音频信号产生电路制造技术

本实用新型专利技术公开一种频信号产生电路，包括单结N沟道的晶体管T1和NPN型的三极管T2：晶体管T1的第一个基极通过电阻R5接地，第二个基极通过电阻R2接音频信号产生电路电源正端，发射极与地之间接入电容C1，发射极与音频信号产生电路电源正端之间接入串联的电阻R1及电位器RW，三极管T2的基极通过电阻R4与晶体管T1的第一个基极连接，集电极通过电阻R3接于音频信号产生电路电源正端，发射极接地；扬声器接于音频信号产生电路电源正端和地之间，音频信号产生电路电源正端由微处理器控制的控制开关来接通/关断电源。本实用新型专利技术的音频信号产生电路可满足产生特定节拍音频信号的设计要求，具有结构简单，价格较低的特点。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及电子电路，尤其涉及一种音频信号产生电路。
技术介绍
现代信号处理过程中，有时需要产生一些特定节拍的音频信号。实现这种要求的现有音频信号产生电路采用了较多的元件，存在结构复杂、价格较高的不足之处，因而需要进行优化设计。
技术实现思路
针对现有技术存在的缺陷，本技术提供一种结构简单、价格较低的音频信号产生电路。为解决以上技术问题，本技术提供一种音频信号产生电路，包括单结N沟道的晶体管T1和NPN型的三极管T2，其中：晶体管T1的第一个基极通过电阻R5接地，晶体管T1的第二个基极通过电阻R2接音频信号产生电路电源正端，晶体管T1的发射极与地之间接入电容C1，晶体管T1的发射极与音频信号产生电路电源正端之间接入串联的电阻R1及电位器RW，三极管T2的基极通过电阻R4与晶体管T1的第一个基极连接，三极管T2的集电极通过电阻R3接于音频信号产生电路电源正端，三极管T2的发射极接地；扬声器接于音频信号产生电路电源正端和地之间，音频信号产生电路电源正端由微处理器控制的控制开关来接通/关断电源。与现有技术相比，本技术音频信号产生电路中，晶体管T1产生的信号脉冲由三极管T2放大后经扬声器P输出，可以发出低沉的节拍声，由此可满足产生特定节拍音频信号的设计要求，具有结构简单、价格低廉的优势。附图说明图1是本技术音频信号产生电路的电路图。具体实施方式以下结合附图与具体实施例进行详细说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本技术。但是本技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本技术内涵的情况下做类似推广，因此本技术不受下面公开的具体实施例的限制。如图1所示，音频信号产生电路可以产生一定节拍的音频声。该音频信号产生电路包括单结N沟道晶体管T1、NPN型三极管T2，单结N沟道晶体管T1的第一个基极通过电阻R5接地，单结N沟道晶体管T1的第二个基极通过电阻R2接音频信号产生电路电源正端VC，单结N沟道晶体管T1的发射极与地之间接入电容C5，单结N沟道晶体管T1的发射极与音频信号产生电路电源正端VC之间接入串联的电阻R1及电位器RW，NPN型三极管T2的基极通过电阻R4与单结N沟道晶体管T1的第一个基极连接，NPN型三极管T2的集电极通过电阻R3接于音频信号产生电路电源正端VC，NPN型三极管T2的发射极接地；扬声器P接于音频信号产生电路电源正端VC和地之间，该音频信号产生电路电源正端VC由外部微处理器(MCU)控制的控制开关K1来接通/关断电源，即通过微处理器MCU产生的音频控制信号为“1”时接通电路电源，在音频控制开关控制信号K/A为“0”时断开电路电源。本实施例中，音频信号产生电路的一种可选参数选型为:单结N沟道晶体管T1为BT33、NPN型三极管T2为3DG6，电阻R1为47KΩ，电阻R2为470Ω，电阻R3为1KΩ，电阻R4为200Ω，电阻R5为200Ω，电容C1为50μF，控制开关K1为开关管(如三极管或场效应管等)，音频信号产生电路电源正端VC为+3V。当然，也可根据情况选择其它参数组合，不再赘述。该音频信号产生电路中，单结N沟道晶体管T1产生的信号脉冲由NPN型三极管T2放大后经扬声器P输出，这样发出低沉的节拍声，由此可满足特定设计要求。特
别地，在单结N沟道晶体管T1的第一个基极与电阻R1之间接入电位器RW，该电位器RW的动触头与电位器RW的一个定接线连接；调节该电位器RW可以改变脉冲频率(两节拍可间隔1～3秒)，以适应不同指标设计要求。以上仅是本技术的优选实施方式，应当指出的是，上述优选实施方式不应视为对本技术的限制，本技术的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本技术的精神和范围内，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种音频信号产生电路，其特征在于，包括单结N沟道的晶体管T1和NPN型的三极管T2，其中：晶体管T1的第一个基极通过电阻R5接地，晶体管T1的第二个基极通过电阻R2接音频信号产生电路电源正端，晶体管T1的发射极与地之间接入电容C1，晶体管T1的发射极与音频信号产生电路电源正端之间接入串联的电阻R1及电位器RW，三极管T2的基极通过电阻R4与晶体管T1的第一个基极连接，三极管T2的集电极通过电阻R3接于音频信号产生电路电源正端，三极管T2的发射极接地；扬声器接于音频信号产生电路电源正端和地之间，音频信号产生电路电源正端由微处理器控制的控制开关来接通/关断电源。

【技术特征摘要】
1.一种音频信号产生电路，其特征在于，包括单结N沟道的晶体管T1和NPN型的三极管T2，其中：晶体管T1的第一个基极通过电阻R5接地，晶体管T1的第二个基极通过电阻R2接音频信号产生电路电源正端，晶体管T1的发射极与地之间接入电容C1，晶体管T1的发射极与音频信号产生电路电源正端之间接入串联的电阻R1及电位器RW，三极管T2的基极通过电阻R4与晶体管T1的第一个基极连接，三极管T2的集电极通过电阻R3接于音频信号产...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲁霄钢，
申请(专利权)人：鲁霄钢，
类型：新型
国别省市：浙江;33