保护膜以及使用该保护膜的半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术是一种保护膜，其粘贴在半导体晶片的电路形成面，并具有聚酰亚胺基材以及热固性粘着层，所述热固性粘着层设置在上述聚酰亚胺基材的一个表面，并由包含丙烯酸系聚合物(a)、1分钟半衰期温度为140℃以上且200℃以下的热自由基产生剂(b)和交联剂(c)的组合物获得。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及保护膜以及使用该保护膜的半导体装置的制造方法。具体而言，涉及在分立器件、IGBT元件等半导体装置的制造工序中使用的、保护半导体晶片的电路形成面的保护膜和使用了该保护膜的半导体装置的制造方法。
技术介绍
在制造分立器件、IGBT元件时，以往，对晶片背面侧实施：将半导体晶片的电路非形成面(以下，适当称为“晶片背面”)进行磨削的工序，将晶片背面的加工改性层用药液等进行蚀刻的工序，在晶片背面形成金属电极的工序，此外，在IGBT元件的情况下进一步在晶片背面进行离子注入的工序，将注入的掺杂剂进行活化的退火工序等各种加工。其中，在将晶片背面进行磨削而将半导体晶片薄层化的工序中，为了防止半导体晶片的破损、污染，在半导体晶片的电路形成面(以下，适当称为“晶片表面”)粘贴具备粘着层的保护膜。作为这样的保护膜，可举出以下那样的保护膜。例如，在日本特开2011-216735号公报和日本特开2011-213919号公报中，公开了“在由聚酯树脂构成的基材树脂膜上具备放射线固化性的粘着剂层的晶片加工用粘着带”。此外，在日本特开2010-287819号公报中公开了，“在基材膜上，将包含粘着成分和固化成分的中间树脂层组合物固化而形成的中间树脂层与放射线固化性的粘着剂层依次叠层而得的半导体晶片加工用粘着带”。此外，在日本特开2011-249608号公报中公开了，“在含有聚酯树脂的基材树脂膜上，具备由放射线固化性的树脂组合物构成的粘着剂层的半导体晶片
表面保护用粘着带”。除了上述的保护膜以外，作为具备粘着层的膜，作为在具有减压加热工序的半导体的加工时粘贴于半导体而用于对其进行保护的保护膜，例如，日本特开2012-109585号公报中公开了“在基材的至少一个面，具备包含光固化型粘着剂、特定粒径的二氧化硅微粒和气体产生剂的粘着剂层的半导体加工用带”。进一步，作为具备粘着层的膜，作为通过加热而使粘着力降低的半导体晶片固定用片，例如，日本特开平10-025456号公报中公开了，“一种半导体晶片固定用片，其特征在于，是由片状的支持体与叠层在该支持体上的压敏性粘着剂形成主要部的半导体晶片固定用片，该粘着剂的主成分由基础聚合物100质量份、加热固化性化合物10～900质量份和加热聚合引发剂0.1～10质量份形成”。此外，作为适用于装饰用片等的粘着片，例如，日本特开平8-302301号公报中公开了，“在具有1×108cc·cm/cm2·sec·cmHg以上的氧透过系数的厚度500μm以下的膜状基材上，形成如果氧存在则不固化或延迟固化但通过加热进行固化的固化性粘着剂层而成的加热剥离性粘着片。”，也公开了这样的粘着片的固化性粘着剂层以粘着性橡胶系树脂(A)100质量份作为基准，配合了含有烯属不饱和基的化合物(B)50～150质量份、有机过氧化物(C)0.1～15质量份、交联剂(D)0.01～5.00质量份和阻聚剂(E)0.001～1.0质量份。该粘着片具有能够通过加热而容易地剥离这样的特征。
技术实现思路
专利技术所要解决的问题在上述的对晶片背面侧实施的各种加工中，包括在真空下加热半导体晶片的工序。特别是，在进行金属蒸镀、金属溅射和离子注入这样的加工的工序中，半导体晶片在真空装置内在真空下进行200℃以上的加热。如果将上述那样的各专利文献所记载的粘贴了具备粘着层的膜的半导体晶片，在真空下加热到200℃以上，则有时膜发生浮起，或粘着力上升到从半
