半导体装置制造方法及图纸

提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个有源图案，从基底突出；栅极结构，与多个有源图案交叉；多个源区/漏区，分别在栅极结构的相对的侧面处的多个有源图案上；源/漏接触件，与多个有源图案交叉，每个源/漏接触件共同连接到源/漏接触件下方的源区/漏区，多个源区/漏区中的每个包括第一部分和第二部分，第一部分与多个源区/漏区下方的有源图案的顶表面接触，第一部分的宽度随着距基底的距离增大而增大，第二部分从第一部分延伸，第二部分的宽度随着距基底的距离增大而减小，源/漏接触件的底表面比第一部分与第二部分之间的界面低。

【技术实现步骤摘要】
于2015年3月27日提交到韩国知识产权局的标题为“Semiconductor Device”(半导体装置)的第10-2015-0043085号韩国专利申请通过引用全部包含于此。
实施例涉及一种半导体装置，具体来讲，涉及一种包括鳍式场效应晶体管的半导体装置。
技术介绍
半导体装置可以包括具有金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的集成电路。因为已经减小了半导体装置的尺寸以及已经减少了设计规则，所以也已经按比例缩小了MOSFET的尺寸。由于MOSFET的缩小而可能劣化半导体装置的操作特性。因此，正在展开对于能够克服由高集成密度引起的局限及能够改善性能的半导体装置的各种研究。
技术实现思路
实施例提供了能够优化电特性并且提高可靠性的一种存储装置。一方面，半导体装置可以包括：多个有源图案，从基底突出；栅极结构，与多个有源图案交叉；多个源区/漏区，分别在栅极结构的相对的侧面处的多个有源图案上；源/漏接触件，与多个有源图案交叉。每个源/漏接触件可以共同连接到其下方的源区/漏区。多个源区/漏区中的每个可以包括第一部分和第二部分，第一部分与其下方的有源图案的顶表面接触，并且具有随着距基底的距离增大而基本增大的宽度，第二部分从第一部分延伸，并且具有随着距基底的距离增大而基本减小的宽度。源/漏接触件的底表面可以比第一部分与第二部分之间的界面低。在实施例中，源/漏接触件的底表面可以比多个有源图案的顶表面高。在实施例中，源/漏接触件的底表面可以是与基底的顶表面基本平行的平
坦表面。在实施例中，源/漏接触件的底表面可以包括不平坦且弯曲的表面。在实施例中，多个有源图案可以以基本相等的距离彼此分隔开。在实施例中，每个源区/漏区还可以包括设置在比多个有源图案的顶表面低的水平面处的第三部分，第三部分可以与设置在每个源区/漏区下方的有源图案的侧壁接触。第三部分的最低端可以与有源图案的侧壁分隔开。在实施例中，源区/漏区可以包括晶格常数基本等于或小于基底的晶格常数的材料。在实施例中，源区/漏区可以包括晶格常数比基底的晶格常数大的材料。在实施例中，半导体装置还可以包括设置在基底上以部分地覆盖多个有源图案的侧壁的装置隔离图案。装置隔离图案可以包括第一区和第二区，第二区在栅极结构下方，第二区在栅极结构的两侧。至少一个第二区可以包括具有比第一区的顶表面低的底表面的多个凹陷区。在实施例中，多个凹陷区可以包括第一凹陷区和第二凹陷区，第一凹陷区在多个有源图案之间，第二凹陷区在多个有源图案的两侧处。第一凹陷区的底表面可以比第二凹陷区的底表面高。在实施例中，第一凹陷区的底表面可以设置在基本相同的高度处。在实施例中，第一凹陷区可以包括空气隙。在实施例中，源/漏接触件中的至少一个可以包括延伸到空气隙中的延伸部分。在实施例中，半导体装置还可以包括接触蚀刻停止层，接触蚀刻停止层覆盖第一凹陷区和第二凹陷区的内表面并延伸到多个源区/漏区和栅极结构的侧壁上。接触蚀刻停止层可以限定空气隙。在实施例中，栅极结构可以包括栅电极和栅极介电图案，栅电极与多个有源图案交叉，栅极介电图案设置在栅电极与多个有源图案之间。栅极介电图案可以包括第一子栅极介电图案和第二子栅极介电图案，第二子栅极介电图案的介电常数比第一子栅极介电图案的介电常数大。在另一方面，半导体装置可以包括：基底，包括彼此不同的第一区和第二区；多个第一有源图案，从第一区的基底突出并且以相等的距离彼此分隔开；多个第二有源图案，从第二区的基底突出并且以不同的距离彼此分隔开；第一栅极结构，与多个第一有源图案交叉；第二栅极结构，与多个第二有源
