晶体振荡器及晶体振荡器的制造方法技术

晶体振荡器1包括：第一振荡电路13，使晶体振子12以第一频率振荡；第一阻抗调整电路17，对具有晶体振子12与第一振荡电路13的第一振荡系统的阻抗进行调整；第二振荡电路14，使晶体振子12以与第一频率不同的第二频率振荡；第二阻抗调整电路18，对具有晶体振子12与第二振荡电路14的第二振荡系统的阻抗进行调整；以及控制电路19，对第一阻抗调整电路17及第二阻抗调整电路18进行控制。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种晶体振荡器及晶体振荡器的制造方法。
技术介绍
以前，已知如下的晶体振荡器，即，具备多个晶体振子，能够输出第一频率的振荡信号、及与第一频率不同的第二频率的振荡信号。例如，专利文献1中公开了一种温度补偿型的晶体振荡器，其能够输出向外部装置输出的第一振荡信号、及用于温度传感器用的第二振荡信号。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利特开2011-135342号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题]图12是表示输出两个频率的信号的现有的晶体振荡器100的构成的图。如图12所示，现有的晶体振荡器100包括：第一晶体振子101，使第一晶体振子101以第一频率振荡的第一振荡电路102，第二晶体振子103，及使第二晶体振子103以第二频率振荡的第一振荡电路104。然而，因现有的晶体振荡器100具备两个晶体振子，所以存在安装面积增大的问题。为了应对所述问题，有使一个晶体振子以不同的频率同时振荡的方法。图13是表示使一个晶体振子以不同的频率同时振荡的晶体振荡器110的构成的图。晶体振荡器110包括晶体振子111、使晶体振子111以第一频率振荡的第一振荡电路112、及使晶体振子111以第二频率振荡的第二振荡电路113。然而，晶体振荡器110存在各个振荡电路相互影响而无法稳定地使输出信号振荡的问题。因此，本专利技术鉴于所述方面而完成，目的在于提供能够减小安装面积并且能够使输出信号稳定地振荡的晶体振荡器及晶体振荡器的制造方法。[解决问题的技术手段]本专利技术的晶体振荡器的特征在于包括：第一振荡电路，使晶体振子以第一频率振荡；第一阻抗(impedance)调整电路，对具有所述晶体振子与所述第一振荡电路的第一振荡系统的阻抗进行调整；第二振荡电路，使所述晶体振子以与所述第一频率不同的第二频率振荡；第二阻抗调整电路，对具有所述晶体振子与所述第二振荡电路的第二振荡系统的阻抗进行调整；以及控制电路，对所述第一阻抗调整电路及所述第二阻抗调整电路进行控制。所述晶体振荡器也可还包括负性电阻产生电路，所述负性电阻产生电路在所述晶体振子
与所述第一振荡电路及所述第二振荡电路中的至少任一电路之间，在所述第一频率及所述第二频率中的任一频率下，相对于所述第一振荡系统或所述第二振荡系统产生负性电阻。所述负性电阻产生电路优选在所述第一频率及所述第二频率中的任一频率下为高阻抗。所述负性电阻产生电路优选在相对于所述第一频率的规定范围外的频率及相对于所述第二频率的规定范围外的频率下大致短路，且不产生负性电阻。所述晶体振荡器也可还包括绝缘(isolation)调整电路，所述绝缘调整电路在所述晶体振子与所述第一振荡电路及所述第二振荡电路中的至少任一电路之间，用以确保振荡电路间的绝缘。所述第一阻抗调整电路及所述第二阻抗调整电路也可具有包含多个电阻的电阻阵列(array)，所述控制电路通过对该电阻阵列进行控制，而进行所述第一阻抗调整电路及所述第二阻抗调整电路中的至少任一电路的电阻值的调整。所述第一阻抗调整电路及所述第二阻抗调整电路也可具有包含多个电容器的电容器阵列，所述控制电路通过对该电容器阵列进行控制，而进行所述第一阻抗调整电路及所述第二阻抗调整电路中的至少任一电路的电容值的调整。所述第一阻抗调整电路及所述第二阻抗调整电路也可具有可变电容二极管(diode)，所述控制电路通过对该可变电容二极管进行控制，而进行所述第一阻抗调整电路及所述第二阻抗调整电路中的至少任一电路的频率特性的调整。所述第一振荡电路、所述第二振荡电路、所述第一阻抗调整电路、所述第二阻抗调整电路及所述控制电路也可设置于集成电路内。所述晶体振荡器也可还包括如下两个电路中的至少任一个电路：第一滤波器电路，设置于所述晶体振子与所述第一振荡电路之间，阻断所述第二频率的振荡信号；以及第二滤波器电路，设置于所述晶体振子与所述第二振荡电路之间，阻断所述第一频率的振荡信号。而且，所述晶体振荡器也可还包括温度控制电路，所述温度控制电路对所述第一频率及所述第二频率进行检测，基于所述第一频率与所述第二频率之差，控制所述晶体振子的附近的温度。本专利技术的制造方法为晶体振荡器的制造方法，包括：第一步骤，对所述第一阻抗调整电路进行调整而调整所述第一振荡系统的阻抗；以及第二步骤，对所述第二阻抗调整电路进行调整而调整所述第二振荡系统的阻抗。而且，所述第一步骤包括下述步骤：通过对所述第一阻抗调整电路的电阻阵列进行控制，而调整流经所述第一阻抗调整电路的电流值；以及通过对所述第一阻抗调整电路的电容器阵列进行控制，而调整所述第一阻抗调整电路的频率特性，所述第二步骤包括下述步骤：通过对所述第二阻抗调整电路的电阻阵列进行控制，而调整流经所述第二阻抗调整电路的电流值；以及通过对所述第二阻抗调整电路的电容器阵列进行控制，而调整所述第二阻抗调整电路的频率特性。[专利技术的效果]根据本专利技术，发挥能够减小安装面积并且能够使输出信号稳定地振荡的效果。附图说明图1是第一实施方式的晶体振荡器的电路构成图。图2A是表示将第一实施方式的第一阻抗调整电路中的电容值固定而使电阻值变化时的负性电阻特性的图。图2B是表示将第一实施方式的第一阻抗调整电路中的电阻值固定而使电容值变化时的负性电阻特性的图。图3是第二实施方式的晶体振荡器的电路构成图。图4是第三实施方式的晶体振荡器的电路构成图。图5是表示第三实施方式的第一负性电阻产生电路及第二负性电阻产生电路的电路构成的一例的图。图6是表示第三实施方式的第一负性电阻产生电路及第二负性电阻产生电路的电路构成的其他例的图。图7是表示第三实施方式的第一振荡系统及第二振荡系统中的负性电阻特性与晶体振子的阻抗特性的图。图8是第四实施方式的晶体振荡器的内部的电路构成图。图9是表示晶体振荡器中的信号路径的图。图10是表示第四实施方式的晶体振荡器的电路阻抗的频率特性的图。图11是第五实施方式的晶体振荡器的内部的电路构成图。图12是表示输出两个频率的信号的现有的晶体振荡器的构成的图。图13是表示使一个晶体振子以不同的频率同时振荡的晶体振荡器的构成的图。具体实施方式<第一实施方式>[晶体振荡器1的构成]图1是第一实施方式的晶体振荡器1的电路构成图。晶体振荡器1包括晶体振子12、第一振荡电路13、第二振荡电路14、第一阻抗调整电路17、第二阻抗调整电路18、控制电路19、第一绝缘调整电路20、及第二绝缘调整电路21。晶体振子12例如为AT切割(cut)的晶体振子或SC切割的晶体振子。第一振荡电路13连接于晶体振子12，使晶体振子12以第一频率振荡而产生第一振荡信号。第二振荡电路14连接于晶体振子12，使晶体振子12以与第一频率不同的第二频率振荡而产生第二振荡信号。此处，将具有晶体振子12与第一振荡电路13且产生第一振荡信号的电路称作第一振荡系统，将具有晶体振子12与第二振荡电路14且产生第二振荡信号的电路称作第二振荡系统。在晶体振子12为AT切割的晶体振子的情况下，第一频率为使晶体振子12以第一次数振荡时的频率，第二频率为使晶体振子12以与第一次数不同的第二次数振荡时的频率。此处，第一次数及第二次数为晶体振子12的谐波(overtone)次数，第一频率及第二频率中的任一频率也可为基本频率。而且，在晶体振子12本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体振荡器，包括：晶体振子；第一振荡电路，使所述晶体振子以第一频率振荡；第一阻抗调整电路，对具有所述晶体振子与所述第一振荡电路的第一振荡系统的阻抗进行调整；第二振荡电路，使所述晶体振子以与所述第一频率不同的第二频率振荡；第二阻抗调整电路，对具有所述晶体振子与所述第二振荡电路的第二振荡系统的阻抗进行调整；以及控制电路，对所述第一阻抗调整电路及所述第二阻抗调整电路进行控制。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.07 JP 2014-044712;2014.03.07 JP 2014-044711.一种晶体振荡器，包括：晶体振子；第一振荡电路，使所述晶体振子以第一频率振荡；第一阻抗调整电路，对具有所述晶体振子与所述第一振荡电路的第一振荡系统的阻抗进行调整；第二振荡电路，使所述晶体振子以与所述第一频率不同的第二频率振荡；第二阻抗调整电路，对具有所述晶体振子与所述第二振荡电路的第二振荡系统的阻抗进行调整；以及控制电路，对所述第一阻抗调整电路及所述第二阻抗调整电路进行控制。2.根据权利要求1所述的晶体振荡器，还包括负性电阻产生电路，所述负性电阻产生电路在所述晶体振子与所述第一振荡电路及所述第二振荡电路中的至少任一电路之间，在所述第一频率及所述第二频率中的任一频率下，相对于所述第一振荡系统或所述第二振荡系统产生负性电阻。3.根据权利要求2所述的晶体振荡器，其中所述负性电阻产生电路在所述第一频率及所述第二频率中的任一频率下为高阻抗。4.根据权利要求2或3所述的晶体振荡器，其中所述负性电阻产生电路在相对于所述第一频率的规定范围外的频率及相对于所述第二频率的规定范围外的频率下大致短路，且不产生负性电阻。5.根据权利要求1至4中任一项所述的晶体振荡器，还包括绝缘调整电路，所述绝缘调整电路在所述晶体振子与所述第一振荡电路及所述第二振荡电路中的至少任一电路之间，用以确保振荡电路间的绝缘。6.根据权利要求1至5中任一项所述的晶体振荡器，其中所述第一阻抗调整电路及所述第二阻抗调整电路具有包含多个电阻的电阻阵列，所述控制电路通过对所述电阻阵列进行控制，而进行所述第一阻抗调整电路及所述第二阻抗调整电路中的至少任一电路的电阻值的调整。7.根据权利要求1至6中任一项所述的晶体振荡器，其中所述第一阻抗调整电路及所述第二阻抗调整电路具有包含多个电容器的电容器阵列，所述控制电路通...

【专利技术属性】
技术研发人员：中冈高司，赤池和男，星上浩，小林薫，
申请(专利权)人：日本电波工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP