一种光电耦合器制造技术

本实用新型专利技术涉及一种光电耦合器，属于电子技术领域，所述的光电耦合器主要包括正极引脚、负极引脚、第一芯片粘接部、第二芯片粘接部、第一固晶焊线部、第二固晶焊线部，所述的第一芯片粘接部与第二芯片粘接部相对设置，第一固晶焊线部与第二固晶焊线部相对设置，第一芯片粘接部通过导线与第一固晶焊线部相连，第二芯片粘接部通过导线与第二固晶焊线部相连，第一固晶焊线部与正极引脚相连；本实用新型专利技术的红外光发射芯片设置于第一芯片粘接部，光敏单向可控硅、触发电路、处理芯片设置于第二芯片粘接部上，第一芯片粘接部与第二芯片粘接部相对设置，克服传统的光电二极管密封固定必须在两台设备上完成，工艺繁琐、能耗高、工艺过程难度大的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电子
，具体地说，涉及一种光电耦合器。
技术介绍
光电耦合器是一种把红外发射器件和红外光接受器件以及信号处理电路等封装在同一管壳内的器件。当输入电信号加到输入端发光器件LED上，LED发光，光接收器件接收光信号并转换成电信号，然后将电信号直接输出，或者将电信号放大处理成标准数字电平输出，这样就实现了“电-光-电”的转换及传输，光是传输的媒介，因而输入端与输出端在电气上是绝缘的，也称为电隔离。现有的光电耦合器固晶密封必须在两台设备上完成，工艺繁琐、流转速度慢、能耗高、成本高、工艺过程难度大。为市场上比较常见的交流输出光电耦合器，输出端为砷化镓发光二极管，输出端采用光敏双向可控硅作为输出器件实现交流开关，并将两者封装在一个塑封体内，输入输出通过光隔离，该光电耦合器常用做大功率可控硅的光电隔离触发器，且是即时触发的。由于上述光电耦合器输出端的光敏双向可控硅制作在一个晶体上，短态阻断电压一般在600Vdc-900Vdc，但难于达到1000Vdc以上。此外，该光电耦合器的dv/dt承受能力较弱，在电磁干扰较强的环境下容易出现误触发和击穿失效的情况，在一些应用场合，为达到更高的断态阻断电压，通常采用2只或多只光电耦合器串联使用，因不同光电耦合器输出阻抗的差异及接通关断时间的差异，易产生电压分压不均及接通不同步的问题。现有的光电耦合器，其工作电压受到限制。因此，有必要改进现有的光电耦合器，使其具有提高工作电压、在电磁干扰情况下，不易出现误触发或击穿失效的情况，并且封装容易、制造方便。
技术实现思路
为了克服
技术介绍
中存在的问题，本技术提出一种光电耦合器，将红外光发射芯片设置于第一芯片粘接部，光敏单向可控硅、触发电路、处理芯片设置于第二芯片粘接部上，第一芯片粘接部与第二芯片粘接部相对设置，并采用硅胶和环氧树脂胶层密封固定，克服传统的光电二极管密封固定必须在两台设备上完成，工艺繁琐、流转速度慢、能耗高、成本高、工艺过程难度大的问题。为了实现上述目的，本技术是按照以下技术方案实现的：所述的光电耦合器包括封装壳体、正极引脚、负极引脚、第一芯片粘接部、第二芯片粘接部、第一固晶焊线部、第二固晶焊线部、硅胶层、环氧树脂层、集电极引脚、发射极引脚、红外光发射芯片、光敏单向可控硅、触发电路、处理芯片，所述的第一芯片粘接部与第二芯片粘接部相对设置，第一固晶焊线部与第二固晶焊线部相对设置，第一芯片粘接部通过导线与第一固晶焊线部相连，第二芯片粘接部通过导线与第二固晶焊线部相连，第一固晶焊线部与正极引脚相连，第一芯片粘接部与负极引脚相连，正极引脚与负极引脚组成光电耦合器的输入端，集电极引脚、发射极引脚组成光电耦合器的输出端，光电耦合器的输入端与输出端之间设置有上拉电阻；第二芯片粘接部与集电极引脚相连，第二固晶焊线部与发射极引脚相连，第一芯片粘接部、第二芯片粘接部、第一固晶焊线部、第二固晶焊线部通过硅胶层固定密封，硅胶层密封设置于环氧树脂胶层内，环氧树脂胶层设置于封装壳体内；所述的红外光发射芯片设置于第一芯片粘接部上，光敏单向可控硅包括光敏单向可控硅第一、光敏单向可控硅第二，触发电路包括触发电路第一、触发电路第二，光敏单向可控硅第一、光敏单向可控硅第二、触发电路第一、触发电路第二、处理芯片设置于第二芯片粘接部上，光敏单向可控硅第一与触发电路第一相连，光敏单向可控硅第二与触发电路第二相连，光敏单向可控硅第一与光敏单向可控硅第二反向并联，触发电路第一、触发电路第二与处理芯片电连接。进一步的，所述的封装壳体正极引脚、负极引脚的出线一侧设置有输入端标识。进一步的，所述的输入端标识为一矩形缺口。进一步的，所述的输入端标识为一防水标签。进一步的，所述的红外光发射芯片的个数为1-2个。本技术的有益效果：本技术将红外光发射芯片设置于第一芯片粘接部，光敏单向可控硅、触发电路、处理芯片设置于第二芯片粘接部上，第一芯片粘接部与第二芯片粘接部相对设置，并采用硅胶和环氧树脂胶层密封固定，克服传统的光电二极管密封固定必须在两台设备上完成，工艺繁琐、流转速度慢、能耗高、成本高、工艺过程难度大的问题，在光电二极管的输入部与输出部之间增设上拉电阻，在触发电路上设置处理芯片，可以提高光电耦合器的工作电压；设置的光敏单向可控硅反向并联，并与触发电路串联，克服了光电耦合器dv/dt承受能力弱，在强电磁环境下容易击穿和误触发的问题。附图说明图1为本技术结构示意图；图2为本技术电路结构示意图。图中，1-封装壳体、2-正极引脚、3-负极引脚、4-输入端标识、5-第一芯片粘接部、6-第二芯片粘接部、7-第一固晶焊线部、8-第二固晶焊线部、9-硅胶层、10-环氧树脂胶层、11-集电极引脚、12-发射极引脚、13-红外光发射芯片、14-光敏单向可控硅第一、15-光敏单向可控硅第二、16-触发电路第一、17-触发电路第二、18-处理芯片。具体实施方式为了使本技术的目的、技术方案和有益效果更加清楚，下面将结合附图对本技术的优选实施方式进行详细的说明，以方便技术人员理解。如图1-2所示，本技术公开一种光电耦合器，其特征在于：所述的光电耦合器包括封装壳体1、正极引脚2、负极引脚3、第一芯片粘接部4、第二芯片粘接部5、第一固晶焊线部7、第二固晶焊线部8、硅胶层9、环氧树脂层10、集电极引脚11、发射极引脚12、红外光发射芯片13、光敏单向可控硅、触发电路、处理芯片。所述的第一芯片粘接部5与第二芯片粘接部6相对设置，第一固晶焊线部7与第二固晶焊线部8相对设置，便于采用一台设备进行加工，第一芯片粘接部5通过导线与第一固晶焊线部7相连，第二芯片粘接部6通过导线与第二固晶焊线部8相连，第一固晶焊线部7与正极引脚2相连，第一芯片粘接部5与负极引脚3相连，便于实现光电耦合器的正常通电，正极引脚2与负极引脚3组成光电耦合器的输入端，集电极引脚11、发射极引脚12组成光电耦合器的输出端，光电耦合器的输入端与输出端之间设置有上拉电阻；第二芯片粘接部6与集电极引脚11相连，第二固晶焊线部8与发射极引脚12相连，第一芯片粘接部5、第二芯片粘接部6、第一固晶焊线部7、第二固晶焊线部8通过硅胶层9固定密封，硅胶层9密封设置于环氧树脂胶层10内，环氧树脂胶层10设置于封装壳体1内，便于光电耦合器的生产加工；所述的红外光发射芯片13设置于第一芯片粘接部5上，光敏单向可控硅包括光敏单向可控硅第一14