抹除操作配置方法、存储器控制电路单元与存储器技术

本发明专利技术提供一种抹除操作配置方法、存储器控制电路单元与存储器。所述方法包括：检测第一实体单元的第一使用状态；判断第一使用状态是否符合第一预设状态；若第一使用状态符合第一预设状态，将对应第一实体单元的第一抹除操作从使用第一模式调整为使用第二模式。由此，可将处于抹除状态的存储单元的临界电压分布范围调整到适当的范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是有关于一种存储器管理方法，且特别是有关于一种抹除操作配置方法、存储器控制电路单元与存储器。
技术介绍
数码相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对储存媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种便携式多媒体装置中。然而，随着可复写式非易失性存储器模块的使用时间增加，可复写式非易失性存储器模块中存储单元的损耗程度也会对应增加。在这样的情况下，若持续使用此可复写式非易失性存储器模块可能会导致此可复写式非易失性存储器模块的使用效率降低，特别是可能会对存储单元的抹除操作产生不良的影响。
技术实现思路
本专利技术提供一种抹除操作配置方法、存储器控制电路单元与存储器，可降低因存储单元的磨损而对抹除操作造成的影响。本专利技术的一范例实施例提供一种抹除操作配置方法，其用于可复写式非易失性存储器模块，其中所述可复写式非易失性存储器模块具有多个实体单元，所述抹除操作配置方法包括：检测所述实体单元中的第一实体单元的第一使用状态；判断所述第一使用状态是否符合第一预设状态；若所述第一使用状态符合所述第一预设状态，将对应所述第一实体单元的第一抹除操作从使用第一模式调整为使用第二模式，其中所述第一模式与所述第二模式不同；以及若所述第一使用状态不符合所述第一预设状态，维持所述第一抹除操作在使用所述第一模式。在本专利技术的一范例实施例中，所述判断所述实体单元中的所述第一实体单元的所述第一使用状态是否符合所述第一预设状态的步骤包括：判断所述第一实体单元的所述第一磨损程度值是否符合一预设磨损程度值，其中所述第一磨损程度值与所述第一实体单元的抹除次数、程序化次数、读取次数、错误比特数及错误比特率的至少其中之一有关。在本专利技术的一范例实施例中，所述判断所述实体单元中的所述第一实体单元的所述第一使用状态是否符合所述第一预设状态的步骤包括：判断所述第一实体单元是否从使用第一程序化模式被切换为使用第二程序化模式，其中在所述第一程序化模式中，所述第一实体单元中的第一存储单元储存第一数量的第一比特数据，而在所述第二程序化模式中，所述第一实体单元中的所述第一存储单元储存第二数量的第二比特数据，其中所述第一数量大于所述第二数量。在本专利技术的一范例实施例中，所述第一抹除操作是基于增量步脉冲抹除模型而执行，而上述根据所述第一实体单元的所述第一磨损程度值来将对应所述第一实体单元的所述第一抹除操作从使用所述第一模式调整为使用所述第二模式的步骤包括：将所述增量步脉冲抹除模型的增量步脉冲抹除递增值从第一递增值调整为第二递增值，其中所述第二递增值小于所述第一递增值。在本专利技术的一范例实施例中，所述第一抹除操作是基于增量步脉冲抹除模型而执行，而将对应所述第一实体单元的所述第一抹除操作从使用所述第一模式调整为使用所述第二模式的步骤包括：将所述增量步脉冲抹除模型的初始抹除脉冲电压值从第一初始抹除电压值调整为第二初始抹除电压值，其中所述第二初始抹除电压值小于所述第一初始抹除电压值。在本专利技术的一范例实施例中，所述第一抹除操作是基于增量步脉冲抹除模型而执行，而将对应所述第一实体单元的所述第一抹除操作从使用所述第一模式调整为使用所述第二模式的步骤包括：将所述增量步脉冲抹除模型的抹除脉冲宽度值从第一脉冲宽度值调整为第二脉冲宽度值，其中所述第二脉冲宽度值小于所述第一脉冲宽度值。在本专利技术的一范例实施例中，所述第一抹除操作是基于增量步脉冲抹除模型而执行，所述增量步脉冲抹除模型包括多个抹除-验证循环，每一所述抹除-验证循环包括抹除脉冲与验证脉冲，而将对应所述第一实体单元的所述第
一抹除操作从使用所述第一模式调整为使用所述第二模式的步骤包括：将所述抹除-验证循环的最大循环次数从第一循环次数调整为第二循环次数，其中所述第二循环次数大于所述第一循环次数。在本专利技术的一范例实施例中，所述第一实体单元包括基底、多个第一存储单元、多条比特线、多条字符线及源极线，每一所述比特线电性连接至所述源极线，所述源极线用以在所述第一抹除操作中提供源极电压，而将对应所述第一实体单元的所述第一抹除操作从使用所述第一模式调整为使用所述第二模式的步骤包括：将所述源极线在所述第一抹除操作中提供的所述源极电压从第一源极电压值调整为第二源极电压值，其中所述第二源极电压值与所述第一源极电压值不同。