上电复位电路制造技术

一种上电复位电路，包括电流偏置电路、门限电平控制电路及电容充放电电路；所述电流偏置电路用于为所述门限电平控制电路和电容充放电电路提供不随电源变化的基准电流；所述门限电平控制电路用于设定上、下电复位的门限电平值；所述电容充放电电路用于根据所述门限电平控制电路设定的门限电平值，输出上电复位信号；其中，所述电流偏置电路包括第一路基准电流输出端、第二路基准电流输出端和第三路基准电流输出端，所述第一路基准电流输出端用于与所述门限电平控制电路连接，所述第二路基准电流输出端和第三路基准电流输出端用于与所述电容充放电电路连接。本发明专利技术能产生稳定上电复位信号。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路控制领域，特别是涉及一种上电复位电路。
技术介绍
目前的芯片中基本都内置上电复位电路。上电复位电路种类很多，目前应用最广的是利用电阻电容、施密特触发器或反相器产生POR(Power On Reset，上电复位)信号。然而，传统的上电复位电路在采用反相器做电平翻转使用时，其电源扰动的抗干扰能力比较差，即当电源在反相器翻转电平附近抖动时，反相器会不停的翻转而产生一系列不稳定的POR信号，这种现象被称之为误触发，使得芯片无法正常工作。采用施密特触发器做电平翻转的电路具有一定的抗干扰能力，但施密特触发器的上下门限电平难以精确的设置，且其门限电平会随电源电压的波动而变化，所以很难精确调制上电复位的门限电平，最终导致产生的POR信号不稳定。
技术实现思路
为了解决现有技术中上电复位信号不稳定的问题，本专利技术提供一种能产生稳定上电复位信号的上电复位电路。为了实现上述目的，本专利技术提出一种上电复位电路，包括电流偏置电路、门限电平控制电路及电容充放电电路；所述电流偏置电路用于为所述门限电平控制电路和电容充放电电路提供不随电源变化的基准电流；所述门限电平控制电路用于设定上、下电复位的门限电平值；所述电容充放电电路用于根据所述门限电平控制电路设定的门限电平值，输出上电复位信号；其中，所述电流偏置电路包括第一路基准电流输出端、第二路基准电流输出端和第三路基准电流输出端，所述第一路基准电流输出端用于与所述门限电平控制电路连接，所述第二路基准电流输出端和第三路基准电流输出端用于与 所述电容充放电电路连接。在其中一个实施例中，所述电流偏置电路包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管；所述第一场效应管的栅极与其漏极相连，所述第一场效应管的漏极外接参考电流源，所述第一场效应管、第二场效应管和第三场效应管的源极接地；所述第二场效应管的栅极接第一场效应管的栅极，所述第二场效应管的漏极接所述第四场效应管的漏极，所述第三场效应管的栅极接所述第一场效应管的栅极，所述第三场效应管的漏极为所述第三路基准电流输出端，所述第四场效应管、第五场效应管和第六场效应管的源极接电源，所述第四场效应管的栅极接第四场效应管的漏极,所述第五场效应管的栅极接第四场效应管的栅极，所述第五场效应管的漏极为所述第二路基准电流输出端，所述第六场效应管的栅极接第四场效应管的栅极，所述第六场效应管的漏极为所述第一路基准电流输出端。在其中一个实施例中，所述第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管为N型场效应管；所述第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管为P型场效应管。在其中一个实施例中，所述门限电平控制电路包括串联的第一二极管和第二二极管，所述第一二极管的正极连接所述第一路基准电流输出端，所述第一二极管的负极接所述第二二极管的正极，所述第二二极管的负极接地。在其中一个实施例中，所述门限电平控制电路还包括第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第三三极管、第一比较器、第二比较器、第三比较器、第一或非门及第二或非门；所述第一电阻、第二电阻和第三电阻串联在所述第一路基准电流输出端与地之间，所述第四电阻、第五电阻和第六电阻串联在电源与地之间；所述第一比较器的同向输入端连接在所述第四电阻与第五电阻之间；所述第一比较器的反向输入端连接在所述第一电阻与第二电阻之间，所述第一比较器的输出端接所述第一或非门的第一输入端；所述第二比较器的同向输入端连接在所述第二电阻与第三电阻之间，所述第二比较器的反向输入端连接在所述第四电阻与第五电阻之间，所述第二比较 器的输出端接所述第二或非门的第一输入端；所述第三比较器的同向输入端连接所述第一路基准电流输出端，所述第三比较器的反向输入端连接在所述第五电阻与第六电阻之间，所述第三比较器的输出端接所述电容充放电电路；所述第三三极管连接在所述第三比较器的反向输入端与地之间；所述第一或非门的输出端接所述第二或非门的第二输入端，所述第二或非门的输出端接所述第一或非门的第二输入端和所述电容充放电电路。在其中一个实施例中，所述电容充放电电路包括第七场效应管、第八场效应管、第九场效应管、第十场效应管、第一电容以及反相器；所述第七场效应管的源极接电源，所述第七场效应管的漏极分别接所述第八场效应管的漏极、所述第九场效应管的漏极、所述第十场效应管的栅极、所述第一电容的正极以及所述反相器的输入端，所述第八场效应管、第九场效应管的源极分别接所述第二路基准电流输入端和第三路基准电流输入端，所述第十场效应管的源极及其漏极都接地，所述第一电容的负极接地，所述反相器的输出端输出上电复位信号。在其中一个实施例中，所述第七场效应管、第八场效应管为P型场效应管，所述第九场效应管、第十场效应管为N型场效应管。在其中一个实施例中，所述第一电容为MIM电容。在其中一个实施例中，所述第二路基准电流输出端输出的电流值是第三路基准电流输出端输出的电流值的整数倍。上述上电复位电路，所述电流偏置电路为所述门限电平控制电路和电容充放电电路提供了三路不随电源变化的基准电流，这样所述门限电平控制电路通过电流偏置电路提供的基准电流产生精确的门限电平值，所述电容充放电电路通过电流偏置电路提供的基准电流，使得电容充放电时间也可以精确计算出来，无论在电源快速上电还是慢速上电的情况下，电容充放电电路都能产生稳定的上电复位信号。所述串联的第一二极管和第二二极管可以确保参考电压源没有建立好之前，所述电容充放电电路不会产生POR信号。附图说明图1为一实施例中上电复位电路的模块图；图2为图1所示实施例中电流偏置电路的电路原理图；图3为图1所示实施例中门限电平控制电路的电路原理图；图4为图1所示实施例中电容充放电电路的电路原理图；图5为一实施例中正常情况的上、下电电源电压仿真波形图；图6为图5所示实施例中对应的POR信号电压仿真波形图；图7为电源电压波动为30％时的上、下电电源电压仿真波形图；图8为图7所示实施例中对应的POR信号电压仿真波形图。具体实施方式请参照图1，为一实施例中上电复位电路的模块图。该上电复位电路包括电流偏置电路110、门限电平控制电路120及电容充放电电路130。电流偏置电路110用于为门限电平控制电路120和电容充放电电路130提供不随电源变化的基准电流。在本实施例中，电流偏置电路110包括第一路基准电流输出端Ibias1、第二路基准电流输出端Ibias2和第三路基准电流输出端Ibias3。第一路基准电流输出端Ibias1用于与门限电平控制电路120连接，第二路基准电流输出端Ibias2和第三路基准电流输出端Ibias3用于与电容充放电电路130连接。具体地，请结合图2。电流偏置电路110包括第一场效应管MN1、第二场效应管MN2、第三场效应管MN3、第四场效应管MP1、第五场效应管MP2、第六场效应管MP3。第一场效应管MN1的栅极与其漏极相连，第一场效应管MN1的漏极外接参考电流源Ibias。第一场效应管MN1、第二场效应管MN2和第三场效应管MN3的源极接地GND，第二场效应管MN2的栅极接第一场效应管MN1的栅极，第二场效应管MN2的漏极接第四场效应管MP1的漏极，第三场效应管MN3的栅 极接第一场效应管MN1的栅极，第本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种上电复位电路，其特征在于，包括电流偏置电路、门限电平控制电路及电容充放电电路，所述电流偏置电路用于为所述门限电平控制电路和电容充放电电路提供不随电源变化的基准电流，所述门限电平控制电路用于设定上、下电复位的门限电平值，所述电容充放电电路用于根据所述门限电平控制电路设定的所述门限电平值，输出上电复位信号；其中，所述电流偏置电路包括第一路基准电流输出端、第二路基准电流输出端和第三路基准电流输出端，所述第一路基准电流输出端用于与所述门限电平控制电路连接，所述第二路基准电流输出端和第三路基准电流输出端用于与所述电容充放电电路连接。

【技术特征摘要】
1.一种上电复位电路，其特征在于，包括电流偏置电路、门限电平控制电路及电容充放电电路，所述电流偏置电路用于为所述门限电平控制电路和电容充放电电路提供不随电源变化的基准电流，所述门限电平控制电路用于设定上、下电复位的门限电平值，所述电容充放电电路用于根据所述门限电平控制电路设定的所述门限电平值，输出上电复位信号；其中，所述电流偏置电路包括第一路基准电流输出端、第二路基准电流输出端和第三路基准电流输出端，所述第一路基准电流输出端用于与所述门限电平控制电路连接，所述第二路基准电流输出端和第三路基准电流输出端用于与所述电容充放电电路连接。2.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述电流偏置电路包括第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管、第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管；所述第一场效应管的栅极与其漏极相连，所述第一场效应管的漏极外接参考电流源，所述第一场效应管、第二场效应管和第三场效应管的源极接地；所述第二场效应管的栅极接第一场效应管的栅极，所述第二场效应管的漏极接所述第四场效应管的漏极，所述第三场效应管的栅极接所述第一场效应管的栅极，所述第三场效应管的漏极为所述第三路基准电流输出端，所述第四场效应管、第五场效应管和第六场效应管的源极接电源，所述第四场效应管的栅极接第四场效应管的漏极,所述第五场效应管的栅极接第四场效应管的栅极，所述第五场效应管的漏极为所述第二路基准电流输出端，所述第六场效应管的栅极接第四场效应管的栅极，所述第六场效应管的漏极为所述第一路基准电流输出端。3.根据权利要求2所述的上电复位电路，其特征在于，所述第一场效应管、第二场效应管、第三场效应管为N型场效应管；所述第四场效应管、第五场效应管、第六场效应管为P型场效应管。4.根据权利要求1所述的上电复位电路，其特征在于，所述门限电平控制电路包括串联的第一二极管和第二二极管，所述第一二极管的正极连接所述第一路基准电流输出端，所述第一二极管的负极接所述第二二极管的正极，所述
\t第二二极管的负极接地。5.根据权利要求4所述的上电复位电路，其特征在于，所述门限电平控制电路还包括第一电...

【专利技术属性】
技术研发人员：高云，
申请(专利权)人：无锡华润上华半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32