性
技术实现思路
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技术实现思路
专利技术目的及有益效果：本专利技术所述的随环境亮度变化的变光路灯采取光敏控制方式，路灯由原来的集中控制，转变为分散本地各自控制。只要当环境光线变暗或天黑后，变光路灯就会自动点亮。它能根据道路环境的亮度情况，如遇到阴雨天或雾霾天，或是起雾天等自然环境因素时，它能自动打开变光路灯或自行调整路灯的亮度。此外，它还有助于降低路灯的耗电量、延长变光路灯的使用寿命、减少维修成本、大幅度降低灯具更换率等作用，同时变光路灯为市政道路路灯提供了又一种智能化服务模式。电路工作原理：随环境亮度变化的变光路灯由220V交流电源经降压电容C1、泄放电阻R1降压限流，经过硅整流二极管D1半波整流、稳压二极管DW稳压，并经过滤波电容C2滤波获得12V直流稳压电源。220V交流电源分为两路，一路通过降压半波整流和稳压变成12V直流稳压电源，用于控制电路工作电源；另一路用于控制双向可控硅BCR使路灯运行。在白天环境亮度较高时路灯无电不工作时，由于光敏电阻RG的阻值较小，光敏电阻RG上的分压作用使NPN型晶体管VT1不能导通，因而双向可控硅BCR截至，照明灯HL不工作；当环境亮度较暗时，光敏电阻RG因光照使阻值变大，光敏电阻RG上的分压让NPN型晶体管VT1导通，使双向可控硅BCR得到导通电压，直接驱动照明灯HL工作。由于光敏电阻RG受到的光照不同，其亮电阻的阻值也不同，从而使双向可控硅BCR的导通角也不同，那么照明灯HL的得到的驱动电压也随环境亮度变化而变化。即：天色全黑时，照明灯HL全功率发光；环境亮度较亮时，照明灯HL就小功率发光。技术方案：随环境亮度变化的变光路灯，它包括220V交流电源、12V半波整流稳压电源、光敏电阻分压电路、照明灯驱动电路，其特征在于：光敏电阻分压电路：它由电阻R2、光敏电阻RG组成，开关二极管D2的正极接电阻R2的一端和光敏电阻RG的一端，电阻R2的另一端接电路正极VCC，光敏电阻RG的另一端接电路地GND；照明灯驱动电路：它由开关二极管D2、NPN型晶体管VT1、电阻R3、电阻R4、触发电阻R5、双向可控硅BCR及照明灯HL组成，开关二极管D2的负极接NPN型晶体管VT1的基极，NPN型晶体管VT1的集电极通过电阻R3接电路正极VCC，NPN型晶体管VT1的发射极通过电阻R4接电路地GND，双向可控硅BCR的控制极通过触发电阻R5接NPN型晶体管VT1的发射极，双向可控硅BCR的第二阳极T2通过照明灯HL接220V交流电源的火线端L，双向可控硅BCR的第一阳极T1接电路地GND和220V交流电源的零线端N；12V半波整流直流稳压电源：它由降压电容C1、泄放电阻R1、硅整流二极管D1、硅稳压二极管DW和滤波电容C2组成，硅稳压二极管DW使用的技术参数为12V，220V交流电源的火线端L接降压电容C1的一端和泄放电阻R1的一端，降压电容C1的另一端和泄放电阻R1的另一端接硅整流二极管D1的正极，硅整
流二极管D1的负极接硅稳压二极管DW的负极和滤波电容C2的正极，硅稳压二极管DW的正极和滤波电容C2的负极接电路地GND；12V半波整流稳压电源的正极与电路正极VCC相连，12V半波整流稳压电源的负极与电路地GND及220V交流电源的零线端N相连。附图说明附图1是本专利技术提供的随环境亮度变化的变光路灯一个实施例的电路工作原理图。具体实施方式按照附图1所示的随环境亮度变化的变光路灯电路工作原理图和附图说明，并按照
技术实现思路
所述的各部分电路中元器件之间连接关系，以及实施方式中所述的元器件技术参数要求和电路制作要点进行实施即可实现本专利技术，以下结合实施例对本专利技术的相关技术作进一步的描述。元器件的技术参数及其选择要求VT1为NPN型晶体管，选用的型号为2SC9013或3DG12，要求β≥120；D1为硅整流二极管，选用的型号为1N4007；D2为开关二极管，选用的型号为1N4148或选用2CP系列硅整流二极管；DW稳压二极管，选用的稳压值为12V、功率为1W；泄放电阻R1的阻值为680KΩ、功率为1W；电阻R2的阻值为18KΩ(阻值需要调整)；电阻R3的阻值为82Ω；电阻R4的阻值为12KΩ；触发电阻R5的阻值为27KΩ；RG为光敏电阻，可选用MG45等型号，要求亮电阻不大于8.2KΩ，暗电阻不小于1MΩ；C1为降压电容，容量为0.68μF/450V，C2为滤波电容，容量为1000μF/25V；BCR为双向可控硅，使用的技术参数为5A、450V；HL为照明灯，推荐使用的功率要求≤100W、电压为220V。