【技术实现步骤摘要】
本技术涉及光纤通讯
，主要涉及一种用于波导式发射器芯片耦合的光纤。
技术介绍
波导式发射器芯片为单通道波导芯片，其耦合采用的光纤包括直径为900μm的外包层，而此外包层在经过高温烘烤之后，会有不同程度的收缩。这种收缩对光纤毛细管产生的拉力会对与波导式发射芯片的耦合效率产生很大的影响，甚至直接导致耦合失效。
技术实现思路
为了避免光纤外包层收缩造成耦合不良，本技术提供一种用于波导式发射器芯片耦合的光纤。本技术提供一种用于波导式发射器芯片耦合的光纤，包括裸纤、涂覆层和外包层；其中，涂覆层涂覆在裸纤上，外包层包裹在涂覆层上；外包层裸露3～3.5mm的涂覆层。其中，优选实施方式为：裸纤直径为125μm，涂覆层直径为250μm，外包层直径为900μm。与现有技术相比，本技术的一种用于波导式发射器芯片耦合的光纤的优点和积极效果是：通过裸露长度为3～3.5mm的涂覆层，避免了外包层与毛细
管直接黏接，进而避免了在烘烤工艺中由于外包层的收缩造成的耦合效率下降及失效。附图说明图1为本技术的一种用于波导式发射器芯片耦合的光纤的结构示意图。图2为本技术的光纤与波导式发射器芯片耦合的示意图。具体实施方式下面结合附图和具体实施方式对本技术做更进一步详细说明。图1为本技术的一种用于波导式发射器芯片耦合的光纤结构的示意图。本技术的用于波导式发射器芯片耦合的光纤包括裸纤10、涂覆层20和外包层30。其中涂覆层20涂覆在裸纤10上，其中裸纤10的直径为125μm，涂覆层的直径为250μm。外包层30包裹在涂覆层20上，其直径为900μm。其中，外包层30裸露3～3.5m...
【技术保护点】
一种用于波导式发射器芯片耦合的光纤，包括裸纤、涂覆层和外包层；其中，涂覆层涂覆在裸纤上，外包层包裹在涂覆层上；其特征在于：外包层裸露3～3.5mm的涂覆层。
【技术特征摘要】
1.一种用于波导式发射器芯片耦合的光纤，包括裸纤、涂覆层和外包层；其中，涂覆层涂覆在裸纤上，外包层包裹在涂覆层上；其特征在于：外包层裸露3～3.5mm...
【专利技术属性】
技术研发人员：梁雪峰，雷奖清，
申请(专利权)人：昂纳信息技术深圳有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44
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