【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及集成电路封装
,特别涉及一种电解去溢料溶液及其制备方法。
技术介绍
IC(集成电路)包封过程中由于与框架的不匹配(如模具磨损、不平整等)、注塑工艺、框架表面粗糙度等问题造成塑封体在引线框架上溢出,形成溢料(毛刺)。溢料的存在会引起后续镀锡时漏镀或镀层剥离,影响镀层的焊接性能和外观。因此IC包封后电镀前都有溢料去除工艺。现有技术中去溢料的方法一般分为三种:机械喷砂法、化学浸泡法、电解法。其中机械喷砂法容易使得塑封体表面受损,比较少使用;化学浸泡法对环境影响较大;与前两者相比,电解法更环保、更高效。但是通常的电解法去溢料又存在以下几个问题:1)溶液普遍采取NaOH或KOH为主,含量达到50-150g/L,温度50-60℃,对部分塑封体易造成损伤;2)过高的碱度会使金属框架与塑封体之间因析出氢气而剥离,形成产品内部的分层现象,这种问题对小塑封体大载体的封装形式尤其明显。因此,有必要提供一种试剂来解决上述问题。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种电解去溢料溶液及其制备方法。本专利技术通过如下技术方案实现上述目的:一种电解去溢料溶液,其特征在于:包括异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯、无机盐、有机盐、有机碱以及去离子水,其各组分质量百分比为:异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯0.2-1%、无机盐10-20%、有机盐1-5%、有机碱5-15%,其余为去离子水。具体的,所述无机盐为硫酸钾或硫酸钠。具体的,所述有机盐为单乙醇胺、二乙醇胺或α-吡络烷酮中的一种。具体的,所述无机盐为柠檬酸钾或氨基磺酸钾。具体的,所述化学退镀液还包括质量百分比0-5%的硝酸稳定剂。一种电 ...
【技术保护点】
一种电解去溢料溶液,其特征在于:包括异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯、无机盐、有机盐、有机碱以及去离子水,其各组分质量百分比为:异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯0.2‑1%、无机盐10‑20%、有机盐1‑5%、有机碱5‑15%,其余为去离子水。
【技术特征摘要】
1.一种电解去溢料溶液,其特征在于:包括异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯、无机盐、有机盐、有机碱以及去离子水,其各组分质量百分比为:异辛醇聚氧乙烯醚磷酸酯0.2-1%、无机盐10-20%、有机盐1-5%、有机碱5-15%,其余为去离子水。2.根据权利要求1的电解去溢料溶液,其特征在于:所述无机盐为硫酸钾或硫酸钠。3.根据权利要求1的电解去溢料溶液,其特征在于:所述有机盐为单乙醇胺、二乙醇胺或α-吡络烷酮中的一种。4....
【专利技术属性】
技术研发人员:胡青华,
申请(专利权)人:昆山艾森半导体材料有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏;32
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