一种外延炉的盖片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种外延炉的盖片，设置于外延炉大盘上相邻小盘基座之间的间隙区域，该盖片包括上盖片及下盖片，所述上盖片由所述大盘边缘延伸至与相邻两小盘基座的圆心连接线平齐，所述下盖片由所述圆心连接线延伸至所述大盘的中部，所述上盖片与下盖片相互配合并覆盖所述间隙区域。本实用新型专利技术通过上下盖片的分段设计可有效避免因加热沉积作用导致的变形，从而提高其使用寿命，避免对晶片生长过程产生不良影响，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及半导体技术，特别是涉及一种外延炉的盖片。
技术介绍
外延晶片通常是采用CVD(化学气相沉积)的方法来生长，具体是将衬底置于外延炉反应室中，将含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入反应室，借助空间气相化学反应在衬底表面上沉积固体薄膜。目前国际上的商业外延炉，如德国Aixtron公司的2400或2800系列碳化硅外延炉，其大盘中部与源气注入器(injector)对应，大盘上围绕中心设置若干用于放置晶片衬底的小盘，大盘带动小盘旋转，同时小盘自旋转，从而实现行星式结构，以得到较好的均匀性分布。实际生产中，会于大盘上相邻小盘的间隔区域中放置盖片来进行保护，盖片通常由与外延晶片相同的材料制成以保证工艺的稳定性和产品的质量。现有的盖片均为一片式结构，由大盘的旋转中心延伸至边缘，由于设备连续生产，盖片上会沉积大量附属产品，时间长了后发生变形翘曲，影响产品的性能和质量，需要进行整片更换，增加生产成本。
技术实现思路
本技术提供了一种外延炉的盖片，其克服了现有技术所存在的不足之处。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种外延炉的盖片，设置于外延炉大盘上相邻小盘基座之间的间隙区域，包括上盖片及下盖片，所述上盖片由所述大盘边缘延伸至与相邻两小盘基座的圆心连接线平齐，所述下盖片由所述圆心连接线延伸至所述大盘的中部，所述上盖片与下盖片相互配合并覆盖所述间隙区域。优选的，所述上盖片相对两侧形成与相邻两小盘基座配合的圆弧，上侧形成与所述大盘配合的圆弧。优选的，所述大盘中部设置有圆形底座，所述下盖片相对两侧形成与相邻两小盘基座配合的圆弧，下侧形成与圆形底座配合的圆弧。优选的，所述下盖片两侧圆弧与下侧圆弧分别延伸至邻近小盘基座与大盘的圆心连接线处。优选的，所述上盖片和下盖片于相邻两小盘基座圆心连接线处形成台阶状配合。优选的，所述大盘上围绕所述圆形底座对称设置有6个小盘基座，所述下盖片下侧的圆弧中心夹角为60°。优选的，所述上盖片和下盖片由碳化硅制成。相较于现有技术，本技术具有以下有益效果：1.大盘上相邻小盘基座之间的间隙区域设置有分体式盖片，盖片包括上盖片及下盖片，并于相邻两小盘基座的圆心连接线处(即最窄处)相接配合，由于该处所受应力最大，在此分段可有效避免因加热沉积作用导致的变形，从而提高其使用寿命，避免对晶片生长过程产生不良影响；此外，盖片更换时只需局部更换(例如距离注入器较近的下盖片沉积较严重，更换频率比上盖片高)，降低了生产成本。2.上盖片与下盖片边缘分别与大盘边缘、小盘基座边缘及圆形底座边缘配合，且相邻盖片亦相接配合，从而实现了对大盘间隙区域的完全覆盖，保护效果好。3.上盖片和下盖片在相接处形成台阶状配合，进一步提高了配合的紧密度，避免空隙的产生。附图说明图1是本技术的外延炉结构示意图；图2是本技术的盖片结构示意图；图3是本技术的盖片台阶结构示意图。具体实施方式以下结合附图及实施例对本技术作进一步详细说明。本技术的各附图仅为示
意以更容易了解本专利技术，其相对大小比例可依照设计需求进行调整。此外，文中所描述的图形中相对元件的上下关系，在本领域技术人员应能理解是指构件的相对位置而言，因此皆可以翻转而呈现相同的构件，此皆应同属本说明书所揭露的范围。本技术的盖片应用于CVD生长晶片的外延炉中。参考图1，外延炉包括圆形大盘1，大盘1中心为与源气注入器配合的底座11，围绕底座11设有若干用于放置晶片衬底的圆形小盘基座2，相邻小盘基座2的间隙区域设置盖片3。参考图2，盖片3包括上盖片31及下盖片32，其中上盖片31由大盘1边缘延伸至与相邻两小盘基座2的圆心连接线L平齐，下盖片32由相邻两小盘基座2的圆心连接线延伸至大盘1中部圆形底座11边缘，上盖片31与下盖片32相互配合并覆盖大盘1的间隙区域。具体的，上盖片31相对两侧形成与相邻两小盘基座2配合的圆弧31a，上侧形成与大盘1周缘配合的圆弧31b，下侧与下盖片32配合相接。下盖片32上侧与上盖片31配合相接，相对两侧形成与相邻两小盘基座2配合的圆弧32a，下侧形成与圆形底座11周缘配合的圆弧32b，且两侧圆弧32a及下侧圆弧32b分别延伸至邻近小盘基座2与大盘1的圆心连接线K，以与相邻的下盖片配合相接。举例来说，大盘1上围绕中心对称设置有6个小盘基座2，相邻小盘基座2的空隙区域均设置有盖片3，每个下盖片32下侧的圆弧32b中心夹角为60°，相邻盖片3配合相接，从而完全覆盖大盘1的间隙区域。在一实施例中，参考图3，上盖片31和下盖片32于相邻两小盘基座圆心连接线L处形成台阶状配合，从而提高其配合的紧密度，避免产生空隙。在另一实施例中，外延炉用于生产碳化硅晶片，上盖片31和下盖片32均由高纯碳化硅制成。上述实施例仅用来进一步说明本技术的一种外延炉的盖片，但本技术并不局限于实施例，凡是依据本技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均落入本技术技术方案的保护范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种外延炉的盖片，设置于外延炉大盘上相邻小盘基座之间的间隙区域，其特征在于：该盖片包括上盖片及下盖片，所述上盖片由所述大盘边缘延伸至与相邻两小盘基座的圆心连接线平齐，所述下盖片由所述圆心连接线延伸至所述大盘的中部，所述上盖片与下盖片相互配合并覆盖所述间隙区域。

【技术特征摘要】
1.一种外延炉的盖片，设置于外延炉大盘上相邻小盘基座之间的间隙区域，其特征在于：该盖片包括上盖片及下盖片，所述上盖片由所述大盘边缘延伸至与相邻两小盘基座的圆心连接线平齐，所述下盖片由所述圆心连接线延伸至所述大盘的中部，所述上盖片与下盖片相互配合并覆盖所述间隙区域。2.根据权利要求1所述的外延炉的盖片，其特征在于：所述上盖片相对两侧形成与相邻两小盘基座配合的圆弧，上侧形成与所述大盘配合的圆弧。3.根据权利要求1或2所述的外延炉的盖片，其特征在于：所述大盘中部设置有圆形底座，所述下盖片相对两侧形成与相邻...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗金云，冯淦，赵建辉，
申请(专利权)人：瀚天天成电子科技厦门有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35