图案交叉；多个第一源区/漏区，分别设置在第一栅极结构的一侧处的多个第一有源图案上；多个第二源区/漏区，分别设置在第二栅极结构的一侧处设置的多个第二有源图案上；第一源/漏接触件，与多个第一有源图案交叉并且共同连接到多个第一源区/漏区；第二源/漏接触件，与多个第二有源图案交叉并且共同连接到多个第二源区/漏区。第一源/漏接触件的顶表面可以比第二源/漏接触件的顶表面低。在实施例中，第一源/漏接触件的底表面可以是与基底的顶表面基本平行的平坦表面。在实施例中，第二源/漏接触件的底表面可以包括多个平坦表面和多个倾斜表面。在实施例中，第一源/漏接触件的底表面可以比多个平坦表面的最上面的平坦表面低。在实施例中，第一栅极结构可以包括第一栅电极和第一栅极介电图案，第一栅电极与多个第一有源图案交叉；第一栅极介电图案设置在第一栅电极与多个第一有源图案之间。第二栅极结构可以包括第二栅电极和第二栅极介电图案，第二栅电极与多个第二有源图案交叉，第二栅极介电图案设置在第二栅电极与多个第二有源图案之间。第一栅电极的顶表面可以比第二栅电极的顶表面低。在实施例中，第一栅电极的宽度可以比第二栅电极的宽度大。在实施例中，第一栅极介电图案可以包括第一子栅极介电图案和第二子栅极介电图案，第二子栅极介电图案的介电常数比第一子栅极介电图案的介电常数大。在实施例中，第二栅极介电图案可以包括与第二子栅极介电图案的材料相同的材料。在实施例中，多个第一源区/漏区中的每个可以包括第一部分和第二部分，第一部分与设置在其下方的第一有源图案的顶表面接触，并且具有随着距基底的距离增大而基本增大的宽度，第二部分从第一部分延伸，并且具有随着距基底的距离增大而基本减小的宽度。第一源/漏接触件的底表面可以比第一部分与第二部分之间的界面低。在实施例中，第一源/漏接触件的底表面可以比多个第一有源图案的顶表面高。在实施例中，多个第一源区/漏区中的每个还可以包括设置在比多个第一有源图案的顶表面低的水平面处的第三部分。第三部分可以与设置在每个第一源区/漏区下方的第一有源图案的侧壁接触。第三部分的最下端可以与第一有源图案的侧壁分隔开。在实施例中，第一源区/漏区可以包括晶格常数基本等于或者小于基底的晶格常数的材料。在实施例中，第一源区/漏区可以包括晶格常数大于基底的晶格常数的材料。在实施例中，多个第二有源图案包括一对第一子有源图案和第二子有源图案，所述一对第一子有源图案彼此分隔开第一距离，第二子有源图案与所述一对第一子有源图案中的一个分隔开比第一距离大的第二距离。多个第二源区/漏区可以包括分别设置在所述一对第一子有源图案和第二子有源图案上的第一子源区/漏区、第二子源区/漏区和第三子源区/漏区。第一子源区/漏区和第二子源区/漏区的导电类型可以与第三子源区/漏区的导电类型不同。在实施例中，第二源/漏接触件可以包括延伸到第二子有源图案和与第二子有源图案相邻的第一子有源图案之间的延伸部分。在另一个实施例中，半导体装置可以包括：多个有源图案，从基底突出；栅极结构，与多个有源图案交叉；多个源区/漏区，分别在栅极结构的相对的侧面处的多个有源图案上；源/漏接触件，与多个有源图案交叉，每个源/漏接触件共同连接到其下方的源区/漏区，其中，多个源区/漏区中的每个包括具有三角形剖面的至少一个侧壁，三角形剖面具有远离对应的源/漏接触件的侧壁延伸的尖锐边缘，其中，基底的底部与源/漏接触件的对应的最下面的表面之间的距离比基底的底部与对应的尖锐边缘之间的相应距离小。多个源区/漏区中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个有源图案，从基底突出；栅极结构，与所述多个有源图案交叉；多个源区/漏区，分别在栅极结构的相对的侧面处的所述多个有源图案上；源/漏接触件，与所述多个有源图案交叉，每个源/漏接触件共同连接到其下方的源区/漏区，其中，所述多个源区/漏区中的每个包括：第一部分，与其下方的有源图案的顶表面接触，第一部分的宽度随着距基底的距离增大而增大，第二部分，从第一部分延伸，第二部分的宽度随着距基底的距离增大而减小，其中，源/漏接触件的底表面比第一部分与第二部分之间的界面低。

