一种半导体元器件解焊方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体元器件解焊方法，所述半导体元器件解焊方法包括以下步骤：将待加工的半导体元器件固定在待解焊区域内；设置加热源并同时加热；使加热源与待解焊区域保持合适的安全距离；将加热源对准待解焊区域内的半导体元器件的焊点进行热风解焊，并利用加热源自身热风将工件待解焊部分吹飞，上述步骤能够实现样品处理高效率，可连续多次处理样品，并改善了原破坏性物理方法的良品率和处理效率，另外，上述步骤安全性高，因为解焊温度和距离都可调控，改变了物理性分离技术中如操作不慎会造成样品损伤的情形，利用在高温下膨胀产生的推力，使得解焊分离过程更安全。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子器件解焊方法，尤其涉及一种半导体元器件解焊方法。
技术介绍
现有的普通半导体元件产品(IC)的结构主要为单颗硅芯片结构或多颗硅芯片叠封结构，而MEMs(英文：Micro Electro Mechanical Systems，缩写为MEMS，中文：微机电系统)器件虽属于半导体元件领域，但结构上与普通半导体元件不同。现有热风枪的作用主要用于芯片焊接作业及芯片解焊作业，依据焊锡180°至230°温度条件下熔化的特性，给待作业之芯片供给合适温度条件。一般热风枪可提供的温度条件为0至800度。现有MEMs器件Si-cap分离技术主要为物理性破坏。该方法操作复杂，并极易损伤器件本体。
技术实现思路
鉴于目前电子器件解焊存在的上述不足，本专利技术提供一种半导体元器件解焊方法，能够实现连续多次处理样品，并改善了原破坏性物理方法的良品率和处理效率，方法具有操作简单、安全性高。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：一种半导体元器件解焊方法，所述半导体元器件解焊方法包括如下步骤：将待加工的半导体元器件固定在待解焊区域内；设置加热源并同时加热；使加热源与待解焊区域保持合适的安全距离；将加热源对准待解焊区域内的半导体元器件的焊点进行热风解焊，并利用加热源自身热风将工件待解焊部分吹飞。依照本专利技术的一个方面，所述设置加热源并同时加热步骤中包括：加热的时间介于50s～60s之间，温度介于700℃～800℃之间。依照本专利技术的一个方面，所述使加热源与待解焊区域保持合适的安全距离步骤中包括：加热源与待解焊区域的安全距离可调控，且距
离介于2.5mm～4.5mm。依照本专利技术的一个方面，所述使加热源与待解焊区域保持合适的安全距离步骤中包括：加热源与待解焊区域的安全距离可调控，且距离介于3mm～4mm。依照本专利技术的一个方面，所述使加热源与待解焊区域保持合适的安全距离步骤中包括：加热源与待解焊区域的安全距离可调控，且距离为3.5mm。依照本专利技术的一个方面，所述将加热源对准待解焊区域内的半导体元器件的焊点进行热风解焊，并利用加热源自身热风将工件待解焊部分吹飞步骤中包括：加热源的热风温度可调控，保持加热源的热风温度在750℃，对待加工的半导体元器件焊点解焊加热时间为10min。依照本专利技术的一个方面，所述将加热源对准待解焊区域内的半导体元器件的焊点进行热风解焊，并利用加热源自身热风将工件待解焊部分吹飞步骤中还包括：解焊作业完成后，加热源热风风速加大，将待解焊部分吹飞，其中热风风速设定在560L/min～680L/min之间。本专利技术实施的优点：通过将待加工的半导体元器件固定在待解焊区域内；设置加热源并同时加热；使加热源与待解焊区域保持合适的安全距离；将加热源对准待解焊区域内的半导体元器件的焊点进行热风解焊，并利用加热源自身热风将工件待解焊部分吹飞，上述步骤能够实现样品处理高效率，原物理性分离技术需要对每个待分析的样品制样后再做分离，利用上述步骤后无需制样，可连续多次处理样品，并改善了原破坏性物理方法的良品率和处理效率，另外，上述步骤安全性高，因为解焊温度和距离都可调控，不会造成电子元器件临近的加热源的电路板软化变形，难以再利用，也改变了物理性分离技术中如操作不慎，会造成样品损伤的情形，利用在高温下膨胀产生的推力，使得解焊分离过程更安全。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例中的技术方案，下面将对实施例中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术所述的一种半导体元器件解焊方法的方法流程图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。