、光敏单向可控硅第二15，触发电路包括触发电路第一16、触发电路第二17，光敏单向可控硅第一14、光敏单向可控硅第二15、触发电路第一16、触发电路第二17、处理芯片18设置于第二芯片粘接部6上，光敏单向可控硅第一14与触发电路第一16相连，光敏单向可控硅第二15与触发电路第二17相连，光敏单向可控硅第一14与光敏单向可控硅第二15反向并联，便于克服光电耦合器的dv/dt承受能力较弱，在电磁干扰较强的环境下容易出现误触发和击穿失效的问题，触发电路第一16、触发电路第二17与处理芯片18电连接，处理芯片18和上拉电阻的共同作用能提高光电耦合器的工作电压。所述的封装壳体1正极引脚2、负极引脚3的出线一侧设置有输入端标识4，所述的输入端标识4为一矩形缺口或为一防水标签，便于本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光电耦合器，其特征在于：所述的光电耦合器包括封装壳体、正极引脚、负极引脚、第一芯片粘接部、第二芯片粘接部、第一固晶焊线部、第二固晶焊线部、硅胶层、环氧树脂层、集电极引脚、发射极引脚、红外光发射芯片、光敏单向可控硅、触发电路、处理芯片，所述的第一芯片粘接部与第二芯片粘接部相对设置，第一固晶焊线部与第二固晶焊线部相对设置，第一芯片粘接部通过导线与第一固晶焊线部相连，第二芯片粘接部通过导线与第二固晶焊线部相连，第一固晶焊线部与正极引脚相连，第一芯片粘接部与负极引脚相连，正极引脚与负极引脚组成光电耦合器的输入端，集电极引脚、发射极引脚组成光电耦合器的输出端，光电耦合器的输入端与输出端之间设置有上拉电阻；第二芯片粘接部与集电极引脚相连，第二固晶焊线部与发射极引脚相连，第一芯片粘接部、第二芯片粘接部、第一固晶焊线部、第二固晶焊线部通过硅胶层固定密封，硅胶层密封设置于环氧树脂胶层内，环氧树脂胶层设置于封装壳体内；所述的红外光发射芯片设置于第一芯片粘接部上，光敏单向可控硅包括光敏单向可控硅第一、光敏单向可控硅第二，触发电路包括触发电路第一、触发电路第二，光敏单向可控硅第一、光敏单向可控硅第二、触发电路第一、触发电路第二、处理芯片设置于第二芯片粘接部上，光敏单向可控硅第一与触发电路第一相连，光敏单向可控硅第二与触发电路第二相连，光敏单向可控硅第一与光敏单向可控硅第二反向并联，触发电路第一、触发电路第二与处理芯片电连接。...

【技术特征摘要】
1.一种光电耦合器，其特征在于：所述的光电耦合器包括封装壳体、正极引脚、负极引脚、第一芯片粘接部、第二芯片粘接部、第一固晶焊线部、第二固晶焊线部、硅胶层、环氧树脂层、集电极引脚、发射极引脚、红外光发射芯片、光敏单向可控硅、触发电路、处理芯片，所述的第一芯片粘接部与第二芯片粘接部相对设置，第一固晶焊线部与第二固晶焊线部相对设置，第一芯片粘接部通过导线与第一固晶焊线部相连，第二芯片粘接部通过导线与第二固晶焊线部相连，第一固晶焊线部与正极引脚相连，第一芯片粘接部与负极引脚相连，正极引脚与负极引脚组成光电耦合器的输入端，集电极引脚、发射极引脚组成光电耦合器的输出端，光电耦合器的输入端与输出端之间设置有上拉电阻；第二芯片粘接部与集电极引脚相连，第二固晶焊线部与发射极引脚相连，第一芯片粘接部、第二芯片粘接部、第一固晶焊线部、第二固晶焊线部通过硅胶层固定密封，硅胶层密封设置于环氧树脂胶层内，环氧树脂...

【专利技术属性】
技术研发人员：华显立，许贵阳，白东峰，王毅，倪江楠，卢宏炎，贺军峰，
申请(专利权)人：河南工业职业技术学院，
类型：新型
国别省市：河南;41