调节碳化硅单晶生长温度的方法技术

本发明专利技术涉及一种调节碳化硅单晶生长温度的方法，它包括使籽晶与坩埚同轴，且使籽晶与坩埚沿相反放线旋转；通过控制晶体转速和坩埚转速，控制熔体温度场和温度分布；使感应线圈固定不动；通过坩埚升降，调节碳化硅升华的平面始终处于感应线圈磁场的最高点。本发明专利技术温度变化稳定，产品质量高。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种温度调节方法，具体涉及一种碳化硅单晶生产温度调节方法。
技术介绍
目前，碳化硅单晶生产的温度变化是通过调节感应线圈的高度或调节功率来实现的，其温度变化不稳定，产品质量不理想，同时在生产过程中存在安全隐患。
技术实现思路
专利技术目的：本专利技术的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种温度变化稳定，产品质量高的调节碳化硅单晶生长温度的方法。技术方案：为了解决上述技术问题，本专利技术所述的调节碳化硅单晶生长温度的方法，它包括以下步骤，（1）使籽晶与坩埚同轴，且使籽晶与坩埚沿相反放线旋转；（2）通过控制晶体转速和坩埚转速，控制熔体温度场和温度分布；（3）使感应线圈固定不动；（4）通过坩埚升降，调节碳化硅升华的平面始终处于感应线圈磁场的最高点。在步骤（1）中，使籽晶与坩埚中容纳的硅熔体相接触，使籽晶与坩埚同轴，然后从该坩埚中拉出该籽晶以形成一紧邻该籽晶的颈部，一紧邻该颈部的籽晶锥体，以及一紧邻该籽晶锥体的等直径部分。在步骤（2）中，晶体转速控制在8-10rpm，坩埚转速控制在5-8rpm，晶体和坩埚壁的中间形成了一个涡流。有益效果：本专利技术与现有技术相比，其显著优点是：本专利技术通过固定感应线圈，感应线圈的磁场固定在原来区域，外部环境保持原样，然后通过升降坩埚，调节碳化硅升华的平面始终处于感应线圈磁场的最高点，确保碳化硅从粉料的最上层有规则升华，通过精确控制晶体和坩埚转速，形成熔体温度场和温度分布，从而控制单晶硅中的氧分布和掺杂元素分布的均匀性，使产品质量有效提高，本方法中温度变化平稳，操作安全性高。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步的说明。本专利技术所述的调节碳化硅单晶生长温度的方法，它包括以下步骤，（1）使籽晶与坩埚同轴，且使籽晶与坩埚沿相反放线旋转；（2）通过控制晶体转速和坩埚转速，控制熔体温度场和温度分布；（3）使感应线圈固定不动；（4）通过坩埚升降，调节碳化硅升华的平面始终处于感应线圈磁场的最高点。在步骤（1）中，使籽晶与坩埚中容纳的硅熔体相接触，使籽晶与坩埚同轴，然后从该坩埚中拉出该籽晶以形成一紧邻该籽晶的颈部，一紧邻该颈部的籽晶锥体，以及一紧邻该籽晶锥体的等直径部分。在步骤（2）中，晶体转速控制在8-10rpm，坩埚转速控制在5-8rpm，晶体和坩埚壁的中间形成了一个涡流。本专利技术通过固定感应线圈，感应线圈的磁场固定在原来区域，外部环境保持原样，然后通过升降坩埚，调节碳化硅升华的平面始终处于感应线圈磁场的最高点，确保碳化硅从粉料的最上层有规则升华，通过精确控制晶体和坩埚转速，形成熔体温度场和温度分布，从而控制单晶硅中的氧分布和掺杂元素分布的均匀性，使产品质量有效提高，本方法中温度变化平稳，操作安全性高。本专利技术提供了一种思路及方法，具体实现该技术方案的方法和途径很多，以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员来说，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围，本实施例中未明确的各组成部分均可用现有技术加以实现。本文档来自技高网...

【技术保护点】
调节碳化硅单晶生长温度的方法，其特征在于：它包括以下步骤，（1）使籽晶与坩埚同轴，且使籽晶与坩埚沿相反放线旋转；（2）通过控制晶体转速和坩埚转速，控制熔体温度场和温度分布；（3）使感应线圈固定不动；（4）通过坩埚升降，调节碳化硅升华的平面始终处于感应线圈磁场的最高点。

【技术特征摘要】
1.调节碳化硅单晶生长温度的方法，其特征在于：它包括以下步骤，（1）使籽晶与坩埚同轴，且使籽晶与坩埚沿相反放线旋转；（2）通过控制晶体转速和坩埚转速，控制熔体温度场和温度分布；（3）使感应线圈固定不动；（4）通过坩埚升降，调节碳化硅升华的平面始终处于感应线圈磁场的最高点。2.根据权利要求1所述的调节碳化硅单晶生长温度的方法，其特征在于：在步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁玉平，闫鹏，袁佳斌，
申请(专利权)人：江苏拜尔特光电设备有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32