半导体晶片表面保护用粘着膜具有基材膜和粘着剂层，该粘着剂层位于上述基材膜的一个表面上。粘着剂层以质量比(A/B)：57/43～90/10含有：动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Ta)超过0℃的聚合物(A)与动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Tb)为0℃以下的聚合物(B)。聚合物(A)包含来源于丙烯腈或甲基丙烯腈的结构单元22质量％～30质量％。半导体晶片表面保护用粘着膜在剥离速度10mm/min下的粘着力为1.0N/25mm以上。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及半导体晶片表面保护用粘着膜、以及使用该粘着膜的半导体晶片的保护方法和半导体装置的制造方法。具体而言，涉及在半导体集成电路的制造工序中，将半导体晶片的电路非形成面(以下，称为晶片背面)进行磨削而将该半导体晶片薄层化时，为了防止半导体晶片的破损、污染，在半导体晶片的电路形成表面(以下，称为晶片表面)以粘着剂层与其接触的方式贴附的半导体晶片表面保护用粘着膜，以及使用其的半导体晶片的保护方法和半导体装置的制造方法。
技术介绍
通常，半导体装置通过下述方法制造：在将高纯度硅单晶等进行切片而制成晶片后，通过离子注入、蚀刻等来组装集成电路，进一步，经过了背面磨削工序、即通过碾磨、研磨、抛光等方法将组装了集成电路后的晶片背面进行机械磨削而使晶片的厚度变薄的工序后，切割而进行芯片化。以往，在这些工序中，在将晶片背面进行磨削时，为了防止半导体晶片的破损、污染而使用了半导体晶片表面保护用粘着膜。具体而言，在晶片表面经由粘着剂层而贴附半导体晶片表面保护用粘着膜，对晶片表面进行保护，然后将晶片背面进行机械磨削。磨削后，根据需要，有时接着实施晶片背面的药液处理。这些背面处理工序完成后，将该粘着膜从晶片表面剥离。作为这样的半导体晶片表面保护用粘着膜所要求的性能之一，可举出将晶片背面进行磨削时使用的冷却水(以下，称为磨削水)的浸入防止性能。在晶片表面，存在聚酰亚胺等的涂布层、氧化硅膜、氮化硅膜等蒸镀膜、起因于划痕线(切割道)等的从晶片最外周部沟状洼下的凹部。通常，沟状洼下的凹部的深
度为2μm～20μm程度。在将这样的存在于晶片表面的凹部达到了晶片最外周部的晶片背面进行磨削的情况下，如果粘着剂层对凹部的密合不充分，则有时磨削水穿过凹部而浸入。一旦磨削水穿过凹部而浸入到晶片表面与粘着膜之间，则有由于浸入的磨削水而进行粘着剂层从晶片表面的剥离，晶片表面与粘着剂层之间的磨削水的浸入被加速，集成电路表面整体被与磨削水一起浸入的磨削屑污染的倾向。在最差的情况下，有时由于浸入的磨削水的影响，在背面磨削中表面保护用粘着膜剥落，导致晶片的破损。为了防止这样的问题，采用增厚粘着膜的粘着剂层的厚度，使晶片表面的凹部与粘着剂层的密合性提高的方法。然而，在使用了该方法的情况下，粘着膜对晶片表面的粘着力变大到晶片的强度以上，根据晶片的厚度、表面形状等各条件，在背面磨削后从晶片表面剥离粘着膜时，有时自动剥离机中发生剥离故障而使操作性恶化，或有时使晶片完全破损。此外，根据晶片的种类，凹部的深度超过20μm的晶片也存在，在为了应对这样的晶片而进一步增厚粘着剂层的厚度的情况下，粘着膜的生产性恶化，制造成本上升，因此难以提供便宜的粘着膜，不是现实的解决方法。作为解决这样的问题的方法，例如，公开了一种半导体晶片表面保护用粘着膜，其特征在于，粘着剂层(B)在50～100℃时的储存弹性模量(G’)的最小值(G’min)为0.07～5MPa，中间层的至少1层(C)在50℃时的储存弹性模量为0.001MPa以上且小于0.07MPa，并且，粘着剂层(B)的厚度(tb，单位：μm)和具有上述储存弹性模量的中间层(C)的合计厚度(tc，单位：μm)满足数学式(1)：tc≥3tb的关系(例如，参照日本特开2003-173994号公报。)。日本特开2003-173994号公报所公开的粘着膜，对倒装片安装的凸块电极那样的突起高度甚至达到200μm的凹凸也能够追随，密合性优异。此外公开了一种半导体晶片表面保护用粘着膜，粘着剂层包含：具有能够与交联剂反应的官能团，且动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度为-50～5℃的聚合物(A)100重量份；具有能够与交联剂反应的官能团，且动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度超过5℃且为50℃以下的聚合物(B)10～100重量份；以及相对于上述聚合物(A)和(B)的合计量100重量份，1分子中具有2个以上交联反应性官能团的交联剂(C)0.1～10重量份，粘着剂层的厚度为5～50μm(例如，
