本发明专利技术公开了一种有机发光二极管显示装置、面板。有机发光二极管显示面板包括：玻璃基板；缓冲层；绝缘层；开关器件层，开关器件层包括薄膜晶体管开关、扫描线、数据线，薄膜晶体管开关包括：多晶硅层；栅极；源极，源极的至少两第一接触面与多晶硅层接触；漏极，漏极的至少两第二接触面与多晶硅层接触；平坦化层；显示器件层，包括：阳极层；空穴注入层；空穴传输层；发光材料层；电子传输层；电子注入层；阴极层；盖板。本发明专利技术可以使得有机发光二极管显示面板在不增加额外的输入至TFT中的电流的情况下取得预期的显示效果。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示领域，特别涉及一种有机发光二极管显示装置、面板。
技术介绍
传统的有机发光二极管显示面板一般采用TFT（Thin Film Transistor，薄膜晶体管）来作为开关器件。目前，上述传统的有机发光二极管显示面板中的TFT存在漏电流较大的问题，这会导致上述传统的有机发光二极管显示面板中的TFT的输出电流下降。为了使得有机发光二极管显示面板达到预期的显示效果，需要增大输入至TFT中的电流值，因此，传统的有机发光二极管显示面板需要耗费较多的电能。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种有机发光二极管显示装置、面板，其能使得所述有机发光二极管显示面板在不增加额外的输入至TFT中的电流的情况下取得预期的显示效果。为解决上述问题，本专利技术的技术方案如下：一种有机发光二极管显示装置，所述有机发光二极管显示装置包括：数据驱动电路；扫描驱动电路；有机发光二极管显示面板，所述有机发光二极管显示面板与所述扫描驱动电路和所述数据驱动电路连接，所述有机发光二极管显示面板包括：玻璃基板；缓冲层，所述缓冲层设置在所述玻璃基板上；绝缘层；开关器件层，所述开关器件层包括薄膜晶体管开关、扫描线、数据线，所述薄膜晶体管开关包括：多晶硅层，所述多晶硅层设置在所述缓冲层上，所述绝缘层覆盖所述多晶硅层；栅极，所述栅极设置在所述绝缘层上，并且所述栅极的位置与所述多晶硅层的位置对应，所述栅极与所述扫描线连接；源极，所述源极的至少两第一接触面与所述多晶硅层接触，所述源极与所述数据线连接；漏极，所述漏极的至少两第二接触面与所述多晶硅层接触；平坦化层，所述平坦化层设置在所述开关器件层上；显示器件层，所述显示器件层设置在所述平坦化层上，所述显示器件层包括：阳极层，所述阳极层设置在所述开关器件层上，所述阳极层与所述漏极连接；空穴注入层，所述空穴注入层设置在所述阳极层上；空穴传输层，所述空穴传输层设置在所述空穴注入层上；发光材料层，所述发光材料层设置在所述空穴传输层上；电子传输层，所述电子传输层设置在所述发光材料层上；电子注入层，所述电子注入层设置在所述电子传输层上；阴极层，所述阴极层设置在所述电子注入层上；盖板。在上述有机发光二极管显示装置中，所述有机发光二极管显示面板还包括：密封胶构件，所述密封胶构件设置在所述玻璃基板的边缘部，所述密封胶构件在所述边缘部处与所述盖板和所述基板接触，所述密封胶构件用于在所述边缘部处密封所述盖板与所述基板之间的缝隙。在上述有机发光二极管显示装置中，所述密封胶构件中混合有结构巩固颗粒，所述结构巩固颗粒用于加强所述密封胶构件的结构强度。在上述有机发光二极管显示装置中，所述结构巩固颗粒为金属颗粒。在上述有机发光二极管显示装置中，所述多晶硅层中掺杂有P离子。