本发明专利技术公开了一种污水处理保护增强智能加药系统，包括控制芯片U1，正极与控制芯片U1的THRES管脚相连接、负极与控制芯片U1的GND管脚相连接的电容C4，正极与控制芯片U1的CONT管脚相连接、负极与控制芯片U1的GND管脚相连接的电容C5，与控制芯片U1相连接的驱动电路，与控制芯片U1相连接的信号输入电路，与信号输入电路相连接的电源输入电路，同时与控制芯片U1和电源输入电路相连接的芯片二级驱动电路，以及与控制芯片U1相连接的芯片保护电路；其中，控制芯片U1的型号为NE555。本发明专利技术提供一种污水处理保护增强智能加药系统，能够提高产品的使用效果与智能性，无需进行人为的频繁操作，降低了人力资源的损耗，进一步提高了企业的污水处理效果。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于污水处理领域，具体是指一种污水处理保护增强智能加药系统。
技术介绍
随着社会的日益发展，环境的日益恶化，环境保护已经到了刻不容缓的地步了。为了降低对环境的影响，如今的企业均会设置相匹配的污水处理池来处理生产过程中产生的污水。在污水处理的过程中，需要经常向污水处理池中添加药剂来提高污水处理的效果与效率。而为了降低药剂添加的难度，大多数企业选择使用加药装置来实现，其实现的方式为：预先在加药装置中添加需要使用的药剂，再通过加药装置中的药泵定时工作将药剂泵入污水处理池中。但是现有的加药装置的加药模式较为简单，其智能性较差，在实际使用时需要预先设定药剂添加量与添加间隔时间，其工作时将严格按照预设的药剂添加量与添加间隔时间来工作，无法根据具体的污水情况来自行调整药剂的添加量与添加时间，在需要调整药剂添加量与添加时间时，操作人员需要在现场自行对设备进行调整，频繁时甚至需要操作人员每天对设备调整5-7次，大大浪费了人力资源。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述问题，提供一种污水处理保护增强智能加药系统，能够提高产品的使用效果与智能性，无需进行人为的频繁操作，降低了人力资源的损耗，进一步提高了企业的污水处理效果。本专利技术的目的通过下述技术方案实现：污水处理保护增强智能加药系统，包括控制芯片U1，正极与控制芯片U1的THRES管脚相连接、负极与控制芯片U1的GND管脚相连接的电容C4，正极与控制芯片U1的CONT管脚相连接、负极与控制芯片U1的GND管脚相连接的电容C5，与控制芯片U1相连接的驱动电路，与控制芯片U1相连接的信号输入电路，与信号输入电路相连接的电源输入电路，同时与控制芯片U1和电源
输入电路相连接的芯片二级驱动电路，以及与控制芯片U1相连接的芯片保护电路；其中，控制芯片U1的型号为NE555。作为优选，所述电源输入电路由三极管VT1，三极管VT2，一端与三极管VT1的集电极相连接、另一端经电阻R2后与三极管VT2的集电极相连接的电阻R1，P极经电阻R3后与三极管VT2的集电极相连接、N极顺次经电阻R4和电阻R5后与三极管VT2的发射极相连接的二极管D1，与电阻R3并联设置的电容C1，N极与电阻R4和电阻R5的连接点相连接、P极经电阻R6后与三极管VT1的基极相连接的稳压二极管D2，以及与稳压二极管D2并联设置的电容C2组成；其中，三极管VT1的发射极与三极管VT2的基极相连接，稳压二极管D2的P极与电容C4的负极相连接，电阻R1和电阻R2的连接点与三极管VT1的基极组成该电源输入电路的电源输入端。作为优选，所述信号输入电路由负极与电容C4的正极相连接、正极经滑动变阻器RP2后与电容C4的负极相连接的电容C3，一端与电容C3的正极相连接、另一端经电阻R7后与控制芯片U1的TRIG管脚相连接的电阻R8，以及一端同时与控制芯片U1的VCC管脚和RESET管脚相连接、另一端经滑动变阻器RP1后与电阻R7和电阻R8的连接点相连接的电阻R9组成；其中，电容C3的负极同时与控制芯片U1的TRIG管脚和THRES管脚相连接，电阻R9和滑动变阻器RP1的连接点与二极管D1的N极相连接，滑动变阻器RP1的滑动端作为该信号输入电路的信号输入端Vin。