一种等离子处理装置，对保持于输送载体的基板进行等离子处理，输送载体具备保持片和配置在保持片的外周部的框架，基板保持于保持片，等离子处理装置具备：反应室；配置在反应室的内部，搭载输送载体的工作台；具备设置在工作台内部的电极部的静电吸附机构；在工作台上的搭载位置与从工作台向上方脱离的交接位置之间支撑输送载体的支撑部；和使支撑部相对于工作台升降的升降机构，1)使支撑部下降将输送载体搭载于工作台时，保持片的外周部与工作台接触前，静电吸附机构开始向电极部施加电压，或2)电极部具备配置为同心圆状的多个环形电极，在使支撑部下降将输送载体搭载于工作台时，静电吸附机构从多个环形电极的中心侧依次向外周侧施加电压。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及等离子处理装置以及等离子处理方法，进一步详细地，涉及对被保持于输送载体的基板进行处理的等离子处理装置以及等离子处理方法。
技术介绍
作为切割基板的方法，已知对形成有抗蚀掩模的基板实施等离子蚀刻来切割为各个芯片的等离子切割。专利文献1教导了为了输送等中基板的良好操作性提高，在将基板粘贴于具备框架和覆盖其开口部的保持片的输送载体的状态下，搭载于等离子处理工作台(以下，简称为工作台)，进行等离子处理。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-94436号公报在使基板保持在输送载体的状态下搭载于工作台并进行等离子处理的情况下，通常通过被称为静电卡盘的静电吸附机构，使输送载体吸附于工作台。静电吸附机构向被配置在工作台的内部的静电吸附(ElectrostaticChuck)用电极(以下，称为ESC电极)施加电压，通过在ESC电极与输送载体之间起作用的库伦力、约翰森·拉别克力，使输送载体吸附于工作台。工作台被冷却。通过在使输送载体吸附于被冷却了的工作台的状态下进行等离子处理，能够有效地冷却等离子处理中的输送载体。近年来，电子设备正在小型化以及薄型化，搭载于电子设备的IC芯片等的厚度变小。伴随于此，用于形成作为切割对象的IC芯片等的基板的厚度也变小，基板容易变弯曲。此外，保持基板的保持片的厚度也小，容易弯曲。由此，存在保持基
板的输送载体会在保持片中有褶皱的状态下被载置于工作台的情况。即使通过静电吸附机构来使输送载体吸附于工作台，褶皱也不被消除。若在保持片中残留有褶皱的状态下进行等离子处理，则在褶皱的部分会产生异常放电或者使褶皱部分的温度上升，难以正常进行等离子处理。
技术实现思路
本专利技术的一方面涉及对被保持在输送载体的基板进行等离子处理的等离子处理装置。输送载体具备保持片和被配置在保持片的外周部的框架，基板被保持于保持片。等离子处理装置具备：反应室；工作台，其被配置在反应室的内部，用于搭载输送载体；静电吸附机构，其具备被设置在工作台内部的电极部；支撑部，其在工作台上的搭载位置与从工作台向上方脱离的交接位置之间支撑输送载体；和升降机构，其使支撑部相对于工作台升降，在使支撑部下降来将输送载体搭载于工作台的情况下，在保持片的外周部与工作台接触之前，静电吸附机构开始向电极部施加电压。本专利技术的另一方面涉及将保持有基板的输送载体搭载于等离子处理装置所具备的工作台，对基板进行等离子处理的等离子处理方法。输送载体具备保持片和被配置在保持片的外周部的框架，基板被保持于保持片。等离子处理方法包括：在从工作台向上方脱离的交接位置，使相对于工作台能够升降的支撑部支撑输送载体的工序；使支撑部下降，将输送载体搭载于工作台上的搭载位置的工序；和向被设置在工作台的内部的静电吸附机构的电极部施加电压的工序，在保持片的外周部与工作台接触之前，开始向电极部施加电压。本专利技术的另一方面涉及对被保持于输送载体的基板进行等离子处理的等离子处理装置。输送载体具备保持片和被配置在保持片的外周部的框架，基板被保持于保持片。等离子处理装置具备：反应室；工作台，其被配置在反应室的内部，用于搭载输送载体；静电吸附机构，其具备被设置在工作台内部的电极部；支撑部，其在工作台上的搭载位置与从工作台向上方脱离的交接位置之间支撑输送载体；和升降机构，其使支撑部相对于工作台升降。此时，电极部具备被配置为同心圆状的多个环形电极。在使支撑部下降而将输送载体搭载于工作台的情况下，静电吸附机构从多个环
