层压芯片装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种层压芯片装置，其包含：第一层压体，其中形成于多个片材上的多个导体图案通过形成为穿透至少一个片材的通孔彼此连接；第二层压体，其提供于第一层压体上方或下方并且具有形成于多个片材上的多个内电极图案，并且内电极图案在对应于通孔的区域的至少一部分中具有非导电区域。该层压芯片装置具有彼此不同的特征的单元装置层压在单芯片上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种层压芯片装置，且更确切地说，涉及一种其中具有不同特征的至少两个单元装置组合在单芯片中的层压芯片装置。
技术介绍
电阻器(R)、电容器(C)和电感器(L)是电子电路中的典型无源装置，并且这些典型无源装置具有各种各样的功能和作用。例如，电阻器用来控制流过电路的电流的流动并且实现交流电电路中的阻抗匹配。尽管电容器基本上用来切断直流电且传递交流电，但是电容器用来构成时间常数电路、时间延迟电路以及RC和LC滤波电路，并且电容器本身还用来消除噪声。电感器执行消除高频噪声、匹配阻抗等的功能。此外，变阻器的电阻根据外加电压而改变，因此变阻器广泛地用作保护装置以用于保护重要的电子组件以及电路免受过电压(浪涌电压)和静电的影响。也就是说，在普通条件下电流不会流入变阻器中；然而，当超过预定电压水平的过电压被施加到变阻器的两端时，变阻器的电阻大幅度减小以使大部分电流能够流过变阻器，使得电流不会流入其它装置中，由此保护电路免受过电压的影响。变阻器往往会根据电子设备的微型化而被微型化和阵列化以保护高度集成的电路以及其类似者免受静电和过电压的影响。或者，可以组合具有彼此不同的特征的至少两个单元装置来形成单芯片。例如，变阻器和电阻器可以进行组合以有效地保护重要电子组件或电路免受过电压的影响。此外，变阻器和电感器的组合、变阻器和电容器的组合或电感器和电容器的组合可以消除噪声分量以确保电气组件或电路的稳定操作。如上所述，在至少两个单元装置组合在单芯片中的情况下，芯片通过在垂直方向上层压多个片材制成并且用于实施每个装置的导体图案(例如，电极)形成于每个片材上。此外，在层压芯片装置中，穿孔形成为穿透每个片材，并且穿孔填充有导体以在垂直方向上将导体图案彼此连接。由于芯片通过层压和压缩多个片材制成，因此在其中形成穿孔的区域中，且确切地说，
在其中穿孔彼此重叠的区域中积累应力以导致导体在穿孔中的变形，由此导致导体和与其相邻的导体图案之间的距离变得小于最初设计的距离。因此，层压芯片装置未能适当地实施所设计特征，并且在穿孔中的导体严重变形的情况下，电局部集中以导致短路、漏电流或瞬变电流的出现。相关技术文献[专利文献](文献0001)第10-0578296号韩国专利
技术实现思路
本专利技术提供一种其中具有彼此不同的特征的单元装置层压在单芯片上的层压芯片装置。本专利技术还提供一种能够阻止由穿孔的重叠引起的应力并且因此抑制短路、漏电流或瞬变电流的层压芯片装置。根据本专利技术的方面，层压芯片装置包含：第一层压体，其包含分别提供于多个片材上的多个导体图案，所述导体图案通过形成为穿透至少一个片材的通孔垂直地彼此连接；以及第二层压体，其安置于第一层压体上方和下方并且包含提供于多个片材上的多个内电极图案，并且所述内电极图案配备有在对应于通孔的区域的至少一部分中的非导电区域。第一层压体可以包含至少一个电感器，并且第二层压体可以包含至少一个电容器。导体图案可以包含在一个方向以及与其相反的另一方向上延伸的暴露的至少一个引线图案；以及提供于引线图案之间的多个线圈图案，并且所述引线图案和所述多个线圈图案可以通过通孔在垂直方向上彼此连接。通孔可以包含：在垂直方向上彼此间隔开的第一末端通孔和第二末端通孔，其提供于导体图案的末端部分上；以及在垂直方向上彼此间隔开的第一中心通孔和第二中心通孔，其提供于导体图案的中心部分上。22个片材可以层压在第一层压体中，引线图案可以分别提供于最上片材和最下片材上，线圈图案可以分别提供于最上片材和最下片材之间的其余20个片材上，并且线圈图案和引线图案可以通过提供于每个片材上的四个通孔在垂直方向上彼此连接。内电极可以包含：电极图案，其提供于一个片材上并且暴露于与引线图案的方向相同的方向上；以及共同电极图案，其提供于电极图案上方和下方并且暴露于垂直于电极图案的方向上。共同电极图案可以提供于其中包含导体图案的区域中，所述导体图案包含第一末端通孔和第二末端通孔。共同电极图案可以包含分别提供于电极图案上方和下方的上共同电极和下共同电极，非导电区域提供于上和下共同电极图案中的至少一个上。共同电极图案可以提供于片材上并且非导电区域可以包含其中通过清除共同电极图案的一部分暴露片材的区域。非导电区域可以提供为尺寸等于或大于通孔的尺寸。