电路制作要点、电路调试及使用方法因随环境亮度变化的变光路灯的电路结构比较简单，一般情况下只要选用的电子元器件性能完好，并按照说明书附图1中的元器件连接关系进行焊接，物理连接线及焊接质量经过仔细检查正确无误后，本专利技术的电路只需要进行简单地调试即可正常工作；将电子元器件及电路板全部装入塑料盒，光敏电阻RG应该安置在塑料盒上面对光线比较敏感的位置，然后通过导线连接光敏电阻RG；接好照明灯HL后，该装置接通220V交流电源，打开手电筒照射光敏电阻RG，这时照明灯HL应立刻被点亮；若光敏电阻RG不工作，首先应该查看光敏电阻RG是否完好，其次再用万用表测量此时光敏电阻RG的阻值，适当减少电阻R2的阻值使照明灯HL正常工作，电路调试即告完成。本专利技术的电路结构设计、元器件布局，以及它的外观形状设计及其尺寸大小等均不是本专利技术的关键技术，也不是本专利技术要求保护的关键性
技术实现思路
，因不影响本专利技术具体实施过程和专利技术目的的实现，故不在说明书中一一说明。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种随环境亮度变化的市政变光路灯，它包括220V交流电源、12V半波整流稳压电源、光敏电阻分压电路、照明灯驱动电路，其特征在于：所述的光敏电阻分压电路由电阻R2、光敏电阻RG组成，开关二极管D2的正极接电阻R2的一端和光敏电阻RG的一端，电阻R2的另一端接电路正极VCC，光敏电阻RG的另一端接电路地GND；所述的照明灯驱动电路由开关二极管D2、NPN型晶体管VT1、电阻R3、电阻R4、触发电阻R5、双向可控硅BCR及照明灯HL组成，开关二极管D2的负极接NPN型晶体管VT1的基极，NPN型晶体管VT1的集电极通过电阻R3接电路正极VCC，NPN型晶体管VT1的发射极通过电阻R4接电路地GND，双向可控硅BCR的控制极通过触发电阻R5接NPN型晶体管VT1的发射极，双向可控硅BCR的第二阳极T2通过照明灯HL接220V交流电源的火线端L，双向可控硅BCR的第一阳极T1接电路地GND和220V交流电源的零线端N；所述的12V半波整流直流稳压电源由降压电容C1、泄放电阻R1、硅整流二极管D1、硅稳压二极管DW和滤波电容C2组成，硅稳压二极管DW使用的技术参数为12V，220V交流电源的火线端L接降压电容C1的一端和泄放电阻R1的一端，降压电容C1的另一端和泄放电阻R1的另一端接硅整流二极管D1的正极，硅整流二极管D1的负极接硅稳压二极管DW的负极和滤波电容C2的正极，硅稳压二极管DW的正极和滤波电容C2的负极接电路地GND；所述的12V半波整流稳压电源的正极与电路正极VCC相连，12V半波整流稳压电源的负极与电路地GND及220V交流电源的零线端N相连。...

【技术特征摘要】
1.一种随环境亮度变化的市政变光路灯，它包括220V交流电源、12V半波整流稳压电源、光敏电阻分压电路、照明灯驱动电路，其特征在于：所述的光敏电阻分压电路由电阻R2、光敏电阻RG组成，开关二极管D2的正极接电阻R2的一端和光敏电阻RG的一端，电阻R2的另一端接电路正极VCC，光敏电阻RG的另一端接电路地GND；所述的照明灯驱动电路由开关二极管D2、NPN型晶体管VT1、电阻R3、电阻R4、触发电阻R5、双向可控硅BCR及照明灯HL组成，开关二极管D2的负极接NPN型晶体管VT1的基极，NPN型晶体管VT1的集电极通过电阻R3接电路正极VCC，NPN型晶体管VT1的发射极通过电阻R4接电路地GND，双向可控硅BCR的控制极通过触发电阻R5接NPN型晶体管VT1的发射极，双向可控硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄月华，
申请(专利权)人：黄月华，
类型：发明
国别省市：安徽;34