半导体存储装置及其操作方法制造方法及图纸

一种半导体存储装置，可以包括：存储区；以及控制器，包括寄存器，寄存器被配置为储存参数设置数据，并且基于数据传输使能信号来将参数设置数据提供给存储区，数据传输使能信号根据参数设置命令或参数获取命令来使能。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求于2015年3月19日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2015-0038193的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
各种实施例涉及一种半导体装置，更具体地，涉及一种半导体存储装置及其操作方法。
技术介绍
通过快闪存储装置呈现的非易失性存储装置能够减小尺寸并增大容量。此外，非易失性存储装置具有高的数据处理速度。近来，已经持续进行了各种研究以提升非易失性存储装置的性能。特别地，高速缓存操作已经被建议用来支持高速操作。当使用高速缓存操作时，在编程操作或读取操作期间能够通过管线(pipeline)方法来处理数据。非易失性存储器件可以根据制造工艺和使用计数而具有不同的操作特性。此外，最新的非易失性存储装置已经被设计为根据被应用了非易失性存储装置的设备来改变操作特性，由此保证兼容性。可以将基于操作模式而定义操作特性的操作参数储存在非易失性存储装置的特定区域中，以及可以基于储存的操作参数来执行编程操作、擦除操作或读取操作。此外，当发生要改变操作参数的事件时，要被改变的操作参数可以首先被储存然后被读取。编程操作、擦除操作或读取操作根据改变过的操作参数来执行。
技术实现思路
在一个实施例中，一种半导体存储装置可以包括存储区。该半导体存储装置也可以包括控制器，控制器包括寄存器，寄存器被配置为储存参数设置数据，并且基于数据传输使能信号来将参数设置数据提供给存储区，数据传输使能信号根据参数设置命令或参数获取命令来使能。在一个实施例中，提供一种半导体存储装置的操作方法，该半导体存储装置包括存储区和用于控制存储区的控制器。该操作方法可以包括储存参数设置数据。该操作方法
也可以包括根据数据传输使能信号来将参数设置数据提供给存储区，数据传输使能信号响应于参数设置命令或参数获取命令来使能。在一个实施例中，一种半导体存储装置可以包括存储区。该半导体存储装置也可以包括控制器，控制器被配置为接收参数设置命令或参数获取命令，储存数据或参数设置数据，以及根据参数设置命令或参数获取命令来输出参数设置数据。附图说明图1是根据本专利技术的一个实施例的半导体存储装置的配置图；图2是根据一个实施例的寄存器的配置图；图3是根据一个实施例的寄存器的电路图；图4是根据本专利技术的一个实施例的数据传输使能信号发生电路的配置图；图5和图6是根据本专利技术的实施例的参数输出控制信号发生电路的配置图；图7是根据本专利技术的一个实施例的数据处理系统的配置图；以及图8和图9是根据实施例的电子系统的配置图。具体实施方式将参照附图来更详细地描述示例性实施例。在本文中参照为示例性实施例和中间结构的示意图的剖视图来描述示例性实施例。这样，可预期作为例如制造技术和/或容限的结果的来自示图的形状的变化。因此，实施例不应被解释为局限于本文中图示的区域的特定形状，而可以包括由例如制造所导致的形状偏差。在附图中，可以为了清晰而夸大层和区域的长度和尺寸。在附图中相同的附图标记表示相同的元件。也要理解，当一层被称作在另一层或衬底“上”时，其能够直接在另一层或衬底上，或者可以存在中间层。也要注意，在说明书中，“连接/耦接”不仅指一个部件直接耦接到另一个部件，也指一个部件通过中间部件而间接地耦接到另一个部件。此外，只要未明确提及，则单数形式可以包括复数形式，反之亦然。在本文中参照为示例性实施例的示意图的剖视图和/或平面图来描述本专利技术构思。然而，实施例不应为限制性的或者不应被解释为局限于本专利技术构思。尽管将示出并描述若干实施例，但本领域技术人员将明白，在不脱离本专利技术构思的原理和精神的情况下，可以在这些示例性实施例中做出改变。参见图1，描述了根据一个实施例的半导体存储装置的配置图。如图1中所示，半导体存储装置100可以包括控制器110和存储区120。控制器110可以根据从外部提供的信号来控制存储区120的全部操作。特别地，控制器110可以从外部设备接收命令CMD和控制信号(CE(芯片使能)、CLE(命令锁存使能)、ALE(地址锁存使能)、RE(读取使能)、WE(写入使能)和RB(就绪/繁忙))。外部设备可以为例如主机设备。