在本专利技术的一范例实施例中，所述将对应所述第一实体单元的所述第一抹除操作从使用所述第一模式调整为使用所述第二模式的步骤还包括：将所述第一抹除操作的抹除验证电压值从第一抹除验证电压值调整为第二抹除验证电压值，其中所述第二抹除验证电压值与所述第一抹除验证电压值不同。本专利技术的一范例实施例提供一种存储器，其包括连接接口单元、可复写式非易失性存储器模块与存储器控制电路单元。连接接口单元用以电性连接至主机系统。可复写式非易失性存储器模块具有多个实体单元。存储器控制电路单元电性连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块。所述存储器控制电路单元用以判断所述实体单元中的第一实体单元的第一使用状态是否符合第一预设状态。若所述第一使用状态符合所述第一预设状态，所述存储器控制电路单元还用以发送抹除模式调整指令，其中所述抹除模式调整指令指示将对应所述第一实体单元的第一抹除操作从使用第一模式调整为使用第二模式，其中所述第一模式与所述第二模式不同。以及，若所述第一使用状态不符合所述第一预设状态，所述存储器控制电路单元还用以维持所述第一抹除操作在使用所述第一模式。在本专利技术的一范例实施例中，在上述所述存储器控制电路单元判断所述实体单元中的所述第一实体单元的所述第一使用状态是否符合所述第一预设状态的运作中，所述存储器控制电路单元判断所述第一实体单元的第一磨损程度值是否符合一预设磨损程度值，其中所述第一磨损程度值与所述第一实体单元的抹除次数、程序化次数、读取次数、错误比特数及错误比特率的至
少其中之一有关。在本专利技术的一范例实施例中，所述存储器控制电路单元判断所述实体单元中的所述第一实体单元的所述第一使用状态是否符合所述第一预设状态的操作包括：判断所述第一实体单元是否从使用第一程序化模式被切换为使用第二程序化模式，其中在所述第一程序化模式中，所述第一实体单元中的第一存储单元储存第一数量的第一比特数据，而在所述第二程序化模式中，所述第一实体单元中的所述第一存储单元储存第二数量的第二比特数据，其中所述第一数量大于所述第二数量。在本专利技术的一范例实施例中，所述第一抹除操作是基于增量步脉冲抹除模型而执行，而所述存储器控制电路单元将对应所述第一实体单元的所述第一抹除操作从使用所述第一模式调整为使用所述第二模式的操作包括：将所述增量步脉冲抹除模型的一增量步脉冲抹除递增值从第一递增值调整为第二递增值，其中所述第二递增值小于所述第一递增值。在本专利技术的一范例实施例中，所述第一抹除操作是基于增量步脉冲抹除模型而执行，而所述存储器控制电路单元将对应所述第一实体单元的所述第一抹除操作从使用所述第一模式调整为使用所述第二模式的操作包括：将所述增量步脉冲抹除模型的一初始抹除脉冲电压值从第一初始抹除电压值调整为第二初始抹除电压值，其中所述第二本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种抹除操作配置方法，用于一可复写式非易失性存储器模块，其特征在于，所述可复写式非易失性存储器模块具有多个实体单元，所述抹除操作配置方法包括：判断该些实体单元中的一第一实体单元的一第一使用状态是否符合一第一预设状态；若所述第一使用状态符合所述第一预设状态，将对应所述第一实体单元的一第一抹除操作从使用一第一模式调整为使用一第二模式，其中所述第一模式与所述第二模式不同；以及若所述第一使用状态不符合所述第一预设状态，维持所述第一抹除操作在使用所述第一模式。

【技术特征摘要】
1.一种抹除操作配置方法，用于一可复写式非易失性存储器模块，其特征在于，所述可复写式非易失性存储器模块具有多个实体单元，所述抹除操作配置方法包括：判断该些实体单元中的一第一实体单元的一第一使用状态是否符合一第一预设状态；若所述第一使用状态符合所述第一预设状态，将对应所述第一实体单元的一第一抹除操作从使用一第一模式调整为使用一第二模式，其中所述第一模式与所述第二模式不同；以及若所述第一使用状态不符合所述第一预设状态，维持所述第一抹除操作在使用所述第一模式。2.根据权利要求1所述的抹除操作配置方法，其特征在于，判断该些实体单元中的所述第一实体单元的所述第一使用状态是否符合所述第一预设状态的步骤包括：判断所述第一实体单元的一第一磨损程度值是否符合一预设磨损程度值，其中所述第一磨损程度值与所述第一实体单元的一抹除次数、一程序化次数、一读取次数、一错误比特数及一错误比特率的至少其中之一有关。3.根据权利要求1所述的抹除操作配置方法，其特征在于，判断该些实体单元中的所述第一实体单元的所述第一使用状态是否符合所述第一预设状态的步骤包括：判断所述第一实体单元是否从使用一第一程序化模式被切换为使用一第二程序化模式，其中在所述第一程序化模式中，所述第一实体单元中的一第一存储单元储存一第一数量的第一比特数据，而在所述第二程序化模式中，所述第一实体单元中的所述第一存储单元储存一第二数量的第二比特数据，其中所述第一数量大于所述第二数量。4.根据权利要求1所述的抹除操作配置方法，其特征在于，所述第一抹除操作是基于一增量步脉冲抹除模型而执行，而将对应所述第一实体单元的所述第一抹除操作从使用所述第一模式调整为使用所述第二模式的步骤包括：将所述增量步脉冲抹除模型的一增量步脉冲抹除递增值从一第一递增值调整为一第二递增值，其中所述第二递增值小于所述第一递增值。5.根据权利要求1所述的抹除操作配置方法，其特征在于，所述第一抹除操作是基于一增量步脉冲抹除模型而执行，而将对应所述第一实体单元的所述第一抹除操作从使用所述第一模式调整为使用所述第二模式的步骤包括：将所述增量步脉冲抹除模型的一初始抹除脉冲电压值从一第一初始抹除电压值调整为一第二初始抹除电压值，其中所述第二初始抹除电压值小于所述第一初始抹除电压值。6.根据权利要求1所述的抹除操作配置方法，其特征在于，所述第一抹除操作是基于一增量步脉冲抹除模型而执行，而将对应所述第一实体单元的所述第一抹除操作从使用所述第一模式调整为使用所述第二模式的步骤包括：将所述增量步脉冲抹除模型的一抹除脉冲宽度值从一第一脉冲宽度值调整为一第二脉冲宽度值，其中所述第二脉冲宽度值小于所述第一脉冲宽度值。7.根据权利要求1所述的抹除操作配置方法，其特征在于，所述第一抹除操作是基于一增量步脉冲抹除模型而执行，所述增量步脉冲抹除模型包括多个抹除-验证循环，每一该些抹除-验证循环包括一抹除脉冲与一验证脉冲，而将对应所述第一实体单元的所述第一抹除操作从使用所述第一模式调整为使用所述第二模式的步骤包括：将该些抹除-验证循环的一最大循环次数从一第一循环次数调整为一第二循环次数，其中所述第二循环次数大于所述第一循环次数。8.根据权利要求1所述的抹除操作配置方法，其特征在于，所述第一实体单元包括一基底、多个第一存储单元、多条比特线、多条字符线及一源极线，每一该些比特线电性连接至所述源极线，所述源极线用以在所述第一抹除操作中提供一源极电压，而将对应所述第一实体单元的所述第一抹除操作从使用所述第一模式调整为使用所述第二模式的步骤包括：将所述源极线在所述第一抹除操作中提供的所述源极电压从一第一源极电压值调整为一第二源极电压值，其中所述第二源极电压值与所述第一源极电压值不同。9.根据权利要求8所述的抹除操作配置方法，其特征在于，将对应所述第一实体单元的所述第一抹除操作从使用所述第一模式调整为使用所述第二模式的步骤还包括：将所述第一抹除操作的一抹除验证电压值从一第一抹除验证电压值调整为一第二抹除验证电压值，其中所述第二抹除验证电压值与所述第一抹除验证电压值不同。10.一种存储器，其特征在于，包括：一连接接口单元，用以电性连接至一主机系统；一可复写式非易失性存储器模块，具有多个实体单元；以及一存储器控制电路单元，电性连接至所述连接接口单元与所述可复写式非易失性存储器模块，其中所述存储器控制电路单元用以判断该些实体单元中的一第一实体单元的一第一使用状态是否符合一第一预设状态，其中若所述第一使用状态符合所述第一预设状态，所述存储器控制电路单元还用以发送一抹除模式调整指令，其中所述抹除模式调整指令指示将对应所述第一实体单元的一第一抹除操作从使用一第一模式调整为使用一第二模式，其中所述第一模式与所述第二模式不同，其中若所述第一使用状态不符合所述第一预设状态，所述存储器控制电路单元还用以维持所述第一抹除操作在使用所述第一模式。11.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述存储器控制电路单元判断该些实体单元中的所述第一实体单元的所述第一使用状态是否符合所述第一预设状态的操作包括：判断所述第一实体单元的一第一磨损程度值是否符合一预设磨损程度值，其中所述第一磨损程度值与所述第一实体单元的一抹除次数、一程序化次数、一读取次数、一错误比特数及一错误比特率的至少其中之一有关。12.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述存储器控制电路单元判断该些实体单元中的所述第一实体单元的所述第一使用状态是否符合所述第一预设状态的操作包括：判断所述第一实体单元是否从使用一第一程序化模式被切换为使用一第
\t二程序化模式，其中在所述第一程序化模式中，所述第一实体单元中的一第一存储单元储存一第一数量的第一比特数据，而在所述第二程序化模式中，所述第一实体单元中的所述第一存储单元储存一第二数量的第二比特数据，其中所述第一数量大于所述第二数量。13.根据权利要求10所述的存储器，其特征在于，所述第一抹除操作是基于一增量步脉冲抹除模型而执行，而所述存储器控制电路单元将对应所述第一实体单元的所述第一抹除操作从使用所述第一模式调整为使用所述第二模式的操作包括：将所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：林纬，许祐诚，刘安城，林小东，
申请(专利权)人：群联电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71