LTPS组件的制造方法技术

本发明专利技术公开的LTPS组件的制造方法，包括：提供基板，并在基板上制备形成多晶硅层；在多晶硅层上制备形成栅极金属层；针对多晶硅层以第一注入剂量进行第一次离子注入，藉此在多晶硅层内形成源极区、漏极区、以及位于源极区和漏极区之间的沟道区；对多晶硅层进行加热处理，使第一次离子注入的掺杂离子往沟道区的方向进行扩散；针对多晶硅层以第二注入剂量进行第二次离子注入，在沟道区和源极区之间、以及沟道区和漏极区之间分别形成轻掺杂漏结构，其中，第二注入剂量大于第一注入剂量。形成的轻掺杂漏结构可以降低沟道区两侧源极区和漏极区之间的电量差值，进而改善LTPS组件的漏电流现象，避免因漏电流过大造成组件操作不稳定甚至失效，进而影响显示器的影像质量。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术设计AMOLED显示技术，尤其是指一种LTPS组件的制造方法。
技术介绍
在平板显示技术中，有源矩阵有机发光二极管(Active Matrix Organic Light Emitting Diode，AMOLED)显示器以其轻薄、主动发光、快响应速度、广视角、色彩丰富及高亮度、低功耗、耐高低温等众多优点而被业界公认为是继液晶显示器(LCD)之后的第三代显示技术。AMOLED为新世代的显示器技术，其具有自发光、广视角、对比度、低耗电、高响应速度、高分辨率、全彩薄型化等优点，具有挑战成为未来主流的显示器技术。现有技术中AMOLED器件的LTPS组件部分主要采用LTPS(Low Temperature Poly Silicon，低温多晶硅)制程，图1是现有的LTPS组件在栅极金属层制作完成后的结构示意图，参见图1所示，由于现有的AMOLED器件的LTPS组件部分，包括基板90、制备于基板90上的多晶硅层(P-Si)91、栅极金属层92以及制备形成于基板90和多晶硅层91之间，以及多晶硅层91和栅极金属层92之间的绝缘层93。其中，多晶硅层91上形成有沟道区911、以及形成于沟道区911两侧的源极区(Source)912和漏极区(Drain)913。由于多晶硅层91的沟道区911两侧的源极区912和漏极区913之间的电场能量差异较大，故LTPS组件电性表现出有相对较大的漏电流现象，此漏电流过大时会影响显示器的影像质量(如显示亮点)。因此，AMOLED器件的LTPS组件部分的良窳将决定AMOLED器件的最终显示质量。因此，有必要对现有的AMOLED器件的LTPS组件进行改进。
技术实现思路
有鉴于上述现有技术的LTPS组件容易出现漏电流的问题，本专利技术提
供了一种LTPS组件的制造方法，包括：提供基板，并在所述基板上制备形成多晶硅层；在所述多晶硅层上制备形成栅极金属层；针对所述多晶硅层以第一注入剂量进行第一次离子注入，藉此在所述多晶硅层内形成源极区、漏极区、以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；对所述多晶硅层进行加热处理，使所述第一次离子注入的掺杂离子往所述沟道区的方向进行扩散；以及针对所述多晶硅层以第二注入剂量进行第二次离子注入，在所述沟道区和所述源极区之间、以及所述沟道区和所述漏极区之间分别形成轻掺杂漏结构，其中，所述第二注入剂量大于所述第一注入剂量。本专利技术LTPS组件的制造方法，先进行第一次离子注入为低剂量，再进行加热处理，使低剂量的掺杂离子往沟道区的方向进行扩散，再进行第二次离子注入为高剂量，在沟道区和源极区之间，以及沟道区和漏极区之间分别形成轻掺杂漏结构，可以降低沟道区两侧的源极区和漏极区之间的电量差值，进而改善LTPS组件的漏电流现象，避免因漏电流过大造成组件操作不稳定甚至失效，进而影响显示器的影像质量。本专利技术LTPS组件的制造方法的进一步改进在于，所述第一次离子注入的掺杂离子与所述第二次离子注入的掺杂离子均为P型掺杂离子。本专利技术LTPS组件的制造方法的进一步改进在于，所述P型掺杂离子为硼离子。本专利技术LTPS组件的制造方法的进一步改进在于，所述第一注入剂量为1E14，所述第二注入剂量为1E15。本专利技术LTPS组件的制造方法的进一步改进在于，进行所述第一次离子注入时的注入能量与进行所述第二次离子注入时的注入能量均为30KeV。本专利技术LTPS组件的制造方法的进一步改进在于，对所述多晶硅层进行加热处理时的加热温度为580℃至600℃之间。本专利技术LTPS组件的制造方法的进一步改进在于，所述加热温度为590℃。本专利技术LTPS组件的制造方法的进一步改进在于，对所述多晶硅层进行加热处理时的加热时间为10分钟至30分钟之间。本专利技术LTPS组件的制造方法的进一步改进在于，所述加热时间为15分钟。本专利技术LTPS组件的制造方法的进一步改进在于，所述轻掺杂漏结构的宽度为0.15微米至0.45微米之间。本专利技术LTPS组件的制造方法的进一步改进在于，所述轻掺杂漏结构的宽度为0.3微米。本专利技术LTPS组件的制造方法的进一步改进在于，在所述多晶硅层上制备形成所述栅极金属层后，于所述栅极金属层上形成一层光阻玻璃；以及在所述多晶硅层内进行第一次离子注入之前，先对所述栅极金属层进行所述光阻玻璃的去除。本专利技术LTPS组件的制造方法的进一步改进在于，所述基板是由以玻璃、塑料或石英为材料的透明基板。本专利技术LTPS组件的制造方法的进一步改进在于，在所述多晶硅层内进行第一次离子注入之前，还包括步骤：在所述基板和所述多晶硅层之间，以及所述多晶硅层和所述栅极金属层之间制备形成绝缘层。本专利技术LTPS组件的制造方法的进一步改进在于，所述绝缘层为氧化硅层、氮化硅层或氧化硅层和氮化硅层的组合层。本专利技术LTPS组件的制造方法的进一步改进在于，所述绝缘层是通过等离子体增强化学气相沉积法或低压力化学气相沉积法制备形成的。本专利技术LTPS组件的制造方法的进一步改进在于，所述栅极金属层的材料是钼。本专利技术LTPS组件的制造方法的进一步改进在于，所述栅极金属层是通过溅射或真空沉积法制备形成的。附图说明图1是现有的LTPS组件在栅极金属层制作完成后的结构示意图。图2是本专利技术LTPS组件的制造方法的流程图。图3是本专利技术LTPS组件的制造方法中LTPS组件在栅极金属层制作完成后的结构示意图。图4是本专利技术LTPS组件的制造方法中LTPS组件在第一次离子注入后的结构示意图。图5是本专利技术LTPS组件的制造方法中LTPS组件在加热处理后的结
构示意图。图6是本专利技术LTPS组件的制造方法中LTPS组件在第二次离子注入后的结构示意图。图7是本专利技术LTPS组件的制造方法中LTPS组件形成轻掺杂漏结构后的结构示意图。图8是采用本专利技术LTPS组件的制造方法的LTPS组件与现有的LTPS组件的源漏极之间的电量差异对比图。具体实施方式为了使本专利技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。图2是本专利技术LTPS组件的制造方法的流程图，配合参看图2所示，本专利技术的LTPS组件的制造方法，包括：S101提供基板，并在所述基板上制备形成多晶硅层；S102在所述多晶硅层上制备形成栅极金属层；图3是本专利技术LTPS组件的制造方法中LTPS组件在栅极金属层制作完成后的结构示意图。具体地，结合图3所示，提供基板10，在基板10上制备形成多晶硅层20。其中，基板10是由以玻璃、塑料或石英为材料的透明基板。通过溅射或真空沉积法在多晶硅层20上制备形成栅极金属层30，栅极金属层30的材料优选的采用钼(Mo)。通过等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)或低压力化学气相沉积法(LPCVD)在基板10和多晶硅层20之间，以及多晶硅层20和栅极金属层30之间制备形成绝缘层40。绝缘层40优选地为氧化硅层(SiO)、氮化硅层(SiN)或氧化硅层和氮化硅层的组合层。S103针对所述多晶硅层以第一注入剂量进行第一次离子注入，藉此在所述多晶硅层内形成源极区、漏极区、以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；具体地，在多晶硅层20上制备形成栅极金属层30后，栅极金属层30上会形成一层光阻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LTPS组件的制造方法，其特征在于，包括：提供基板，并在所述基板上制备形成多晶硅层；在所述多晶硅层上制备形成栅极金属层；针对所述多晶硅层以第一注入剂量进行第一次离子注入，藉此在所述多晶硅层内形成源极区、漏极区、以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；对所述多晶硅层进行加热处理，使所述第一次离子注入的掺杂离子往所述沟道区的方向进行扩散；以及针对所述多晶硅层以第二注入剂量进行第二次离子注入，在所述沟道区和所述源极区之间、以及所述沟道区和所述漏极区之间分别形成轻掺杂漏结构，其中，所述第二注入剂量大于所述第一注入剂量。

【技术特征摘要】
1.一种LTPS组件的制造方法，其特征在于，包括：提供基板，并在所述基板上制备形成多晶硅层；在所述多晶硅层上制备形成栅极金属层；针对所述多晶硅层以第一注入剂量进行第一次离子注入，藉此在所述多晶硅层内形成源极区、漏极区、以及位于所述源极区和所述漏极区之间的沟道区；对所述多晶硅层进行加热处理，使所述第一次离子注入的掺杂离子往所述沟道区的方向进行扩散；以及针对所述多晶硅层以第二注入剂量进行第二次离子注入，在所述沟道区和所述源极区之间、以及所述沟道区和所述漏极区之间分别形成轻掺杂漏结构，其中，所述第二注入剂量大于所述第一注入剂量。2.如权利要求1所述的LTPS组件的制造方法，其特征在于，所述第一次离子注入的掺杂离子与所述第二次离子注入的掺杂离子均为P型掺杂离子。3.如权利要求2所述的LTPS组件的制造方法，其特征在于，所述P型掺杂离子为硼离子。4.如权利要求1所述的LTPS组件的制造方法，其特征在于，所述第一注入剂量为1E14，所述第二注入剂量为1E15。5.如权利要求1所述的LTPS组件的制造方法，其特征在于，进行所述第一次离子注入时的注入能量与进行所述第二次离子注入时的注入能量均为30KeV。6.如权利要求1所述的LTPS组件的制造方法，其特征在于，对所述多晶硅层进行加热处理时的加热温度为580℃至600℃之间。7.如权利要求6所述的LTPS组件的制造方法，其特征在于，所述加热温度为590℃。8.如权利要求1所述的LTPS组件的制造方法，其特征在于，对所述多晶硅层进行加热处理时的加热时间为10分...

【专利技术属性】
技术研发人员：许嘉哲，颜圣佑，彭思君，
申请(专利权)人：上海和辉光电有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31