控制器110可以将数据IO传输到外部设备或者从外部设备接收数据IO。控制器110可以将命令CMD解码并执行与解码结果相对应的操作。输入到控制器110的命令CMD可以包括参数设置命令SETPARA和/或参数获取命令GETPARA。在这种情形下，根据参数设置命令SETPARA之后接收到的地址信号和数据，控制器110可以将数据或参数设置数据储存在寄存器112的由地址信号指示的对应的区域中。响应于参数设置命令SETPARA而被储存在寄存器112中的参数设置数据可以响应于参数获取命令GETPARA而从寄存器112输出。参数设置数据也可以被提供给存储区120。在一个实施例中，寄存器112可以用多级锁存器或最好用二级锁存器来实施以支持高速缓存操作。此外，为了将储存在寄存器112中的参数设置数据输出，可能需要控制信号以将前级锁存器的数据传输到后级锁存器。在一个实施例中，可以基于在施加参数获取命令GETPARA时使能的信号(例如，参数读取命令READPARA)来产生用于控制寄存器112的操作的数据传输使能信号。相应地，当参数获取命令GETPARA被施加时，前级锁存器的数据可以响应于参数读取命令READPARA而传输到后级锁存器并从寄存器112输出。在一个实施例中，可以基于在施加参数设置命令SETPARA之后施加的命令(例如，建立命令(setup command)SETUP)来产生数据传输使能信号。因此，在参数设置数据根据参数设置命令SETPARA而被储存在寄存器112中之后，前级锁存器的数据可以响应于建立命令SETUP来传输到后级锁存器。在一个实施例中，可以基于在施加参数设置命令SETPARA之后施加的命令(例如，参数设置确认命令SETCNFM)来产生数据传输使能信号。在这种情形下，在参数设置数据根据参数设置命令SETPARA而被储存在寄存器112中之后，前级锁存器的数据可以根据参数设置确认命令SETCNFM来传输到后级锁存器。在一个实施例中，可以基于施加参数设置命令SETPARA之后施加的命令(例如，建立命令SETUP和参数设置确认命令SETCNFM)来产生数据传输使能信号。在这种
情形下，在参数设置数据根据参数设置命令SETPARA而被储存在寄存器112中之后，在建立命令SETUP被施加之后数据传输使能信号可以被使能直到参数设置确认命令SETCNFM被禁止，使得前级锁存器中的数据能够传输到后级锁存器。当参数设置数据被储存然后被输出时，储存在寄存器112中的参数设置数据可以响应于参数设置命令SETPARA或参数获取命令GETPARA而输出。结果，可以输出参数设置数据，而不执行用于操作寄存器112的不必要的虚设操作。当需要改变半导体存储装置100的操作特性时，可以从外部设备(诸如，主机)提供参数设置命令SETPARA，但不局限为如此。存储区120可以包括半导体存储单元阵列和用于半导体存储单元阵列的存取电路单元。存取电路单元可以包括行控制单元、列控制单元、输入/输出电路单元和电压提供单元等。在一个实施例中，存储单元阵列可以包括多个块本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体存储装置，包括：存储区；以及控制器，包括寄存器，寄存器被配置为储存参数设置数据，并且基于数据传输使能信号来将参数设置数据提供给存储区，数据传输使能信号根据参数设置命令或参数获取命令来使能。

【技术特征摘要】
2015.03.19 KR 10-2015-00381931.一种半导体存储装置，包括：存储区；以及控制器，包括寄存器，寄存器被配置为储存参数设置数据，并且基于数据传输使能信号来将参数设置数据提供给存储区，数据传输使能信号根据参数设置命令或参数获取命令来使能。2.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，寄存器包括：第一储存单元，被配置为根据参数设置命令和第一地址信号来储存参数设置数据；第二储存单元，被配置为根据参数获取命令和第二地址信号来输出参数设置数据；以及传输单元，被配置为基于数据传输使能信号来将储存在第一储存单元中的参数设置数据传输到第二储存单元，数据传输使能信号响应于参数设置命令或参数获取命令来使能。3.如权利要求1所述的半导体存储装置，其中，数据传输使能信号根据响应于参数获取命令而被使能的信号来产生。4.如权利要求3所述的半导体存储装置，其中，响应于参数获取命令而被...

【专利技术属性】
技术研发人员：印银奎，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR