发光器件和包括发光器件的发光器件封装制造技术

公开了一种发光器件和发光器件封装。发光器件包括：衬底；发光结构，布置在衬底下方并包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层；第一绝缘层，配置为暴露第二导电半导体层并布置在发光结构的下边缘上；第一透光电极层，布置在第一绝缘层所暴露的第二导电半导体层下方；第二透光电极层，布置在第一绝缘层和第一透光电极层下方；以及反射层，布置在第二透光电极层下方。

【技术实现步骤摘要】

实施例涉及一种发光器件和包括发光器件的发光器件封装。
技术介绍
发光二极管(LED)是一种使用化合物半导体的特性将电转换成红外光或光来交换信号或者被用作光源的半导体器件。由于其物理和化学特性而作为发光器件(诸如LED、激光二极管(LD)等)的核心元件的第III-V族氮化物半导体已成为关注焦点。这种LED具有优良的环境友好性能，因为LED不包括普通照明设备(例如，灯泡、荧光灯等)所使用的对环境有害的材料(诸如汞(Hg))，并且由于拥有使用寿命长、功耗低等特性而取代普通光源。在具有倒装芯片接合结构的普通发光器件封装的情况下，布置在p-GaN层下方的用于反射从有源层发射的光的反射层的宽度较小，因此不能显著提高光通量的效率。
技术实现思路
实施例提供一种具有提高的光通量的发光器件和包括该发光器件的发光器件封装。根据实施例，提供了一种发光器件，包括：衬底；发光结构，布置在衬底下方并包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层；第一绝缘层，配置为暴露第二导电半导体层并布置在发光结构的下边缘；第一透光电极层，布置在第一绝缘层所暴露的第二导电半导体层下方；第二透光电极层，布置在第一绝缘层和第一透光电极层下方；以及反射层，布置在第二透光电极层下方。反射层可以布置为通过第二透光电极层与第一绝缘层分离开。第二透光电极层可以包括：第一表面，配置为面向发光结构；以及第二
表面，与第一表面相对，其中整个反射层可以布置在第二表面下方。第一绝缘层、第二透光电极层或反射层的至少一部分可以在发光结构的厚度方向上彼此重叠。布置在发光结构的下边缘的第一绝缘层的宽度可以处于10μm至40μm的范围。第一绝缘层、第二透光电极层以及反射层在厚度方向上重叠的重叠宽度可以为5μm。第一透光电极层和第二透光电极层的每一个的厚度可以处于几纳米到几十纳米的范围。第二透光电极层可以布置为覆盖第一透光电极层与第一绝缘层之间的边界。在与发光结构的厚度方向相交的第一方向上，反射层的第一宽度可以等于或小于第二透光电极层的第二宽度。第一绝缘层可以包括SiO2，并且反射层可以包括银(Ag)。发光器件还可以包括：第一电极，布置在在通孔处暴露的第一导电半导体层下方，所述通孔穿过第二导电半导体层和有源层并暴露第一导电半导体层。第一绝缘层可以布置为从发光结构的下边缘延伸到在通孔处暴露的发光结构的侧部。第一透光电极层和第二透光电极层可以具有相同的材料或者具有彼此不同的材料。根据实施例，提供了一种发光器件封装，包括：发光器件；第一接合焊盘，连接至第一导电半导体层；第二接合焊盘，与第一接合焊盘分离开并连接至第二导电半导体层；以及第二绝缘层，布置在第一接合焊盘与第二透光电极层之间以及第一接合焊盘与反射层之间。发光器件封装还可以包括：第一引线框和第二引线框，分别电连接至第一接合焊盘和第二接合焊盘；以及模塑元件，配置为包围发光器件。根据实施例，提供了一种发光器件，包括：衬底；发光结构，布置在衬底下方并包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层；第一绝缘层，配置为暴露第二导电半导体层并布置在发光结构下方；多个透光电极层，布置在暴露的第二导电半导体层下方，在发光结构的厚度方向上与第二导电半导体层重叠；以及反射层，通过多个透光电极层的至少一个与第一绝缘层分离开并布置在多个透光电极层下方。多个透光电极层可以包括：第一透光电极层，布置为与暴露的第二导电半导体层接触；以及第二透光电极层，布置在第一透光电极层下方以及第一
绝缘层下方以将第一绝缘层与反射层分离开。第一透光电极层的厚度可以小于第一绝缘层的厚度。第二透光电极层、第一电极层以及反射层的至少一部分可以在发光结构的厚度方向上彼此重叠。附图说明可以参照以下附图具体描述配置和实施例，所述附图中相似的附图标记表示相似的元件，在附图中：图1为示出根据一个实施例的发光器件的平面图；图2为示出根据一个实施例的发光器件封装的剖视图；图3为示出图2所示的部分‘A’的放大剖视图；图4A至图4H为描述根据一个实施例的图2所示的发光器件封装的制造方法的工艺剖视图；图5A至图5G为描述根据一个实施例的图2所示的发光器件封装的制造方法的工艺平面图；图6A至图6G为描述根据一个实施例的图4C至图4E所示的第一绝缘层和第二电极的制造方法的工艺剖视图；图7为部分示出根据第一比较示例的发光器件的剖视图；图8为部分示出根据第二比较示例的发光器件的剖视图；以及图9为部分示出根据第三比较示例的发光器件的剖视图。具体实施方式在下文中，将参照附图具体描述本公开文本的实施例以帮助理解本公开文本。然而，根据本公开文本的实施例可以具有不同的形式，而不应理解为局限于本文列出的说明。提供本公开文本的实施例使得本公开文本是详尽而完整的，并且向本领域普通技术人员充分表明本公开文本的概念。在实施例的说明中，应当理解，当一个元件称为在另一个元件“上方”或“下方”时，词语“在上方或在下方”表示两个元件之间的直接连接或者在其间具有一个或更多元件的两个元件之间的间接连接。另外，当使用词语“在上方或在下方”时，其可以表示相对于元件的向下方向以及向上方向。另外，诸如“第一”和“第二”、“在上方/上部/在上面”以及“在下
