振荡器、电子设备以及移动体制造技术

技术编号:13840778 阅读:58 留言:0更新日期:2016-10-16 09:02
本发明专利技术提供一种振荡器、电子设备以及移动体,所述振荡器能够减小由周围温度的变化所引起的基准电压生成电路的输出电压的变动。所述振荡器包括:振动片;容器,其对振动片进行收纳;发热体以及冷却体中的至少一方,其对容器的内部的温度进行控制;振荡电路,其与振动片电连接;D/A转换电路,其对振荡电路输出的频率进行控制;基准电压生成电路,其向D/A转换电路供给电压,基准电压生成电路被配置在容器的内部或搭载有容器的基板上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种振荡器、电子设备以及移动体。技术背景通信设备或测量仪器等的基准的频率信号源所使用的水晶振荡器,要求输出频率相对于温度变化而以较高的精度处于稳定。一般情况下,在水晶振荡器之中作为能够获得极高的频率稳定度的水晶振荡器,已知一种恒温槽型水晶振荡器(OCXO:Oven Controlled Crystal Oscillator)。而且,近年来,温度补偿型水晶振荡器(TCXO:Temperature Compensated Crystal Oscillator)的特性提升也较为显著,并且接近OCXO的频率精度、频率稳定度的TCXO也不断地被开发出。这样的高精度的振荡器例如被用于移动电话的基站等中,从而存在要求能够通过数字控制而对频率进行控制的情况。在专利文献1中公开了一种如下的压电振荡器,所述压电振荡器具有D/A转换器、振子、振荡电路,并通过使针对D/A转换器的输入信号发生变化,从而使从振荡器被输出的频率可变。然而,在专利文献1所记载的振荡器中,存在如下问题,即,向D/A转换器供给电压的基准电压生成电路的输出电压会因振荡器的周围温度(外部的温度)的变化而发生变动的问题。图77为表示构成基准电压生成电路的稳压器的温度特性(输出电压与温度的关系)的一个示例的曲线图。如图77所示,稳压器的输出电压因其温度而大幅度地变动。在上述那样的振荡器中,当基准电压生成电路的温度根据振荡器的周围温度的变化而发生变化,从而使基准电压生成电路的输出电压大辐度地变动时,即使被输入至D/A转换器的DAC控制码(数字数据)相同,D/A转换器的输出电压也会发生变动,作为结果,会使振荡器所输出的频率发生变动。专利文献1:日本特开2011-101212号公报
技术实现思路
本专利技术的若干方式所涉及的目的之一在于提供一种能够减小由周围温度的变化所引起的基准电压生成电路的输出电压的变动的振荡器。此外,本专利技术的若干方式所涉及的目的之一在于提供一种包括上述振荡器的电子设备以及移动体。本专利技术是为了解决前述的问题的至少一部分而被完成的专利技术,并能够以下述的方式或应用例来实现。应用例1本应用例所涉及的振荡器包括:振动片;容器,其对所述振动片进行收纳;发热体以及冷却体中的至少一方,其对所述容器的内部的温度进行控制;振荡电路,其与所述振动片电连接;D/A转换电路,其对所述振荡电路输出的频率进行控制;基准电压生成电路,其向所述D/A转换电路供给电压,所述基准电压生成电路被收纳在所述容器的内部。振荡电路例如可以为皮尔斯(Pierce)振荡电路、逆变器型振荡电路、考毕兹(Colpitts)振荡电路、哈特利(Hartley)振荡电路等各种振荡电路中的一部分或全部。在这样的振荡器中,由于基准电压生成电路被收纳在容器的内部,因此例如与基准电压生成电路被配置在容器的外部的情况相比,由振荡器的周围温度的变化所引起的基准电压生成电路的温度变化较小。因此,根据这样的振荡器,能够减小由周围温度的变化所引起的基准电压生成电路的输出电压的变动。由此,能够减小由基准电压生成电路的输出电压的变动所引起的D/A转换电路的输出电压的变动,从而能够提高振荡器的频率(输出频率)的稳定性。应用例2本应用例所涉及的振荡器包括:振动片;容器,其对所述振动片进行收纳;发热体以及冷却体中的至少一方,其对所述容器的内部的温度进行控制;第一基板,其上隔着第一支承体而搭载有所述容器;第二基板,其上隔着第二支承体而搭载有所述第一基板;振荡电路,其与所述振动片电连接;D/A转换电路,其对所述振荡电路输出的频率进行控制;基准电压生成电路,其向所述D/A转换电路供给电压,所述基准电压生成电路被搭载于所述第一基板上。振荡电路例如可以为皮尔斯振荡电路、逆变器型振荡电路、考毕兹振荡电路、哈特利振荡电路等各种振荡电路中的一部分或全部。在这样的振荡器中,由于基准电压生成电路被搭载于第一基板上,因此例如与基准电压生成电路被搭载于第二基板上的情况相比,由振荡器的周围温度的变化所引起的基准电压生成电路的温度变化较小。因此,根据这样的振荡器,能够减小由周围温度的变化所引起的基准电压生成电路的输出电压的变动。由此,能够减小由基准电压生成电路的输出电压的变动所引起的D/A转换电路的输出电压的变动,从而能够提高振荡器的频率(输出频率)的稳定性。应用例3本应用例所涉及的振荡器包括:振动片;容器,其对所述振动片进行收纳;第一基板,其上搭载有所述容器;发热体以及冷却体中的至少一方,其被配置在所述第一基板上,且对所述容器的内部的温度进行控制;第二基板,其上隔着支承体而搭载有所述第一基板;振荡电路,其与所述振动片电连接;D/A转换电路,其对所述振荡电路输出的频率进行控制;基准电压生成电路,其向所述D/A转换电路供给电压,所述基准电压生成电路被搭载于所述第一基板上。振荡电路例如可以为皮尔斯振荡电路、逆变器型振荡电路、考毕兹振荡电路、哈特利振荡电路等各种振荡电路中的一部分或全部。在这样的振荡器中,由于基准电压生成电路被搭载于,搭载有发热体以及冷却体中的至少一方的第一基板上,因此例如与基准电压生成电路被搭载于第二基板上的情况相比,由振荡器的周围温度的变化所引起的基准电压生成电路的温度变化较小。因此,根据这样的振荡器,能够减小由周围温度的变化所引起的基准电压生成电路的输出电压的变动。由此,能够减小由基准电压生成电路的输出电压的变动所引起的D/A转换电路的输出电压的变动,从而能够提高振荡器的频率(输出频率)的稳定性。而且,在这样的振荡器中,由于容器被搭载于第一基板上,因此例如与容器隔着支承体而被搭载于第一基板上的情况相比,能够高效地利用发热体以及冷却体中的至少一方来对容器进行加热或冷却。因此,在这样的振荡器中,能够实现低功耗。应用例4在上述应用例2所涉及的振荡器中,也可以采用如下方式,即,所述发热体以及所述冷却体中的至少一方被配置在与所述第一基板相对置的所述容器的外表面上。在这样的振荡器中,能够使发热体以及冷却体中的至少一方与基准电压生成电路接近。而且,在发热体被配置在容器的外表面上的情况下,能够通过从发热体辐射出的辐射热来对基准电压生成电路进行加热。由此,能够进一步减小由振荡器的周围温度的变化所引起的基准电压生成电路的温度变化,从而能够减小由周围温度的变化所引起的基准电压生成电路的输出电压的变动。应用例5在上述应用例1所涉及的振荡器中,也可以采用如下方式,即,所述发热体为加热器。在这样的振荡器中,能够减小由周围温度的变化所引起的基准电压生成电路的输出电压的变动。应用例6在上述应用例1所涉及的振荡器中,也可以采用如下方式,即,所述冷却体为珀耳帖元件。在这样的振荡器中,能够减小由周围温度的变化所引起的基准电压生成电路的输出电压的变动。应用例7在上述应用例1所涉及的振荡器中,也可以采用如下方式,即,所述振荡电路包括由半导体元件构成的振荡用电路、电子部件,所述半导体元件被收纳在所述容器的内部。在这样的振荡器中,由于基准电压生成电路以及振荡用电路被收纳在容器的内部,因此例如与基准电压生成电路以及振荡用电路被配置在容器的外部的情况相比,由振荡器的周围温度的变化所引起的基准电压生成电路的温度变化以及振荡用电路的温度变化较小。因本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种振荡器,包括:振动片;容器,其对所述振动片进行收纳;发热体以及冷却体中的至少一方,其对所述容器的内部的温度进行控制;振荡电路,其与所述振动片电连接;D/A转换电路,其对所述振荡电路输出的频率进行控制;基准电压生成电路,其向所述D/A转换电路供给电压,所述基准电压生成电路通过所述发热体以及所述冷却体中的至少一方而对温度进行控制。