【技术特征摘要】
2015.03.27 KR 10-2015-00430851.一种半导体装置，所述半导体装置包括：多个有源图案，从基底突出；栅极结构，与所述多个有源图案交叉；多个源区/漏区，分别在栅极结构的相对的侧面处的所述多个有源图案上；源/漏接触件，与所述多个有源图案交叉，每个源/漏接触件共同连接到其下方的源区/漏区，其中，所述多个源区/漏区中的每个包括：第一部分，与其下方的有源图案的顶表面接触，第一部分的宽度随着距基底的距离增大而增大，第二部分，从第一部分延伸，第二部分的宽度随着距基底的距离增大而减小，其中，源/漏接触件的底表面比第一部分与第二部分之间的界面低。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，源/漏接触件的底表面比所述多个有源图案的顶表面高。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，源/漏接触件的底表面是与基底的顶表面平行的平坦表面。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，源/漏接触件的底表面包括不平坦且弯曲的表面。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，每个源区/漏区还包括位于比所述多个有源图案的顶表面低的水平面处的第三部分，第三部分与每个源区/漏区下方的有源图案的侧壁接触，其中，第三部分的最低端与有源图案的侧壁分隔开。6.根据权利要求1所述的半导体装置，所述半导体装置还包括在基底上以部分地覆盖所述多个有源图案的侧壁的装置隔离图案，装置隔离图案包括：第一区，在栅极结构下方，第二区，在栅极结构的相对的侧面，至少一个第二区包括具有比第一区的顶表面低的底表面的多个凹陷区。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述多个凹陷区包括：第一凹陷区，在所述多个有源图案之间；第二凹陷区，在所述多个有源图案的相对的侧面处，第一凹陷区的底表面比第二凹陷区的底表面高。8.根据权利要求7所述的半导体装置，其中，第一凹陷区包括空气隙。9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，源/漏接触件中的至少一个包括延伸到空气隙中的延伸部分。10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述半导体装置还包括接触蚀刻停止层，接触蚀刻停止层覆盖第一凹陷区和第二凹陷区的内表面并延伸到所述多个源区/漏区和栅极结构的侧壁上，接触蚀刻停止层限定空气隙。11.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，栅极结构包括：栅电极，与所述多个有源图案交叉；栅极介电图案，在栅电极与所述多个有源图案之间，栅极介电图案包括：第一子栅极介电图案，第二子栅极介电图案，具有比第一子栅极介电图案的介电常数大的介电常数。12.一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底，包括彼此不同的第一区和第二区；多个第一有源图案，从第一区的基底突出，第一有源图案以相等的距离彼此分隔开；多个第二有源图案，从第二区的基底突出，第二有源图案以不同的距离彼此分隔开；第一栅极结构，与所述多个第一有源图案交叉；第二栅极结构，与所述多个第二有源图案交叉；多个第一源区/漏区，分别在第一栅极结构的一侧处的所述多个第一有源图案上；多个第二源区/漏区，分别在第二栅极结构的一侧处的所述多个第二有源图案上；第一源/漏接触件，与所述多个第一有源图案交叉，第一源/漏接触件共同连接到所述多个第一源区/漏区；第二源/漏接触件，与所述多个第二有源图案交叉，第二源/漏接触件共同
\t连接到所述多个第二源区/漏区，其中，第一源/漏接触件的顶表面比第二源/漏接...

【专利技术属性】
技术研发人员：尹彰燮，具滋悦，金相吉，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR