一种半导体化纤复合材料的制造方法技术

技术编号:13810617 阅读:79 留言:0更新日期:2016-10-08 19:41
本发明专利技术公开了一种半导体化纤复合材料的制造方法,其包括如下步骤:S1、将半导体材料进行粉碎处理,制成粉状颗粒;S2、将半导体的粉状颗粒与化纤材料进行热熔处理,得到复合溶液;S3、将复合溶液进行固型和冷却处理,得到复合材料;S4、将复合材料进行压纹和卷轴。本发明专利技术的有益效果:本发明专利技术操作方便,实现了在化纤领域的更深层次运用,便于在化纤材料领域的导热性的运用,增加热量的传导效率,成本低,经济效益高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及复合材料领域,特别涉及一种具有适时传到冷热程度功能的半导体化纤复合材料的制造方法
技术介绍
常规的化纤包括人造化纤和合成化纤,一般传热效果不好,所述半导体材料(可以是晶体硅)包含p-n结,其具有以下特征:当光通过该结的时候,能够产生自由电荷(电子和空穴),在成对导体上产生电压V。常规的半导体材料的主要问题是成本高、实用性不强。为了解决半导体中的这些问题,人们开发了各种单晶或薄膜工艺。单晶半导体可以具有高的效率,但是此种工艺价格非常昂贵。出于以上的原因以及其它的原因,本领域需要一种新的提供半导体化纤复合材料制造的方法,其具有以下特征:低成本,高效率,传热效果好,重量轻的材料。
技术实现思路
为了克服现有技术中化纤材料不能有效传输热量等特点,本专利技术提供了一种半导体化纤复合材料的制造方法,本专利技术实现了该复合材料运用在市场能够做有效的导热,舒适的材料。针对上述技术问题,本专利技术通过以下技术方案实现的:一种半导体化纤复合材料的制造方法,其包括如下步骤:S1、将半导体材料进行粉碎处理,制成粉状颗粒;S2、将半导体的粉状颗粒与化纤材料进行热熔处理,得到复合溶液;S3、将复合溶液进行固型和冷却处理,得到复合材料;S4、将复合材料进行压纹和卷轴。在本专利技术的半导体化纤复合材料的制造方法中,所述步骤S2的热熔处理的加热温度大于所述半导体材料的熔点,温度高于半导体材料的300摄氏度左右。在本专利技术的半导体化纤复合材料的制造方法中,所述步骤S2的热熔处理的加热温度高于半导体材料的熔点范围在200-300摄氏度左右。在本专利技术的半导体化纤复合材料的制造方法中,所述步骤S3的固型处理采用长方形模板进行复合溶液的固型。在本专利技术的半导体化纤复合材料的制造方法中,所属步骤S3的冷却处理采用降温法冷却,降温的温度控制在零下100度之内。在本专利技术的半导体化纤复合材料的制造方法中,所述复合材料通过CVD、PECVD或浆液浇铸工艺处理,适时的调整复合材料的厚度。本专利技术的有益效果:本专利技术操作方便,实现了在化纤领域的更深层次运用,便于在化纤材料领域的导热性的运用,增加热量的传导效率,成本低,经济效益高。【附图说明】图1为本专利技术的半导体化纤复合材料的制造方法的优选实施例的流程示意图。【具体实施方式】下面结合具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。如图1所示的一种半导体化纤复合材料的制造方法,一种半导体化纤复合材料的制造方法,其包括如下步骤:S1、将半导体材料进行粉碎处理,制成粉状颗粒;S2、将半导体的粉状颗粒与化纤材料进行热熔处理,得到复合溶液;S3、将复合溶液进行固型和冷却处理,得到复合材料;S4、将复合材料进行压纹和卷轴。在本专利技术的半导体化纤复合材料的制造方法中,所述步骤S2的热熔处理的加热温度大于所述半导体材料的熔点,温度高于半导体材料的300摄氏度左右。在本专利技术的半导体化纤复合材料的制造方法中,所述步骤S2的热熔处理的加热温度高于半导体材料的熔点范围在200-300摄氏度左右。在本专利技术的半导体化纤复合材料的制造方法中,所述步骤S3的固型处理采用长方形模板进行复合溶液的固型。在本专利技术的半导体化纤复合材料的制造方法中,所属步骤S3的冷却处理采用降温法冷却,降温的温度控制在零下100度之内。在本专利技术的半导体化纤复合材料的制造方法中,所述复合材料通过CVD、PECVD或浆液浇铸工艺处理,适时的调整复合材料的厚度。与现有技术相比,本专利技术的优点在于:本专利技术操作方便,实现了在化纤领域的更深层次运用,便于在化纤材料领域的导热性的运用,增加热量的传导效率,成本低,经济效益高。以上所述实施例仅表达了本专利技术的实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对本专利技术专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本专利技术构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本专利技术的保护范围。因此,本专利技术专利的保护范围应以所附权利要求为准。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体化纤复合材料的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、将半导体材料进行粉碎处理,制成粉状颗粒;S2、将半导体的粉状颗粒与化纤材料进行热熔处理,得到复合溶液;S3、将复合溶液进行固型和冷却处理,得到复合材料;S4、将复合材料进行压纹和卷轴。

【技术特征摘要】
1.一种半导体化纤复合材料的制造方法,其特征在于,包括如下步骤:S1、将半导体材料进行粉碎处理,制成粉状颗粒;S2、将半导体的粉状颗粒与化纤材料进行热熔处理,得到复合溶液;S3、将复合溶液进行固型和冷却处理,得到复合材料;S4、将复合材料进行压纹和卷轴。2.根据权利要求1所述的半导体化纤复合材料的制造方法,其特征在于,所述步骤S2的热熔处理的加热温度大于所述半导体材料的熔点,温度高于半导体材料的300摄氏度左右。3.根据权利要求1所述的半导体化纤复合材料的制造方法,其特征在于,所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭永尚龚万兵林清山
申请(专利权)人:福建省泉州海丝船舶评估咨询有限公司
类型:发明
国别省市:福建;35

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