一种有机发光二极管显示面板，所述有机发光二极管显示面板包括：玻璃基板；缓冲层，所述缓冲层设置在所述玻璃基板上；绝缘层；开关器件层，所述开关器件层包括薄膜晶体管开关、扫描线、数据线，所述薄膜晶体管开关包括：多晶硅层，所述多晶硅层设置在所述缓冲层上，所述绝缘层覆盖所述多晶硅层；栅极，所述栅极设置在所述绝缘层上，并且所述栅极的位置与所述多晶硅层的位置对应，所述栅极与所述扫描线连接；源极，所述源极的至少两第一接触面与所述多晶硅层接触，所述源极与所述数据线连接；漏极，所述漏极的至少两第二接触面与所述多晶硅层接触；平坦化层，所述平坦化层设置在所述开关器件层上；显示器件层，所述显示器件层设置在所述平坦化层上，所述显示器件层包括：阳极层，所述阳极层设置在所述开关器件层上，所述阳极层与所述漏极连接；空穴注入层，所述空穴注入层设置在所述阳极层上；空穴传输层，所述空穴传输层设置在所述空穴注入层上；发光材料层，所述发光材料层设置在所述空穴传输层上；电子传输层，所述电子传输层设置在所述发光材料层上；电子注入层，所述电子注入层设置在所述电子传输层上；阴极层，所述阴极层设置在所述电子注入层上；盖板。在上述有机发光二极管显示面板中，所述有机发光二极管显示面板还包括：密封胶构件，所述密封胶构件设置在所述玻璃基板的边缘部，所述密封胶构件在所述边缘部处与所述盖板和所述基板接触，所述密封胶构件用于在所述边缘部处密封所述盖板与所述基板之间的缝隙。在上述有机发光二极管显示面板中，所述密封胶构件中混合有结构巩固颗粒，所述结构巩固颗粒用于加强所述密封胶构件的结构强度。在上述有机发光二极管显示面板中，所述结构巩固颗粒为金属颗粒。在上述有机发光二极管显示面板中，所述多晶硅层中掺杂有P离子。相对现有技术，本专利技术可以有效降低所述有机发光二极管显示面板中的TFT的漏电流，从而可以使得所述有机发光二极管显示面板在不增加额外的输入至TFT中的电流的情况下取得预期的显示效果。附图说明图1为本专利技术的有机发光二极管显示装置中的有机发光二极管显示面板的示意图。图2为图1中的显示器件层的示意图。具体实施方式参考图1和图2，图1为本专利技术的有机发光二极管显示装置中的有机发光二极管显示面板的示意图，图2为图1中的显示器件层的示意图。本专利技术的有机发光二极管显示装置包括数据驱动电路、扫描驱动电路、有机发光二极管显示面板。所述有机发光二极管显示面板与所述扫描驱动电路和所述数据驱动电路连接，所述有机发光二极管显示面板包括：玻璃基板101。缓冲层102，所述缓冲层设置在所述玻璃基板上。绝缘层。开关器件层103，所述开关器件层包括薄膜晶体管开关、扫描线、数据线，所述薄膜晶体管开关包括：多晶硅层，所述多晶硅层设置在所述缓冲层上，所述绝缘层覆盖所述多晶硅层。栅极，所述栅极设置在所述绝缘层上，并且所述栅极的位置与所述多晶硅层的位置对应，所述栅极与所述扫描线连接。源极，所述源极的至少两第一接触面与所述多晶硅层接触，所述源极与所述数据线连接。漏极，所述漏极的至少两第二接触面与所述多晶硅层接触。平坦化层104，所述平坦化层设置在所述开关器件层上。显示器件层105，所述显示器件层设置在所述平坦化层上，所述显示器件层包括：阳极层1051，所述阳极层设置在所述开关器件层上，所述阳极层与所述漏极连接。空穴注入层1052，所述空穴注入层设置在所述阳极层上。空穴传输层1053，所述空穴传输层设置在所述空穴注入层上。发光材料层1054，所述发光材料层设置在所述空穴传输层上。电子传输层1055，所述电子传输层设置在所述发光材料层上。电子注入层1056，所述电子注入层设置在所述电子传输层上。阴极层1057，所述阴极层设置在所述电子注入层上。盖板106。在本专利技术的有机发光二极管显示装置中，所述有机发光二极管显示面板还包括：密封胶构件107，所述密封胶构件设置在所述玻璃基板的边缘部，所述密封胶构件在所述边缘部处与所述盖板和所述基板接触，所述密封胶构件用于在所述边缘部处密封所述盖板与所述基板之间的缝隙。在本专利技术的有机发光二极管显示装置中，所述密封胶构件中混合有结构巩固颗粒，所述结构巩固颗粒用于加强所述密封胶构件的结构强度。在本专利技术的有机发光二极管显示装置中，所述结构巩固颗粒为金属颗粒。在本专利技术的有机发光二极管显示装置中，所述多晶硅层中掺杂有P离子。通过上述技术方案，可以有效降低所述有机发光二极管显示面板中的TFT的漏电流，从而可以使得所述有机发光二极管显示面板在不增加额外的输入至本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述有机发光二极管显示装置包括：数据驱动电路；扫描驱动电路；有机发光二极管显示面板，所述有机发光二极管显示面板与所述扫描驱动电路和所述数据驱动电路连接，所述有机发光二极管显示面板包括：玻璃基板；缓冲层，所述缓冲层设置在所述玻璃基板上；绝缘层；开关器件层，所述开关器件层包括薄膜晶体管开关、扫描线、数据线，所述薄膜晶体管开关包括：多晶硅层，所述多晶硅层设置在所述缓冲层上，所述绝缘层覆盖所述多晶硅层；栅极，所述栅极设置在所述绝缘层上，并且所述栅极的位置与所述多晶硅层的位置对应，所述栅极与所述扫描线连接；源极，所述源极的至少两第一接触面与所述多晶硅层接触，所述源极与所述数据线连接；漏极，所述漏极的至少两第二接触面与所述多晶硅层接触；平坦化层，所述平坦化层设置在所述开关器件层上；显示器件层，所述显示器件层设置在所述平坦化层上，所述显示器件层包括：阳极层，所述阳极层设置在所述开关器件层上，所述阳极层与所述漏极连接；空穴注入层，所述空穴注入层设置在所述阳极层上；空穴传输层，所述空穴传输层设置在所述空穴注入层上；发光材料层，所述发光材料层设置在所述空穴传输层上；电子传输层，所述电子传输层设置在所述发光材料层上；电子注入层，所述电子注入层设置在所述电子传输层上；阴极层，所述阴极层设置在所述电子注入层上；盖板。...
【技术特征摘要】
1.一种有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述有机发光二极管显示装置包括：数据驱动电路；扫描驱动电路；有机发光二极管显示面板，所述有机发光二极管显示面板与所述扫描驱动电路和所述数据驱动电路连接，所述有机发光二极管显示面板包括：玻璃基板；缓冲层，所述缓冲层设置在所述玻璃基板上；绝缘层；开关器件层，所述开关器件层包括薄膜晶体管开关、扫描线、数据线，所述薄膜晶体管开关包括：多晶硅层，所述多晶硅层设置在所述缓冲层上，所述绝缘层覆盖所述多晶硅层；栅极，所述栅极设置在所述绝缘层上，并且所述栅极的位置与所述多晶硅层的位置对应，所述栅极与所述扫描线连接；源极，所述源极的至少两第一接触面与所述多晶硅层接触，所述源极与所述数据线连接；漏极，所述漏极的至少两第二接触面与所述多晶硅层接触；平坦化层，所述平坦化层设置在所述开关器件层上；显示器件层，所述显示器件层设置在所述平坦化层上，所述显示器件层包括：阳极层，所述阳极层设置在所述开关器件层上，所述阳极层与所述漏极连接；空穴注入层，所述空穴注入层设置在所述阳极层上；空穴传输层，所述空穴传输层设置在所述空穴注入层上；发光材料层，所述发光材料层设置在所述空穴传输层上；电子传输层，所述电子传输层设置在所述发光材料层上；电子注入层，所述电子注入层设置在所述电子传输层上；阴极层，所述阴极层设置在所述电子注入层上；盖板。2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述有机发光二极管显示面板还包括：密封胶构件，所述密封胶构件设置在所述玻璃基板的边缘部，所述密封胶构件在所述边缘部处与所述盖板和所述基板接触，所述密封胶构件用于在所述边缘部处密封所述盖板与所述基板之间的缝隙。3.根据权利要求2所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述密封胶构件中混合有结构巩固颗粒，所述结构巩固颗粒用于加强所述密封胶构件的结构强度。4.根据权利要求3所述的有机发光二极管显示装置，其特征在于，所述结构巩固颗粒为金属颗粒。5.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘彦龙，苏俊武，丁杰，李涛，
申请(专利权)人：深圳爱易瑞科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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