本发明专利技术的实施方式提供一种能够抑制衬底上的布线断裂的半导体装置。根据一实施方式,半导体装置包含:衬底;第一端子,设置在衬底上;及第二端子,设置在衬底上,位于第一端子的第一方向。所述装置还具备:第一布线,设置在衬底上,连接在第一端子的第一部位;及第二布线,设置在衬底上,连接在第二端子的第二部位。所述装置还具备:零件,设置在第一及第二端子上,电连接在第一及第二端子;以及密封树脂,覆盖第一及第二端子、第一及第二布线、及零件。而且,第一及第二部位设置在从零件的与第一方向正交的第二方向的两端部向第一方向延伸的延长线所夹的范围外且从零件的第一方向的两端部向第二方向延伸的延长线所夹的范围外。
【技术实现步骤摘要】
[相关申请案]本申请案享受将日本专利申请案2014-187801号(申请日:2014年9月16日)作为基础申请案的优先权。本申请案通过参照该基础申请案而包含基础申请案的全部内容。
本专利技术的实施方式涉及一种半导体装置。
技术介绍
在利用铸模树脂对半导体封装体进行密封的情况下,必须保证半导体装置对半导体封装体的内部及外部的温度变化的耐受性。近年来,越来越多地将设置在布线衬底表面的表面安装零件安装在半导体封装体内。在该情况下,关于半导体封装体内的表面安装零件,也必须保证对温度变化的耐受性。在布线衬底表面设置表面安装零件的情况下,在布线衬底设置用来与表面安装零件电连接的安装端子、及连接在安装端子的布线。有如下情况:如果半导体封装体内的温度变化较大,那么该布线会因布线衬底上的构件彼此的线膨胀系数的不同而断裂。布线衬底上的构件多数情况下由线膨胀系数较高的材料形成,因此在表面安装零件由线膨胀系数较低的材料形成的情况下,布线在表面安装零件的附近断裂的可能性较高。布线的断裂虽然可通过扩大布线宽度而抑制,但布线设计的自由度会因此降低。
技术实现思路
本专利技术的实施方式提供一种能够抑制衬底上的布线断裂的半导体装置。根据一实施方式,半导体装置包含:衬底;第一端子,设置在所述衬底上;及第二端子,设置在所述衬底上,位于所述第一端子的第一方向。所述装置还具备:第一布线,设置在所述衬底上,连接在所述第一端子的第一部位;及第二布线,设置在所述衬底上,连接在所述第二端子的第二部位。所述装置还具备:零件,设置在所述第一及第二端子上,电连接在所述第一及第二端子;以及密封树脂,覆盖所述第一及第二端子、所述第 一及第二布线、及所述零件。而且,所述第一及第二部位设置在从所述零件的与所述第一方向正交的第二方向的两端部向所述第一方向延伸的延长线所夹的范围外,且设置在从所述零件的所述第一方向的两端部向所述第二方向延伸的延长线所夹的范围外。附图说明图1(a)及(b)是表示第一实施方式的半导体装置的构造的俯视图及剖视图。图2(a)及(b)是表示第一实施方式的比较例的半导体装置的构造的俯视图及剖视图。图3(a)及(b)是用来对第一实施方式的半导体装置与其比较例的半导体装置进行比较的俯视图。图4(a)及(b)是表示第一实施方式的变化例的半导体装置的构造的俯视图及剖视图。图5(a)及(b)是表示第二实施方式的半导体装置的构造的俯视图及剖视图。图6(a)及(b)是表示第二实施方式的变化例的半导体装置的构造的俯视图及剖视图。图7是表示第三实施方式的半导体装置的构造的俯视图。图8是表示第四实施方式的半导体装置的构造的俯视图。图9是表示第五实施方式的半导体装置的构造的俯视图。图10是表示第六实施方式的半导体装置的构造的俯视图。具体实施方式以下,参照附图说明本专利技术的实施方式。(第一实施方式)图1是表示第一实施方式的半导体装置的构造的俯视图及剖视图。图1(a)是表示半导体装置的构造的俯视图。图1(b)是沿图1(a)的I-I'线的剖视图。本实施方式的半导体装置具备:布线衬底1,作为衬底的示例;第一及第二安装端子2a、2b,作为第一及第二端子的示例;第一及第二布线3a、3b;阻焊剂4,具有第一及第二开口部4a、4b;及安装零件5,作为零件的示例。本实施方式的半导体装置还具备第一及第二焊料6a、6b、作为密封树脂的示例的铸模树脂7、及外壳8。此外,图1(a)中,为了易于观察图而省略这些的图示。[布线衬底1]布线衬底1用来安装半导体芯片或各种零件。布线衬底1的示例为绝缘衬底。图1(a)及图1(b)表示与布线衬底1的表面平行且相互垂直的X方向及Y方向、以及与布线衬底 1的表面垂直的Z方向。X方向与Y方向分别是第一方向与第二方向的示例。本说明书中,将+Z方向视为上方向处理,将-Z方向视为下方向处理。例如,布线衬底1与安装零件5的位置关系被表达为布线衬底1位于安装零件5的下方。此外,-Z方向可以与重力方向一致,也可以不与重力方向一致。[安装端子2a、2b]第一安装端子2a设置在布线衬底1上。第二安装端子2b设置在布线衬底1上,位于第一安装端子2a的X方向。第一及第二安装端子2a、2b的示例是包含Cu(铜)层、Ni(镍)层、及Au(金)层的积层膜。第一安装端子2a具备:第一端部A1,与第二安装端子2b对向;第二端部A2,与第一端部A1为相反侧;及一个以上的第三端部A3、A4,位于第一端部A1与第二端部A2之间。