形电极的中心侧依次向外周侧施加电压。本专利技术的另一方面涉及将保持有基板的输送载体搭载于等离子处理装置所具备的工作台，对基板进行等离子处理的等离子处理方法。输送载体具备保持片和被配置在保持片的外周部的框架，基板被保持于保持片。等离子处理方法包括：在从工作台向上方脱离的交接位置，使相对于工作台能够升降的支撑部支撑输送载体的工序；使支撑部下降，将输送载体搭载于工作台上的搭载位置的工序；和向被设置在工作台的内部的静电吸附机构的电极部施加电压的工序。此时，电极部具备被配置为同心圆状的多个环形电极，静电吸附机构从多个环形电极的中心侧依次向外周侧施加电压。根据本专利技术，在对被保持于输送载体的基板进行等离子处理时，产品的成品率提高。附图说明图1是示意性地表示保持本专利技术的实施方式所涉及的基板的输送载体的俯视图(a)及其B-B线处的截面图(b)。图2是本专利技术的第1～第3实施方式所涉及的等离子处理装置的示意图。图3是表示本专利技术的第1～第3实施方式所涉及的ESC电极与直流电源的关系的示意图。图4是以本专利技术的第1实施方式所涉及的支撑部开始下降起的时间为横轴，以施加到ESC电极的电压为纵轴的示意性的图表。图5是表示本专利技术的第1实施方式所涉及的保持片的弯曲的说明图。图6是表示从本专利技术的第1实施方式所涉及的支撑部开始下降起到输送载体被搭载于工作台为止的情形的示意图((a)～(d))。图7是表示本专利技术的第1实施方式所涉及的等离子处理装置的动作的一部分的示意图((a)～(e))。图8是以从本专利技术的第1实施方式所涉及的第1高频电源向天线投入电力起的时间为横轴，并以施加到ESC电极的电压为纵轴的示意性的图表((a)以及(b))、和以同样的时间为横轴，并以投入到天线的电力为
纵轴的示意性的图表(c)。图9是以本专利技术的第2实施方式所涉及的支撑部开始下降起的时间为横轴，以施加到ESC电极的电压为纵轴的示意性的图表。图10是以本专利技术的第3实施方式所涉及的支撑部开始下降起的时间为横轴，以施加到ESC电极的电压为纵轴的示意性的图表。图11A是表示本专利技术的第4、5实施方式所涉及的环形电极与直流电源的关系的示意图。图11B是表示本专利技术的第4、5实施方式的变形例所涉及的环形电极与输送载体的位置关系(a)以及环形电极与直流电源的关系(b)的示意图。图11C是表示本专利技术的第4、5实施方式的另一变形例所涉及的环形电极与输送载体的位置关系(a)以及环形电极与直流电源的关系(b)的示意图。图12是以本专利技术的第4实施方式所涉及的支撑部开始下降起的时间为横轴，以施加到各环形电极的电压为纵轴的示意性的图表((a)～(c))。图13是表示本专利技术的第4实施方式所涉及的等离子处理装置的动作的一部分的示意图((a)～(e))。图14A是以本专利技术的第5实施方式所涉及的支撑部开始下降起的时间为横轴，以施加到各环形电极的电压为纵轴的示意性的图表((a)～(c))(图案A)。图14B是以本专利技术的第5实施方式所涉及的支撑部开始下降起的时间为横轴，以施加到各环形电极的电压为纵轴的示意性的图表((a)～(c))(图案B)。图15是表示从本专利技术的第5实施方式所涉及的支撑部开始下降起到输送载体被搭载于工作台为止的情形的示意图((a)～(d))。-符号说明-1：基板，2：框架，2a：槽口，2b：切角，3：保持片，3a：粘接面，3b：非粘接面，3c：外周部，10：输送载体，100：等离子处理装置，103：真空腔，103a：气体导入口，103b：排气口，108：电介质部件，109：天线(等离子源)，110A：第1高频电源，110B：第2高频电源，111：工
