【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请的交叉引用本申请是2009年3月4日提交的美国专利申请序列号12/397,863的部分继续,该专利申请根据美国法典35篇第119条和可适用的外国和国际法律要求2008年3月5日提交的美国临时专利申请序列号61/068,458的优先权,每个申请特此通过引用被全部并入。背景光生伏打学的领域通常涉及将太阳光直接转换成DC电功率的多层材料。这个转换的基本机制是由爱因斯坦在他被授予诺贝尔物理学奖金的1905学术科学论文中首先正确地描述的光生伏打(或光电)效应。在美国,光生伏打(PV)器件通俗地被称为太阳能电池。太阳能电池一般被配置为p型和n型半导体的协作夹层结构,其中n型半导体材料(在夹层结构的一“侧”上)展示电子的过量,而p型半导体材料(在夹层结构的另一“侧”上)展示空穴的过量,其中每个表示电子的缺乏。在这两种材料之间的p-n结附近,来自n型层的价电子移动到p型层中的邻近空穴内,在太阳能电池内部产生小的电气不平衡。这导致在结的邻近区域中的电场。当入射光子将电池中的电子激发到导带内时,所激发的电子从半导体的原子被释放,产生自由电子/空穴对。因为如上所述,p-n结在结的邻近区域中产生电场,在结附近以这种方式产生的电子/空穴对倾向于分离并远离结移动,电子朝着n型侧移动以及空穴朝着结的p型侧移动。这在电池中产生总电荷不平衡,使得如果外部导电路径设置在电池的两侧之间,则电子将沿着外部路径从n型侧移动回到p型侧,产生电流。实际上,可通过引导覆盖表面的一部分的网格来从n型侧的表面处或附近收集电子,同时仍然允许通过入射光子充分接近电池。当适当定位的电气触头被包括且电池(或一 ...
【技术保护点】
一种将薄膜硫属化物缓冲层沉积到柔性基底上的方法,包括:通过在布置在沉积区内的支承表面上滑动基底材料的幅材来经过所述沉积区输送所述幅材;将含金属的溶液和含硫属元素的溶液沉积到所述幅材的顶表面上,所述含金属的溶液包含从由铜、银、金、锌、镉、汞、铅、硼、铝、镓、铟和铊组成的组中选择的金属,以及所述含硫属元素的溶液包含从由氧、硫、硒和碲组成的组选择的硫属元素;相对于所述幅材的中心部分提升所述幅材的横向边缘部分,以将所述含金属的溶液的至少一部分和所述含硫属元素的溶液的至少一部分实质上遏制在所述幅材的所述顶表面上;以及使用布置在所述幅材的中心部分之下的固定位置中的多个磁铁来保持所述幅材的所述中心部分实质上平坦。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2013.12.16 US 14/108,1931.一种将薄膜硫属化物缓冲层沉积到柔性基底上的方法,包括:通过在布置在沉积区内的支承表面上滑动基底材料的幅材来经过所述沉积区输送所述幅材;将含金属的溶液和含硫属元素的溶液沉积到所述幅材的顶表面上,所述含金属的溶液包含从由铜、银、金、锌、镉、汞、铅、硼、铝、镓、铟和铊组成的组中选择的金属,以及所述含硫属元素的溶液包含从由氧、硫、硒和碲组成的组选择的硫属元素;相对于所述幅材的中心部分提升所述幅材的横向边缘部分,以将所述含金属的溶液的至少一部分和所述含硫属元素的溶液的至少一部分实质上遏制在所述幅材的所述顶表面上;以及使用布置在所述幅材的中心部分之下的固定位置中的多个磁铁来保持所述幅材的所述中心部分实质上平坦。2.如权利要求1所述的方法,其中通过使所述幅材在多个成角度的圆柱体上通过来提升所述幅材的所述横向边缘部分。3.如权利要求2所述的方法,其中所述成角度的圆柱体配置成随着所述幅材的运动旋转。4.如权利要求2所述的方法,其中所述成角度的圆柱体由低摩擦材料构造,并配置成当所述幅材移动时维持固定旋转位置。5.如权利要求1所述的方法,其中所述支承表面包括配置成减小在所述支承表面和所述幅材之间的接触的面积的多个凹槽。6.如权利要求1所述的方法,还包括提供在所述支承表面的至少部分和所述幅材之间的液体静力支承表面。7.如权利要求6所述的方法,其中所述支承表面包括配置成减小在所述支承表面和所述幅材之间的接触的面积的多个凹槽,以及其中所述液体静力支承表面由布置在所述凹槽内的水形成。8.一种将薄膜硫属化物缓冲层沉积到柔性基底上的方法,包括:通过在布置在沉积区内的支承表面上滑动薄膜基底材料的幅材来经过所述沉积区输送所述幅材;将含金属的溶液和含硫属元素的溶液沉积到所述幅材的顶表面上,所述含金属的溶液包含从由铜、银、金、锌、镉、汞、铅、硼、铝、镓、铟和铊组成的组中选择的金属,以及所述含硫属元素的溶液包含从由氧、硫、硒和碲组成的组选择的硫属元素;相对于所述幅材的中心部分提升所述幅材的横向边缘部分,以将所述含金属的溶液的至少一部分和所述含硫...
【专利技术属性】
技术研发人员:杰弗里·S·布里特,斯科特·奥尔布赖特,乌尔斯·朔普,沃尔特·施托斯,达伦·韦赖贝伊,
申请(专利权)人:环球太阳能公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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