本实施方式的第一安装端子2a的形状为长方形,本实施方式的第一安装端子2a具备四个端部A1~A4。第一端部A1与第二端部A2沿Y方向平行地延伸。第三端部A3、A4沿X方向平行地延伸。此外,第一安装端子2a的形状也可以是长方形以外的形状。第二安装端子2b具备:第四端部B1,与第一安装端子2a对向;第五端部B2,与第四端部B1为相反侧;及一个以上的第六端部B3、B4,位于第四端部B1与第五端部B2之间。本实施方式的第二安装端子2b的形状为长方形,本实施方式的第二安装端子2b具备4个端部B1~B4。第四端部B1与第五端部B2沿Y方向平行地延伸。第六端部B3、B4沿X方向平行地延伸。此外,第二安装端子2b的形状也可以是长方形以外的形状。[布线3a、3b]第一布线3a设置在布线衬底1上,连接在第一安装端子2a的第一部位Ka。本实施方式的第一部位Ka设置在第一安装端子2a的第三端部A4。本实施方式的第一布线3a沿Y方向延伸。第二布线3b设置在布线衬底1上,连接在第二安装端子2b的第二部位Kb。本实施方式的第二部位Kb设置在第二安装端子2b的第六端部B4。本实施方式的第二布线3b沿Y方向延伸。第一及第二布线3a、3b的示例为Cu(铜)层。本实施方式的第一及第二布线3a、3b相互平行地延伸。另外,本实施方式的第一及第二部位Ka、Kb分别设置在第一及第二安装端子2a、2b的相同侧的端部A4、B4。此外,第一及第二安装端子2a、2b例如可通过在第一及第二布线3a、3b的Cu层 的一部分积层Ni层与Au层而形成。[阻焊剂4]阻焊剂4以覆盖第一及第二布线3a、3b的方式形成在布线衬底1上。图1(a)以交叉影线表示阻焊剂4的形成区域。本实施方式的阻焊剂4具有NSMD(Non Solder Mask Defined,非阻焊层限定)构造。由此,第一及第二开口部4a、4b分别具有比第一及第二安装端子2a、2b大的面积,阻焊剂4不与第一及第二安装端子2a、2b接触。[安装零件5]安装零件5设置在第一及第二安装端子2a、2b上,电连接在第一及第二安装端子2a、2b。本实施方式的安装零件5是使用陶瓷而形成。安装零件5的示例是积层陶瓷电容器、或使用陶瓷的芯片电阻。安装零件5也可以使用线膨胀系数较低的除陶瓷以外的材料而形成。本实施方式的安装零件5的平面形状是具有与X方向平行的长边及与Y方向平行的短边的长方形。但,安装零件5的平面形状也可以是长方形以外的形状。[焊料6a、6b]第一焊料6a设置在第一开口部4a,将第一安装端子2a与安装零件5电连接。第二焊料6b设置在第二开口部4b,将第二安装端子2b与安装零件5电连接。第一及第二焊料6a、6b的材料例如为Sn(锡)合金。[铸模树脂7与外壳8]铸模树脂7与外壳8以覆盖第一及本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体装置,其特征在于包含:衬底;第一端子,设置在所述衬底上;第二端子,设置在所述衬底上,位于所述第一端子的第一方向;第一布线,设置在所述衬底上,连接在所述第一端子的第一部位;第二布线,设置在所述衬底上,连接在所述第二端子的第二部位;零件,设置在所述第一及第二端子上,电连接在所述第一及第二端子;以及密封树脂,覆盖所述第一及第二端子、所述第一及第二布线、以及所述零件;并且所述第一及第二部位设置在从所述零件的与所述第一方向正交的第二方向的两端部向所述第一方向延伸的延长线所夹的范围外且从所述零件的所述第一方向的两端部向所述第二方向延伸的延长线所夹的范围外。
【技术特征摘要】
2014.09.16 JP 2014-1878011.一种半导体装置,其特征在于包含:衬底;第一端子,设置在所述衬底上;第二端子,设置在所述衬底上,位于所述第一端子的第一方向;第一布线,设置在所述衬底上,连接在所述第一端子的第一部位;第二布线,设置在所述衬底上,连接在所述第二端子的第二部位;零件,设置在所述第一及第二端子上,电连接在所述第一及第二端子;以及密封树脂,覆盖所述第一及第二端子、所述第一及第二布线、以及所述零件;并且所述第一及第二部位设置在从所述零件的与所述第一方向正交的第二方向的两端部向所述第一方向延伸的延长线所夹的范围外且从所述零件的所述第一方向的两端部向所述第二方向延伸的延长线所夹的范围外。2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于:所述第一端子包含:与所述第二端子对向的第一端部、所述第一端部的相反侧的第二端部、以及位于所述第一端部与所述第二端部之间的一个以上的第三端部;所述第二端子包含:与所述第一端子对向的第四端部、所述第四端部的相反侧的第五端部、以及位于所述第四端部与所述第五端部之间的一个以上的第六端部;并且所述第一部位设置在所述第三端部中的任一个;所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员:片冈忠,
申请(专利权)人:株式会社东芝,
类型:发明
国别省市:日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。