实施例1：如图1所示，一种半导体元器件解焊方法，所述半导体元器件解焊方法包括如下步骤：步骤S1：将待加工的半导体元器件固定在待解焊区域内；通过螺栓将半导体元器件固定在待解焊区域内。步骤S2：设置加热源并同时加热；所述步骤S2：在待解焊区域附近设置加热源并同时加热步骤中包括：加热的时间介于50s～60s之间，温度介于700℃～800℃之间。加热源主要是热风枪，利用热风的原理直接吹灌在半导体元器件上欲移除的部分的焊接点，使其周边的焊锡溶化，再利用热风枪的热将欲移除的部分吹飞，且热风枪与半导体元器件的距离、热风的温度都可调控，可轻易将欲移除部分分离出去，其余半导体元器件还可再利用。步骤S3：使加热源与待解焊区域保持合适的安全距离；所述步骤S3：使加热源与待解焊区域保持合适的安全距离步骤中包括：加热源与待解焊区域的安全距离可调控，且距离介于2.5mm～4.5mm。加热源与待解焊区域的安全距离的远近关系到拆解后的半导体元器件能否再利用和拆解效率的高低，加热源离半导体元器件太近，容易造成该半导体元器件临近的加热源电路板软化变形，难以再利用。加热源离半导体元器件太远，热风解焊的时间就会加长，导至半导体元器件拆解效率的低下。步骤S4：将加热源对准待解焊区域内的半导体元器件的焊点进行热风解焊，并利用加热源自身热风将工件待解焊部分吹飞。所述步骤S4：将加热源对准待解焊区域内的半导体元器件的焊点
进行热风解焊，并利用加热源自身热风将工件待解焊部分吹飞步骤中包括：加热源的热风温度可调控，保持加热源的热风温度在750℃，对待加工的半导体元器件焊点解焊加热时间为10min。所述步骤S4：将加热源对准待解焊区域内的半导体元器件的焊点进行热风解焊，并利用加热源自身热风将工件待解焊部分吹飞步骤中还包括：解焊作业完成后，加热源热风风速加大，将待解焊部分吹飞，其中热风风速设定在560L/min～680L/min之间。必须保持加热源热风的温度的恒定，在溶化半导体元器件上欲移除部分焊接点的焊锡时，可保证其余半导体元器件的电路板不软化变形还能再利用，还可保证半导体元器件拆解效率的提高。通过将待加工的半导体元器件固定在待解焊区域内；在待解焊区域附近设置加热源并同时加热；使加热源与待解焊区域保持合适的安全距离；将加热源对准待解焊区域内的半导体元器件的焊点进行热风解焊，并利用加热源自身热风将工件待解焊部分吹飞，上述步骤能够实现样品处理高效率，原物理性分离技术需要对每个待分析的样品制样后再做分离，利用上述步骤后无需制样，可连续多次处理样品，并改善了原破坏性物理方法的良品率和处理效率，另外，上述步骤安全性高，因为解焊温度和距离都可调控，不会造成电子元器件临近的加热源的电路板软化变形，难以再利用，也改变了物理性分离技术中如操作不慎，会造成样品损伤的情形，利用在高温下膨胀产生的推力，使得解焊分离过程更安全。实施例2：如图1所示，一种半导体元器件解焊方法，所述半导体元器件解焊方法包括如下步骤：步骤S1：将待加工的半导体元器件固定在待解焊区域内；通过螺栓将半导体元器件固定在待解焊区域内。步骤S2：设置加热源并同时加热；所述步骤S2：设置加热源并同时加热步骤中包括：加热本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体元器件解焊方法，其特征在于，所述半导体元器件解焊方法包括如下步骤：将待加工的半导体元器件固定在待解焊区域内；设置加热源并同时加热；使加热源与待解焊区域保持合适的安全距离；将加热源对准待解焊区域内的半导体元器件的焊点进行热风解焊，并利用加热源自身热风将工件待解焊部分吹飞。

【技术特征摘要】
1.一种半导体元器件解焊方法，其特征在于，所述半导体元器件解焊方法包括如下步骤：将待加工的半导体元器件固定在待解焊区域内；设置加热源并同时加热；使加热源与待解焊区域保持合适的安全距离；将加热源对准待解焊区域内的半导体元器件的焊点进行热风解焊，并利用加热源自身热风将工件待解焊部分吹飞。2.根据权利要求1所述的半导体元器件解焊方法，其特征在于，所述设置加热源并同时加热步骤中包括：加热的时间介于50s～60s之间，温度介于700℃～800℃之间。3.根据权利要求1所述的半导体元器件解焊方法，其特征在于，所述使加热源与待解焊区域保持合适的安全距离步骤中包括：加热源与待解焊区域的安全距离可调控，且距离介于2.5mm～4.5mm。4.根据权利要求3所述的半导体元器件解焊方法，其特征在于，所述使加热源与待解焊区域保持合适的安全距离步骤中包括：加热源与待解焊区域的安全距离可调控...

【专利技术属性】
技术研发人员：龚慧兰，
申请(专利权)人：泓准达科技上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31