面/下部/在下方”不一定需要或包括任何物理或逻辑关系或者装置或元件之间的顺序并且也可以用于将一个装置或元件与另一个装置或元件区分开。为了方便和准确描述，可以省略或示意性地描述附图中的多个层和区域的厚度。另外，每一个部件的尺寸并不完全匹配其实际尺寸。图1为示出根据一个实施例的发光器件100的平面图，图2为示出根据一个实施例的发光器件封装200的剖视图，以及图3为示出图2所示的部分‘A’的放大剖视图。图2所示的发光器件封装200中包括的发光器件100对应于沿着图1所示的发光器件100的线I-I'获取的剖视图。另外，为了便于说明，图3中省略了图1所示的第二绝缘层134和第二接合焊盘164。参照图1和图2，根据实施例的发光器件100可以包括衬底110、发光结构120、第一绝缘层132、第一电极150以及第二电极140。发光结构120布置在衬底110下方。衬底110可以包括导电材料或非导电材料。例如，衬底110可以包括蓝宝石(Al2O3)、GaN、SiC、ZnO、GaP、InP、Ga2O3、GaAs或Si中的至少之一。另外，虽然衬底110可以是例如具有图案112以帮助将从有源层124发射的光从发光器件100发出的图案化蓝宝石衬底(PSS)，然而实施例不限于此。为了改善衬底110和发光结构120的热膨胀系数之间的差异以及晶格失配，缓冲层或过渡层(未示出)可以进一步布置在衬底110与发光结构120之间。缓冲层可以包括例如选自包含Al、In、N和Ga的组的至少一种材料，但不限于此。另外，缓冲层可以具有单层或多层结构。发光结构120可以包括依次布置在衬底110下方的第一导电半导体层122、有源层124和第二导电半导体层126。第一导电半导体层122可以实现为包括在第III-V族、第II-VI族等中的掺杂有第一导电掺杂剂的化合物半导体。当第一导电半导体层122是n型半导体层时，第一导电掺杂剂是n型掺杂剂并且可以包括Si、Ge、Sn、Se或Te，但不限于此。例如，第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光器件，包括：衬底；发光结构，布置在所述衬底下方并包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层；第一绝缘层，配置为暴露所述第二导电半导体层并布置在所述发光结构的下边缘上；第一透光电极层，布置在所述第一绝缘层所暴露的所述第二导电半导体层下方；第二透光电极层，布置在所述第一绝缘层和所述第一透光电极层下方；以及反射层，布置在所述第二透光电极层下方。

【技术特征摘要】
2015.03.26 KR 10-2015-00426601.一种发光器件，包括：衬底；发光结构，布置在所述衬底下方并包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层；第一绝缘层，配置为暴露所述第二导电半导体层并布置在所述发光结构的下边缘上；第一透光电极层，布置在所述第一绝缘层所暴露的所述第二导电半导体层下方；第二透光电极层，布置在所述第一绝缘层和所述第一透光电极层下方；以及反射层，布置在所述第二透光电极层下方。2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述反射层布置为通过所述第二透光电极层与所述第一绝缘层分离开。3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二透光电极层包括：第一表面，配置为面向所述发光结构；以及第二表面，与所述第一表面相对，其中整个所述反射层布置在所述第二表面下方。4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一绝缘层、所述第二透光电极层或所述反射层的至少一部分在所述发光结构的厚度方向上彼此重叠。5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第二透光电极层布置为覆盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐在元，李尚烈，丁星好，崔珍炯，
申请(专利权)人：LG伊诺特有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR