发光二极管封装用基板制造技术

技术编号:13802558 阅读:87 留言:0更新日期:2016-10-07 12:07
本实用新型专利技术是有关一种发光二极管封装用基板,该封装用基板为一陶瓷基底且具有一上表面,上表面包含一固晶区及环绕于固晶区外围一杯体预定成型区,于杯体预定成型区的上表面形成有一复合接着层,复合接着层的断面结构具有至少一凹部,至少二电极层设于该固晶区的该上表面;以及一反射杯成形于该杯体预定成型区且包覆该复合接着层且延伸至该凹部内。藉此,增加反射杯及基板之间的接合力,以解决反射杯自基板表面发生剥离而造成水气侵入的问题。

【技术实现步骤摘要】

本技术是有关一种发光二极管封装用基板,尤指一种强化反射杯及基板之间接合力的封装用基板。
技术介绍
习知发光二极管封装结构通常包含一反射杯且成型于散热基板的表面,例如金属基底、陶瓷基底等等,而LED裸晶(die)则装设于反射杯中且与接合于封装基板,而于陶瓷基板的应用上多采用陶瓷共烧或者是点胶方式以于陶瓷基板上成型反射杯,然而陶瓷共烧方式成本过高且制程复杂,以点胶方式则造成反射杯无法提供有效的反射面;产业应用上尚有以射出成型方式于陶瓷基板上成型塑料反射杯,但因塑料与陶瓷基板表面的结合性不佳,使得陶瓷基板表面与反射杯之间容易形成缝隙甚至剥离,造成水气或灰尘容易沿缝隙进入封装结构中从而影响内部元件的寿命,进一步导致发光二极管失效的风险。承上所述,为解决前述的问题,发展出于陶瓷基板相对于反射杯成型的位置执行预先激光打孔,使其于射出成形过程中的部分塑料注入于该些孔洞内,于固化成型后能强化反射杯与陶瓷基板间的接合性且同时避免前述该些问题,但是,以激光打孔方式具有过高的制造成本以及生产效率不佳的问题,因此,有鉴于高信赖度发光二极管封装结构的需求,提供解决上述问题的技术方案即为本技术所欲解决的问题。
技术实现思路
本技术主要目的在于提供一种发光二极管封装用基板,以提供增加反射杯及基板之间的接合力,以解决反射杯自基板表面发生剥离而造成水气侵入的问题。为了达成上述的目的,本技术提供一种发光二极管封装用基板,包括一陶瓷基底且具有一上表面,上表面包含一固晶区及环绕于固晶区外围一杯体 预定成型区,于杯体预定成型区的上表面形成有一复合接着层,复合接着层的侧表面具有至少一凹部。为了达成上述的目的,本技术另提供一种发光二极管封装用基板,包括一陶瓷基底,具有一上表面,上表面包含一固晶区及环绕于固晶区外围一杯体预定成型区,于杯体预定成型区的上表面形成有一复合接着层,复合接着层的侧表面具有至少一凹部;至少二电极层设于上表面的固晶区;一反射杯成形于杯体预定成型区且包覆复合接着层,并延伸至凹部内。于一实施例所述,复合接着层包含一第一接着层与设于第一接着层上的一第二接着层,其中第一接着层与第二接着层分别具有一最大断面宽度,第二接着层的最大断面宽度大于或等于第一接着层的最大断面宽度。于一实施例所述,第二接着层为一防焊油墨层(Solder Mask)。于一实施例所述,复合接着层沿杯体预定成型区形成连续环状。于一实施例所述,复合接着层沿杯体预定成型区形成间断环状。于一实施例所述,其中于第一接着层与第二接着层之间形成一T字形、一伞状或一倒L形的断面结构。于一实施例所述,第二接着层形成一T字形、一伞状或一倒L形的断面结构。于一实施例所述,电极层与第一接着层分离。于一实施例所述,其中电极层与第一接着层为相同材料组成。本技术所述的功效在于:经由复合接着层与各元件接着力差异特性、结构型态以及形成位置,能有效防止反射杯于陶瓷基底剥离的问题,以防止外界水气及灰尘微粒侵入封装内部,有助于提升发光二极管的寿命与效能,且以更简化的制程工序,同时解决反射杯自基底表面发生剥离而造成水气侵入以及偏高成本与耗时的问题。以下结合附图和具体实施例对本技术进行详细描述,但不作为对本技术的限定。附图说明图1是本技术发光二极管封装结构一实施例的剖视图。图2是本技术发光二极管封装结构一实施例的俯视图。图3是本技术复合接着层另一实施例的俯视图。图4是本技术发光二极管封装结构一实施例的局部剖视图。图5是本技术发光二极管封装结构另一实施例的局部剖视图。图6是本技术发光二极管封装结构再另一实施例的局部剖视图。图7是本技术不同发光二极管封装形态的剖视图。其中,附图标记10…基板10a…上表面10b…下表面11…贯孔20,20’,20"…复合接着层200,200’,200"…凹部21,21’,21"…第一接着层22,22’,22"…第二接着层23,23’,23"…接触面30…电极层40…LED晶粒41…导线42…焊垫50…反射杯51…底缘52…顶缘53…反射面60…封装层Z1…固晶区Z2…杯体预定成型区具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本技术技术方案进行详细的描述,以更进一步了解本技术的目的、方案及功效,但并非作为本技术所附权利 要求保护范围的限制。请参阅图1与7所示,本技术提供一种发光二极管封装用基板,而应用该封装用基板所形成的封装结构包含一基板10、至少二电极层30、至少一LED晶粒40、一反射杯50以及一封装层60,而封装方式可采用直接封装制程(Chip On Board)、有引线覆晶封装制程或者无引线覆晶封装制程,在此不限定,依实际产品需求做改变。基板10为一陶瓷基底,该陶瓷基底选自一氮化铝(ALN)、氧化铝(Al2O3)、碳化硅(SiC)、氧化铍(BeO)中任一者,而基板10的形状不限于矩形,亦可为圆形等其他形式,其中该基板10具有一上表面10a与一下表面10b,该上表面10a定义有一固晶区Z1与一杯体预定成型区Z2,于固晶区Z1的上表面10a开设至少二贯孔11以贯通上表面10a及下表面10b,该贯孔11以机械加工方式或者以激光打孔方式形成,而该贯孔11可为具有相同孔径一直状孔洞、一扩径孔洞、一缩径孔洞或者一阶梯状孔洞,在此不限定,依实际情况做调整,杯体预定成型区Z2环绕于该固晶区Z1外围配置,以提供反射杯50射出成型于该区位置且藉以裸露该固晶区Z1。电极层30可经由真空溅镀、离子镀膜、电镀以及金属厚化制成等制程形成于固晶区Z1的上表面10a、下表面10b且以前述方式填镀于贯孔11以使上表面的电极层30与下表面10b的电极层30导通,而该电极层所用材料可选自一含金、铝、银、铜、镍、铂、钛、镁或者锡金属材料或前述任一者合金材料,至少一LED晶粒40可经由一焊垫42与其中一电极层30连接,且透过一导线41电性连接至另一电极层30,进一步说明,视不同封装型式,例如COB封装方式或者覆晶封装方式,以及LED晶粒结构的态样而形成LED晶粒40与电极层30连接的型式不同,本技术图1仅表示LED晶粒40的正极与负极配置于不同侧的一实施态样,而本技术图7仅表示为LED晶粒40的正极与负极配置于相同侧的另一实施态样,不以此图式作为限制,而形成于下表面10b的电极层30电性连接一印刷电路板(图未示)以提供LED晶粒40致光的电力来源;亦或是LED晶粒40可采用覆晶封装方式(Filp Chip)与电极层30电性连接。请参阅图1至3所示,本技术所述的封装用基板于该杯体预定成型区Z2形成有一复合接着层20,该复合接着层20的侧表面具有至少一凹部200, 该凹部200可为复合接着层20表面的一凹槽结构,或者是复合接着层20与基板10的上表面10a共构成该凹槽结构,虽图1中表示为复合接着层20与基板10的上表面10a共构成该凹槽结构,但不依此为限,较佳地,该凹部200的开口朝向沿着平行上表面10a的方向,前述的平行该上表面10a仅是一近似平行概念,而非拘限于物理定义上的平行,而复合接着层20可为沿杯体预定成型区Z2形成一连续环状型态,如图2,或者为沿杯体预定成型区Z2形成不连续环状型态,如图3,而图3仅表示复合接着层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装用基板,其特征在于,包括:一陶瓷基底,具有一上表面,该上表面包含:一固晶区;以及一杯体预定成型区,环绕于该固晶区外围,于该杯体预定成型区内的该上表面形成有一复合接着层,该复合接着层的侧表面具有至少一凹部。

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管封装用基板,其特征在于,包括:一陶瓷基底,具有一上表面,该上表面包含:一固晶区;以及一杯体预定成型区,环绕于该固晶区外围,于该杯体预定成型区内的该上表面形成有一复合接着层,该复合接着层的侧表面具有至少一凹部。2.一种发光二极管封装用基板,其特征在于,包含:一陶瓷基底,具有一上表面,该上表面包含:一固晶区;一杯体预定成型区,环绕于该固晶区外围,于该杯体预定成型区内的该上表面形成有一复合接着层,该复合接着层的侧表面具有至少一凹部;至少二电极层,设于该固晶区的该上表面;以及一反射杯,成形于该杯体预定成型区且包覆该复合接着层且延伸至该凹部内。3.如权利要求1或2所述的发光二极管封装用基板,其特征在于,该复合接着层包含一第一接着层与设于该第一接着层上的一第二接着层,该第一接着层与该第二接着层分别具有一最大断面宽度,该第二接着层的该最大断面宽度大于或等于该第一接着层的该最大断面宽度。4.如权利要求3所述的发...

【专利技术属性】
技术研发人员:林祐任
申请(专利权)人:立诚光电股份有限公司
类型:新型
国别省市:中国台湾;71

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