参照日本特开2004-6746号公报。)。日本特开2004-6746号公报所公开的粘着膜具有优异的密合性、破损防止性和非污染性。近年来，便携信息终端用途、IC卡用途等，对半导体集成电路芯片的薄层化的要求越来越高。上述那样的用途所使用的半导体晶片一般通过背面磨削将厚度薄层化至200μm以下，根据情况有时背面磨削至厚度为50μm左右。因此，在将晶片薄层化至200μm以下的磨削条件下，可以说晶片的污染、破损的危险性进一步提高。此外，随着芯片的高性能化、半导体制造工艺的技术革新，有集成电路表面的形状复杂化的倾向，在存在于晶片表面的凹部中，深度超过20μm的凹部也出现了。其中也有达到50μm左右的凹部。因此，对于半导体晶片表面保护用粘着膜，要求对具有凹凸的晶片表面具有优异的密合性。另一方面，从晶片剥离粘着膜的工艺条件是各种各样的，都要求在宽的剥离速度范围显示良好的剥离性。
技术实现思路
专利技术所要解决的课题在这样的状况下，为了更有效果地抑制半导体晶片的破损和污染，本专利技术的课题是提供保持对晶片表面的非污染性，同时在粘贴于晶片表面后即使经过时间密合性也优异，并且从半导体晶片剥离时的剥离性也优异的半导体晶片表面保护用粘着膜，以及使用其的半导体晶片的保护方法和半导体装置的制造方法。用于解决课题的方法用于解决上述课题的方法如下所述。＜1＞一种半导体晶片表面保护用粘着膜，其在剥离速度10mm/min下的粘着力为1.0N/25mm以上，所述半导体晶片表面保护用粘着膜具有基材膜和粘着剂层，该粘着剂层位于上述基材膜的一个表面上，上述粘着剂层以质量比(A/B)：57/43～90/10含有动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Ta)超过0℃的聚合物(A)、与动态粘弹性的tanδ达到最大时的温
度(Tb)为0℃以下的聚合物(B)，上述聚合物(A)包含来源于丙烯腈或甲基丙烯腈的结构单元22质量％～30质量％。＜2＞根据上述＜1＞所述的半导体晶片表面保护用粘着膜，剥离速度10mm/min～1000mm/min时的粘着力为4.0N/25mm以下。＜3＞根据上述＜1＞或＜2＞所述的半导体晶片表面保护用粘着膜，上述基材膜包含选自乙烯-乙酸乙烯酯共聚物层、聚烯烃层和聚酯层中的至少1种层。＜4＞根据上述＜1＞～＜3＞的任一项所述的半导体晶片表面保护用粘着膜，上述粘着剂层是使用通过下述方法获得的含有上述聚合物(A)和上述聚合物(B)的液体而形成的，所述方法包括下述工序：第一聚合工序，将含有用于形成上述聚合物(A)和上述聚合物(B)中一方的原料单体的第一聚合用材料供给到反应容器，使聚合开始，以及第二聚合工序，在第一聚合工序之后，将含有用于形成上述聚合物(A)和上述聚合物(B)中另一方的原料单体的第二聚合用材料进一步供给到上述反应容器，使其聚合。＜5＞根据上述＜1＞～＜3＞的任一项所述的半导体晶片表面保护用粘着膜，上述粘着剂层是使用将含有上述聚合物(A)的液体与含有上述聚合物(B)的液体混合而得的混合液而形成的。＜6＞一种半导体晶片的保护方法，其包括下述工序：贴附工序，在半导体晶片的电路形成面上，以上述＜1＞～＜5＞的任一项所述的半导体晶片表面保护用粘着膜中的粘本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体晶片表面保护用粘着膜，其在剥离速度10mm/min下的粘着力为1.0N/25mm以上，所述半导体晶片表面保护用粘着膜具有基材膜和粘着剂层，所述粘着剂层位于所述基材膜的一个表面上，所述粘着剂层以质量比(A/B)：57/43～90/10含有：动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Ta)超过0℃的聚合物(A)、与动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Tb)为0℃以下的聚合物(B)，所述聚合物(A)包含来源于丙烯腈或甲基丙烯腈的结构单元22质量％～30质量％。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.02.14 JP 2014-0270131.一种半导体晶片表面保护用粘着膜，其在剥离速度10mm/min下的粘着力为1.0N/25mm以上，所述半导体晶片表面保护用粘着膜具有基材膜和粘着剂层，所述粘着剂层位于所述基材膜的一个表面上，所述粘着剂层以质量比(A/B)：57/43～90/10含有：动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Ta)超过0℃的聚合物(A)、与动态粘弹性的tanδ达到最大时的温度(Tb)为0℃以下的聚合物(B)，所述聚合物(A)包含来源于丙烯腈或甲基丙烯腈的结构单元22质量％～30质量％。2.根据权利要求1所述的半导体晶片表面保护用粘着膜，剥离速度10mm/min～1000mm/min时的粘着力为4.0N/25mm以下。3.根据权利要求1或2所述的半导体晶片表面保护用粘着膜，所述基材膜包含选自乙烯-乙酸乙烯酯共聚物层、聚烯烃层和聚酯层中的至少1种层。4.根据权利要求1～3的任一项所述的半导体晶片表面保护用粘着膜，所述粘着剂层是使用通过下述方法获得的含有所述聚合物(A)和所述聚合物(B)的液体而形成的，所述方法包括下述工序：第一聚合工序，将含有用于形成所述聚合...
【专利技术属性】
技术研发人员：栗田恭三，
申请(专利权)人：三井化学东赛璐株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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