作为优选，所述驱动电路由双向晶闸管VS1，药泵M，一端与控制芯片U1的OUT管脚相连接、另一端与双向晶闸管VS1的控制极相连接的电阻R10，以及正极与双向晶闸管VS1的控制极相连接、负极与单行晶闸管VS1的第二电极相连接的电容C6组成；其中，电容C6的负极与电容C5的负极相连接，药泵M的一端与双向晶闸管VS1的第一电极相连接、另一端与电阻R1和电阻R2的连接点相连接。进一步的，所述芯片二级驱动电路由三极管VT3，三极管VT4，一端与三极管VT3的发射极相连接、另一端与三极管VT3的基极相连接的电阻R12，一
端与三极管VT3的基极相连接、另一端经电阻R13后与三极管VT3的基极相连接的电阻R11，正极与三极管VT3的基极相连接、负极与三极管VT4的集电极相连接的电容C7，一端与三极管VT3的集电极相连接、另一端与三极管VT4的基极相连接的电阻R14，N极与三极管VT3的基极相连接、P极经二极管D4后与电阻R11和电阻R13的连接点相连接的二极管D3，正极与二极管D4的P极相连接、负极经电阻R15后与二极管D4的N极相连接的电容C8，一端与三极管VT3的发射极相连接、另一端与电容C7的负极相连接的电感L1，以及P极与电容C7的负极相连接、N极经电阻R16后与电容C8的负极相连接的二极管D5组成；其中，二极管D4的N极与二极管D3的P极相连接，三极管VT3的基极作为该芯片二级驱动电路的输入端，三极管VT4的发射极作为该芯片二级驱动电路的输出端，三极管VT3的基极与电阻R1和电阻R2的连接点相连接，三极管VT4的发射极与控制芯片U1的VCC管脚相连接。再进一步的，所述芯片保护电路由MOS管Q1，三极管VT5，正极经电阻R23后与三极管VT5的基极相连接、负极与三极管VT5的发射极相连接的电容C10，一端与电容C10的正极相连接、另一端经电阻R24后与C10的负极相连接的滑动变阻器RP3，一端与电容C10的正极相连接、另一端顺次经电阻R18和电阻R19后接地的电阻R17，一端与电阻R17和电阻R18的连接点相连接、另一端与MOS管Q1的漏极相连接的电阻R20，正极与MOS管Q1的漏极相连接、负极经电阻R21后与电阻R18和电阻R19的连接点相连接的电容C9，一端与电容C9的负极相连接、另一端与三极管VT5的集电极相连接的电阻R22，P极与电容C9的负极相连接、N极与MOS管Q1的栅极相连接的二极管D5，一端与二极管D5的N极相连接、另一端与三极管VT5的发射极相连接的电阻R25，以及一端与MOS管Q1的源极相连接、另一端与三极管VT5的集电极相连接的电阻R26组成；其中，三极管VT5的发射极接地，电阻R17和电阻R18的连接点作为该芯片保护电路的输入端，MOS管Q1的源极作为该芯片保护电路的输出端，电阻R17和电阻R18的连接点与控制芯片U1的VCC管脚相连接，MOS管Q1的源极与控制芯片U1的GND管脚相连接。本专利技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：本专利技术能够提升产品的智能性，使得产品能够根据具体的监测数据调整加药装置的工作强度，从而很好的克服了现有技术无法根据具体需求添加药量的缺陷，使得工作人员无需频繁的调整加药装置，大大提高了产品的使用效果，根据药液的储存容量，工作人员7-15天才需去添加一次药剂，大大节省了企业的人力成本；通过设置芯片二级驱动电路，能够在电源波动时对芯片U1进行补偿供电，使得芯片U1能够保持正常的运行与使用，提高了系统的运行稳定性，其使用效果提升了20％；本专利技术设置有芯片保护电路，能够在电源波动较大时保护控制芯片，避免控制芯片被电源损坏，提高控制芯片的使用寿命，从而提升产品的使用效果，使得该控制芯片能够延长使用3-5年。附图说明图1为本专利技术的智能加药系统的电路结构图。图2为本专利技术的芯片二级驱动电路的电路结构图。图3为本专利技术的芯片保护电路的电路结构图。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步的详细说明，但本专利技术的实施本文档来自技高网...