附图说明可以从结合附图所作的以下描述中更详细地理解示例性实施例，在附图中：图1是根据本专利技术的示例性实施例的层压芯片装置的组合透视图；图2是根据本专利技术的示例性实施例的层压芯片装置的分解透视图；以及图3至图6是根据本专利技术的另一示例性实施例的部分分解透视图。具体实施方式下文中将参考附图详细描述具体实施例。然而，本专利技术可以用不同形式体现，且不应被解释为限于本文中所陈述的实施例。相反地，提供这些实施例是为了使得本专利技术将是透彻并且完整的，并且这些实施例将把本专利技术的范围完整地传达给所属领域的技术人员。在附图中，为了清楚地说明层和区域，放大说明厚度，并且相同参考标号始终指代相同元件。图1是根据本专利技术的示例性实施例的层压芯片装置的组合透视图，并且图2是根据本专利技术的示例性实施例的层压芯片装置的分解透视图。参考图1和图2，根据示例性实施例的层压芯片装置包含：第一层压体A，其具有多个导体图案100；第二层压体B，其提供于第一层压体A上方或下方并且具有分别提供于单元装置中的多个电极图案310，并且共同电极图案320和330提供为跨越单元装置区域彼此连接。此外，层压芯片装置进一步
包含提供于层压体10的外侧表面上的多个外电极，在所述层压体中层压第一层压体A和第二层压体B。本文中，导体图案100提供于多个片材11至20上并且通过形成为穿透至少一个片材的通孔200垂直地彼此连接。此外，第一层压体A和第二层压体B可以是各自具有所需特征的装置的层压体。例如，第一层压体A可以是其中提供多个电感器的层压体，并且第二层压体B可以是其中提供多个电容器的层压体。同时，用于第一层压体A和第二层压体B中的片材是其中层压其上具有预定图案的多个片材的层压片材并且可以由陶瓷材料或与此不同的其它材料制成。例如，所述片材可以是半导电陶瓷片、绝缘陶瓷片或变阻器材料片材。此外，由相同材料制成的片材可以用于所有层压体，或每个层压体可以由不同材料制成。第一层压体A可以包含多个片材11至20；形成于多个片材11至20上的导体图案100；以及通孔200，其选择性地形成于多个片材11至20上以将导体图案100垂直地彼此连接。导体图案100可以包含分别提供于最上片材11和最下片材20上的将暴露于外部的引线图案111和112；以及在最上片材11和最下片材20之间(例如)以螺旋方式提供于片材12至19上的线圈图案121至128。将暴露于长边中的引线图案111在短边方向上延伸，并且引线图案112从对应于引线图案111内部部分的区域朝向与引线图案111相反的方向延伸，所述引线图案暴露于与一个长边相对的另一长边中。此外，线圈图案121至128提供于呈至少两次缠绕的形状的一个片材上，并且提供于呈至少两个或多于两个形状的多个片材12至19上。例如，奇数编号的线圈图案121、123、125和127以第一形状形成并且偶数编号的线圈图案122、124、126和128以不同于第一形状的第二形状形成。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种层压芯片装置，其包括：第一层压体，其包含分别提供于多个片材上的多个导体图案，所述导体图案通过形成为穿透至少一个所述片材的通孔垂直地彼此连接；以及第二层压体，其安置于所述第一层压体的上方或下方并且包含提供于多个所述片材上的多个内电极图案，其中所述内电极图案配备有在对应于所述通孔的区域的至少一部分中的非导电区域。

【技术特征摘要】
2015.03.17 KR 10-2015-00366781.一种层压芯片装置，其包括：第一层压体，其包含分别提供于多个片材上的多个导体图案，所述导体图案通过形成为穿透至少一个所述片材的通孔垂直地彼此连接；以及第二层压体，其安置于所述第一层压体的上方或下方并且包含提供于多个所述片材上的多个内电极图案，其中所述内电极图案配备有在对应于所述通孔的区域的至少一部分中的非导电区域。2.根据权利要求1所述的层压芯片装置，其中所述第一层压体包括至少一个电感器，并且所述第二层压体包括至少一个电容器。3.根据权利要求1所述的层压芯片装置，其中所述导体图案包括在一个方向以及与其相反的另一方向上延伸的暴露的至少一个引线图案；以及提供于所述引线图案之间的多个线圈图案，其中所述引线图案和多个所述线圈图案通过所述通孔在垂直方向上彼此连接。4.根据权利要求3所述的层压芯片装置，其中所述通孔包括在垂直方向上彼此间隔开的第一末端通孔和第二末端通孔，所述第一末端通孔和所述第二末端通孔提供于所述导体图案的末端部分上；以及在垂直方向上彼此间隔开的第一中心通孔和第二中心通孔，所述第一中心通孔和所述第二中心通孔提供于所述导体图案的中心部分上。5.根据权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴寅吉，盧泰亨，金炅泰，李明镐，徐泰根，李敏洙，李松娟，
申请(专利权)人：英诺晶片科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR