半导体封装制造技术

本实用新型专利技术涉及一种引进金属柱的半导体封装，其包括：基板主体部；多个第一配线图案，配置在基板主体部的第一面上；第一键合焊盘图案，配置在第一配线图形上；内部配线图案，配置在基板主体部内部；第二键合焊盘图案，配置于从第二键合区域露出的内部配线图形上；第三键合焊盘图案，配置在第一配线图形上；第一半导体芯片和第二半导体芯片，在基板主体部上交错排列层叠；第一金属柱，将第一芯片焊盘部分别与第一键合焊盘进行连接；第二金属柱，将第二芯片焊盘部分别与多个第二键合焊盘进行连接；第三金属柱，一端部连接在第一芯片焊盘部，另一端部与第一半导体芯片的后面部接触；以及第四金属柱，将第二芯片焊盘部分别与第三键合焊盘进行连接。

【技术实现步骤摘要】

本技术的各实施例涉及一种封装技术，更具体涉及一种引进金属柱的半导体封装。
技术介绍
随着电子产品的小型化、高性能化，且便携式电子产品的增加，半导体元件的封装空间越来越小，相反对电子产品的功能要求越来越多样化。因此，对超小型大容量半导体存储器的要求越来越增加。在封装半导体元件的过程中需进行将基板和半导体芯片电连接的键合工艺。键合工艺是利用引线键合(Wire bonding)方式或者芯片倒装键合(Flip chip bonding)方式进行。引线键合方式是利用导电金属线来连接基板和半导体芯片的方式，芯片倒装键合是利用金属柱来连接基板和半导体芯片的方式。随着半导体元件的集成度的提高、利用半导体元件的电子设备高性能化，引线键合方式在应对半导体元件的性能提高方面存在局限性。因此，利用芯片倒装键合方式将基板和半导体芯片电连接的方式逐渐增加。
技术实现思路
本技术的一个实施例包括：封装基板；第一配线图案，其配置在所述封装基板的第一面上；第一键合焊盘，其配置在第一配线图案上，所述第一配线图案配置在所述封装基板的第一面上且从所述第一配线图案中的第一键合区域露出图案；内部配线图案，其配置在所述封装基板的内部；第二键合焊盘，其配置于所述内部配线图案中的最外围部分的第二键合区域露出的内部配线图案上；第三键合焊盘，其配置在第一配线图案上，所述第一配线图案配置在所述封装基板的 第一面上且从所述第一配线图案中的最外围部分的第三键合区域露出图案；第一半导体芯片和第二半导体芯片，在所述封装基板上相互之间交错排列而层叠；第一金属柱，将所述第一半导体芯片的第一芯片焊盘部分别与所述第一键合焊盘进行连接；第二金属柱，将所述第一半导体芯片的第二芯片焊盘部分别与所述第二键合焊盘进行连接；第三金属柱，其一端部连接在所述第二半导体芯片的第一芯片焊盘部，另一端部与所述第一半导体芯片的后侧部接触；以及第四金属柱，将所述第二半导体芯片的第二芯片焊盘部分别与所述第三键合焊盘进行连接。本技术中，所述第一键合焊盘可在所述封装基板的中央部分排成一列。所述第二键合焊盘可向所述封装基板的第一方向并沿着相对的边在边缘部分排列，所述第三键合焊盘向垂直于所述第一方向的第二方向并沿着相对的边在边缘部分排列。所述第二键合焊盘分别从所述第一键合焊盘向两侧方向隔开规定间隔。所述封装基板还包括第二配线图案，所述第二配线图案与配置在所述封装基板的第一面上的第一配线图案中的至少一个连接，且配置在所述封装基板的第二面上。所述内部配线图案可通过一个以上的过孔电极来与所述第一键合焊盘、第二键合焊盘或者第三键合焊盘连接。所述封装基板还包括露出所述第二键合焊盘并具有规定深度的沟槽。所述沟槽具有使沟槽的底面配置在与各个所述内部配线图案的下部面所配置的位置相同的位置上的深度。所述第一半导体芯片和第二半导体芯片中，位于上部的所述第二半导体芯片露出位于下部的所述第一半导体芯片的边缘部分。所述第二半导体芯片包括边缘部分向所述封装基板的第一方向突出的垂悬部分。所述半导体芯片包括芯片焊盘部，所述芯片焊盘部包括：第一芯片焊盘部，其配置在与所述封装基板的第一键合区域相对的位置；以及第二芯片焊盘部，其配置在与所述封装基板的第二键合区域相对的位置。所述芯片焊盘部以I字型平面形状配置。所述第二金属柱具有比所述第一金属柱更厚的厚度。所述第二半导体芯片包括芯片焊盘部，所述芯片焊盘部包括：第一芯片焊盘部，其配置在与所述封装基板的第一键合区域相对应的位置；以及第二芯片焊盘部，其配置在与所述封装基板的第三键合区域相对的位置。所述第四金属柱可具有比所述第三金属柱更厚的厚度。所述第一半导体芯片的第一金属柱可与所述第二半导体芯片的第三金属柱具有相同的厚度，且所述第一半导体芯片的第二金属柱与所述第二半导体芯片的第四金属柱具有相同的厚度。所述第三键合焊盘还可包括从所述第三键合焊盘的上部面突出规定高度而与所述第四金属柱接触的外部连接端子。所述外部连接端子包括锡球。根据本技术的实施例，可利用芯片倒装键合方式将多个半导体芯片向垂直方向层叠。而且，可通过芯片倒装键合方式将半导体芯片向垂直方向层叠，从而防止半导体芯片被压或倾斜。本技术的一个实施例的半导体封装中，所述半导体芯片包括芯片焊盘部，所述芯片焊盘部包括：第一芯片焊盘部，其配置在与所述封装基板的第一键合区域相对的位置；以及第二芯片焊盘部，其配置在与所述封装基板的第二键合区域相对的位置。本技术的一个实施例的半导体封装中，所述芯片焊盘部以I字型平面形状配置。本技术的一个实施例的半导体封装中，所述第二金属柱具有比所述第一金属柱更厚的厚度。本技术的一个实施例的半导体封装中，所述第二半导体芯片包括芯片焊盘部，所述芯片焊盘部包括：第一芯片焊盘部，其配置在与所述封装基板的第一键合区域相对应的位置；以及第二芯片焊盘部，其配置在与所述封装基板的第三键合区域相对的位置。本技术的一个实施例的半导体封装中，所述芯片焊盘部以I字型平面形状配置。本技术的一个实施例的半导体封装中，所述第四金属柱具有比所述第三金属柱更厚的厚度。本技术的一个实施例的半导体封装中，所述第一半导体芯片的第一金属柱与所述第二半导体芯片的第三金属柱具有相同的厚度，且所述第一半导体芯片的第二金属柱与所述第二半导体芯片的第四金属柱具有相同的厚度。本技术的一个实施例的半导体封装中，所述第三键合焊盘还包括从所述第三键合焊盘的上部面突出规定高度而与所述第四金属柱接触的外部连接端子。本技术的一个实施例的半导体封装中，所述外部连接端子包括锡球。附图说明通过附图和附加的具体实施方式，本技术的多个实施例将变得更清楚，其中：图1是一个实施例的封装基板的平面图。图2是表示沿着图1的I-I’线切割的剖视图。图3是表示沿着图1的II-II’线切割的剖视图。图4是表示用于说明一个实施例的半导体封装的立体图。图5是表示从上部俯视图4的半导体封装的平面图。图6是表示沿着图4的I-I’线切割的剖视图。图7是表示沿着图4的II-II’线切割的剖视图。附图说明标记100：封装基板 102：基板主体部120a：第一钝化层 120b：第二钝化层A：第一键合区域 B：第二键合区域C：第三键合区域 130：第一半导体芯片160：第二半导体芯片 145：第一金属柱150：第二金属柱 170：第三金属柱172：第四金属柱 具体实施方式虽然通过例示附图来说明本技术的实施例，但这只是为了说明本技术所提出的内容，并不是通过详细的实施例来限定本技术所提出的内容。在说明书全文中，相同的附图标记表示相同的组件。因此，即便相同的附图标记或者类似的附图标记未在相应的附图中提起或者说明，也可参照其他附图来进行说明。而且，即使未标注附图标记，也可参照其他附图来进行说明。图1是一个实施例的封装基板的俯视图。图2是表示沿着图1的I-I’线切割的剖视图。还有，图3是表示沿着图1的II-II’线切割的剖视图。参照图1至图3，根据本技术的一个实施例的基板100包括基板主体部102(body)、第一钝化层120a及第二钝化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体封装，其包括：封装基板；第一配线图案，其配置在所述封装基板的第一面上；第一键合焊盘，其配置在第一配线图案上，所述第一配线图案配置在所述封装基板的第一面上且从所述第一配线图案中的第一键合区域露出图案；内部配线图案，其配置在所述封装基板的内部；第二键合焊盘，其配置于从所述内部配线图案中最外围部分的第二键合区域露出的内部配线图案上；第三键合焊盘，其配置在第一配线图案上，所述第一配线图案配置在所述封装基板的第一面上且从所述第一配线图案中的最外围部分的第三键合区域露出图案；第一半导体芯片和第二半导体芯片，在所述封装基板上相互之间交错排列而层叠；第一金属柱，将所述第一半导体芯片的第一芯片焊盘部分别与所述第一键合焊盘进行连接；第二金属柱，将所述第一半导体芯片的第二芯片焊盘部分别与所述多个第二键合焊盘进行连接；第三金属柱，其一端部连接在所述第二半导体芯片的第一芯片焊盘部，另一端部与所述第一半导体芯片的后侧部接触；以及第四金属柱，将所述第二半导体芯片的第二芯片焊盘部分别与所述第三键合焊盘进行连接。

【技术特征摘要】
2015.05.29 KR 10-2015-00763951.一种半导体封装，其包括：封装基板；第一配线图案，其配置在所述封装基板的第一面上；第一键合焊盘，其配置在第一配线图案上，所述第一配线图案配置在所述封装基板的第一面上且从所述第一配线图案中的第一键合区域露出图案；内部配线图案，其配置在所述封装基板的内部；第二键合焊盘，其配置于从所述内部配线图案中最外围部分的第二键合区域露出的内部配线图案上；第三键合焊盘，其配置在第一配线图案上，所述第一配线图案配置在所述封装基板的第一面上且从所述第一配线图案中的最外围部分的第三键合区域露出图案；第一半导体芯片和第二半导体芯片，在所述封装基板上相互之间交错排列而层叠；第一金属柱，将所述第一半导体芯片的第一芯片焊盘部分别与所述第一键合焊盘进行连接；第二金属柱，将所述第一半导体芯片的第二芯片焊盘部分别与所述多个第二键合焊盘进行连接；第三金属柱，其一端部连接在所述第二半导体芯片的第一芯片焊盘部，另一端部与所述第一半导体芯片的后侧部接触；以及第四金属柱，将所述第二半导体芯片的第二芯片焊盘部分别与所述第三键合焊盘进行连接。2.根据权利要求1所述的半导体封装，所述第一键合焊盘在所述封装基板的中央部分排成一列。3.根据权利要求1所述的半导体封装，所述第二键合焊盘向所述封装基板的第一方向并沿着相对的边在边缘部分排列，所述第三键合 焊盘向垂直于所述第一方向的第二方向并沿着相对的边在边缘部分排列。4.根据权利要求1所述的半导体封装，所述第二键合焊盘分别从所述第一键合焊盘向两侧方向隔开规定间隔。5.根据权利要求1所述的半导体封装，所述封装基板还包括第二配线图案，所述第二配线图案与配置在所述封装基板的第一面上的第一配线图案中的至少一个连接，且配置在所述封装基板的第二面上。6.根据权利要求1所述的半导体封装，所述内部配线图案通过一个以上的过孔电极来与所述第一键合焊盘、第二键合...

【专利技术属性】
技术研发人员：申熙珉，文起一，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：新型
国别省市：韩国;KR