【技术保护点】
污水处理保护增强智能加药系统，其特征在于：包括控制芯片U1，正极与控制芯片U1的THRES管脚相连接、负极与控制芯片U1的GND管脚相连接的电容C4，正极与控制芯片U1的CONT管脚相连接、负极与控制芯片U1的GND管脚相连接的电容C5，与控制芯片U1相连接的驱动电路，与控制芯片U1相连接的信号输入电路，与信号输入电路相连接的电源输入电路，同时与控制芯片U1和电源输入电路相连接的芯片二级驱动电路，以及与控制芯片U1相连接的芯片保护电路；其中，控制芯片U1的型号为NE555。
【技术特征摘要】
1.污水处理保护增强智能加药系统，其特征在于：包括控制芯片U1，正极与控制芯片U1的THRES管脚相连接、负极与控制芯片U1的GND管脚相连接的电容C4，正极与控制芯片U1的CONT管脚相连接、负极与控制芯片U1的GND管脚相连接的电容C5，与控制芯片U1相连接的驱动电路，与控制芯片U1相连接的信号输入电路，与信号输入电路相连接的电源输入电路，同时与控制芯片U1和电源输入电路相连接的芯片二级驱动电路，以及与控制芯片U1相连接的芯片保护电路；其中，控制芯片U1的型号为NE555。2.根据权利要求1所述的污水处理保护增强智能加药系统，其特征在于：所述芯片二级驱动电路由三极管VT3，三极管VT4，一端与三极管VT3的发射极相连接、另一端与三极管VT3的基极相连接的电阻R12，一端与三极管VT3的基极相连接、另一端经电阻R13后与三极管VT3的基极相连接的电阻R11，正极与三极管VT3的基极相连接、负极与三极管VT4的集电极相连接的电容C7，一端与三极管VT3的集电极相连接、另一端与三极管VT4的基极相连接的电阻R14，N极与三极管VT3的基极相连接、P极经二极管D4后与电阻R11和电阻R13的连接点相连接的二极管D3，正极与二极管D4的P极相连接、负极经电阻R15后与二极管D4的N极相连接的电容C8，一端与三极管VT3的发射极相连接、另一端与电容C7的负极相连接的电感L1，以及P极与电容C7的负极相连接、N极经电阻R16后与电容C8的负极相连接的二极管D5组成；其中，二极管D4的N极与二极管D3的P极相连接，三极管VT3的基极作为该芯片二级驱动电路的输入端，三极管VT4的发射极作为该芯片二级驱动电路的输出端。3.根据权利要求2所述的污水处理保护增强智能加药系统，其特征在于：所述芯片保护电路由MOS管Q1，三极管VT5，正极经电阻R23后与三极管VT5的基极相连接、负极与三极管VT5的发射极相连接的电容C10，一端与电容C10的正极相连接、另一端经电阻R24后与C10的负极相连接的滑动变阻器RP3，一端与电容C10的正极相连接、另一端顺次经电阻R18和电阻R19后接地的电阻R17，一端与电阻R17和电阻R18的连接点相连接、另一端与MOS管Q1的
\t漏极相连接的电阻R20，正极与MOS管Q1的漏极相连接、负极经电阻R21后与电阻R18和电阻R19的连接点相连接的电容C9，一端与电容C9的负极相连接、另一端与三极管VT5的集电极相连接的电阻R22，P极与电容C9的负极相连接、N极与MOS管Q1的栅极相连接的二极管D5，一端与二极管D5的N极相连接、另一端与三极管VT5的发射极相连接的电...
【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：成都奥卡卡科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51
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