作台，112：工艺气体源(气体提供手段)，113：灰化气体源，114：减压机本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种等离子处理装置，对被保持于输送载体的基板进行等离子处理，所述输送载体具备保持片和被配置在所述保持片的外周部的框架，所述基板被保持于所述保持片，所述等离子处理装置具备：反应室；工作台，其被配置在所述反应室的内部，用于搭载所述输送载体；静电吸附机构，其具备被设置在所述工作台内部的电极部；支撑部，其在所述工作台上的搭载位置与从所述工作台向上方脱离的交接位置之间支撑所述输送载体；和升降机构，其使所述支撑部相对于所述工作台升降，在使所述支撑部下降来将所述输送载体搭载于所述工作台的情况下，在所述保持片的所述外周部与所述工作台接触之前，所述静电吸附机构开始向所述电极部施加电压。
【技术特征摘要】
2015.03.31 JP 2015-073376;2015.03.31 JP 2015-073511.一种等离子处理装置，对被保持于输送载体的基板进行等离子处理，所述输送载体具备保持片和被配置在所述保持片的外周部的框架，所述基板被保持于所述保持片，所述等离子处理装置具备：反应室；工作台，其被配置在所述反应室的内部，用于搭载所述输送载体；静电吸附机构，其具备被设置在所述工作台内部的电极部；支撑部，其在所述工作台上的搭载位置与从所述工作台向上方脱离的交接位置之间支撑所述输送载体；和升降机构，其使所述支撑部相对于所述工作台升降，在使所述支撑部下降来将所述输送载体搭载于所述工作台的情况下，在所述保持片的所述外周部与所述工作台接触之前，所述静电吸附机构开始向所述电极部施加电压。2.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，在所述保持片与所述工作台接触之前，所述静电吸附机构开始向所述电极部施加电压。3.根据权利要求1所述的等离子处理装置，其中，在所述保持片与所述工作台接触之后、所述外周部与所述工作台接触之前，所述静电吸附机构开始向所述电极部施加电压。4.根据权利要求1～3的任意一项所述的等离子处理装置，其中，所述静电吸附机构随着所述支撑部的下降而增大向所述电极部施加的电压的绝对值。5.一种等离子处理方法，将保持有基板的输送载体搭载于等离子处理装置所具备的工作台，对所述基板进行等离子处理，所述输送载体具备保持片和被配置在所述保持片的外周部的框架，所述基板被保持于所述保持片，所述等离子处理方法包括：在从所述工作台向上方脱离的交接位置，使相对于所述工作台能够升降的支撑部支撑所述输送载体的工序；使所述支撑部下降，将所述输送载体搭载于所述工作台上的搭载位置的工序；和向被设置在所述工作台的内部的静电吸附机构的电极部施加电压的工序，在所述保持片的所述外周部与所述工作台接触之前，开始向所述电极部施加电压。6.根据权利要求5所述的等离子处理方法，其中，在所述保持片与所述工作台接触之前，开始向所述电极部施加电压。7.根据权利要求5所述的等离子处理方法，其中，在所述保持片与所述工作台接触之后、所述外周部...
【专利技术属性】
技术研发人员：置田尚吾，针贝笃史，松原功幸，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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