【技术特征摘要】
2015.03.27 JP 2015-066968;2015.03.27 JP 2015-067451.一种振荡器,包括:振动片;容器,其对所述振动片进行收纳;发热体以及冷却体中的至少一方,其对所述容器的内部的温度进行控制;振荡电路,其与所述振动片电连接;D/A转换电路,其对所述振荡电路输出的频率进行控制;基准电压生成电路,其向所述D/A转换电路供给电压,所述基准电压生成电路通过所述发热体以及所述冷却体中的至少一方而对温度进行控制。2.如权利要求1所述的振荡器,其中,所述基准电压生成电路被收纳在所述容器的内部。3.如权利要求1所述的振荡器,其中,包括:第一基板,其上隔着第一支承体而搭载有所述容器;第二基板,其上隔着第二支承体而搭载有所述第一基板;所述基准电压生成电路被搭载于所述第一基板上。4.如权利要求1所述的振荡器,其中,包括:第一基板,其上搭载有所述容器;第二基板,其上隔着支承体而搭载有所述第一基板;所述发热体以及所述冷却体中的至少一方被配置在所述第一基板上,所述基准电压生成电路被搭载于所述第一基板上。5.如权利要求3所述的振荡器,其中,所述发热体以及所述冷却体中的至少一方被配置在与所述第一基板相对置的所述容器的外表面上。6.如权利要求1所述的振荡器,其中,所述发热体为加热器。7.如权利要求1所述的振荡...

【专利技术属性】
技术研发人员:大久保正明
申请(专利权)人:精工爱普生株式会社
类型:发明
国别省市:日本;JP

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