导体晶片的剥离变得困难的程度。如果膜发生浮起，则运送变得困难。即，现状是：以往的具备粘着层的膜不能适用于在真空下进行200℃以上的加热的工序。这里，本说明书中，将在真空下200℃以上的加热适当称为“真空加热”。在以上那样的状况下，本专利技术的课题是提供在应用于包括下述工序的半导体装置的制造方法时，保护半导体晶片的电路形成面，同时抑制浮起的发生，并且，从半导体晶片剥离时的剥离性优异的保护膜，所述工序是将保护膜粘贴在半导体晶片的电路形成面，使热固性粘着层热固化后，在粘贴在半导体晶片的状态下直接在真空加热下进行的工序。此外，本专利技术的其它课题是提供使用了上述保护膜的、包括在真空加热下进行的工序的半导体装置的制造方法。用于解决课题的方法用于解决上述课题的方法如下所述。＜1＞一种保护膜，其粘贴在半导体晶片的电路形成面，并具有：聚酰亚胺基材；以及热固性粘着层，该热固性粘着层设置在上述聚酰亚胺基材的一个表面，并由包含丙烯酸系聚合物(a)、1分钟半衰期温度为140℃以上且200℃以下的热自由基产生剂(b)和交联剂(c)的组合物获得。＜2＞根据＜1＞所述的保护膜，上述热自由基产生剂(b)的分子量为200以上且1000以下。＜3＞根据＜1＞或＜2＞所述的保护膜，上述组合物进一步包含2官能以上的丙烯酸系低聚物(d)。＜4＞＜1＞～＜3＞的任一项所述的保护膜，上述丙烯酸系聚合物(a)为在侧链具有自由基反应性的双键的聚合物。＜5＞根据＜1＞～＜4＞的任一项所述的保护膜，其作为半导体装置的制造方法中的下述保护膜使用，所述半导体装置的制造方法包括下述工序：(1)在半导体晶片的电路形成面，将具有热固性粘着层的保护膜以该电路形成面与该热固性粘着层相接触的方式粘贴的粘贴工序；(2)将粘贴了上述保护膜的上述半导体晶片在120℃以上且180℃以下的温度加热的加热工序；(3)在(2)的加热工序后，将粘贴了上述保护膜的上述半导体晶片在真空下静置的静置工序；以及(4)在(3)的静置工序后，在真空并且200℃以上的条件下，对上述半导体晶片中的电路非形成面，实施金属蒸镀、金属溅射和离子注入中的任一种处理的处理工序。＜6＞一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：(A)在半导体晶片的电路形成面，将＜1＞～＜5＞的任一项所述的保护膜以上述热固性粘着层与该电路形成面相接触的方式粘贴的粘贴工序，(B)将上述半导体晶片中的电路非形成面进行磨削的磨削工序；(C)将粘贴了上述保护膜并磨削了电路非形成面的上述半导体晶片在120℃以上且180℃以下的温度加热的加热工序；(D)在(C)的加热工序后，将粘贴了上述保护膜的上述半导体晶片在真空下静置的静置工序；(E)在(D)的静置工序后，在真空并且200℃以上的条件下，对粘贴了上述保护膜的上述半导体晶片中的电路非形成面，实施金属蒸镀、金属溅射和离子注入中的任一种处理的处理工序；以及(F)将上述保护膜从上述半导体晶片剥离的剥离工序。＜7＞根据＜6＞所述的半导体装置的制造方法，在上述(A)的粘贴工序之后且上述(B)的磨削工序之前，包括下述工序：(i)在上述保护膜的聚酰亚胺基材的表面，粘贴半导体晶片磨削用膜的工序。＜8＞根据＜6＞所述的半导体装置的制造方法，上述(A)的粘贴工序中所使用的上述保护膜是在该保护膜的聚酰亚胺基材的表面粘贴半导体晶片磨削用膜而成的。＜9＞根据＜7＞或＜8＞所述的半导体装置的制造方法，在上述(B)的磨削工序之后且上述(C)的加热工序之前，包括下述工序：(ii)将上述半导体晶片磨削用膜从上述保护膜剥离的工序。＜10＞根据＜6＞～＜9＞的任一项所述的半导体装置的制造方法，上述(B)的磨削工序为残留上述半导体晶片中的电路非形成面的外周缘部，将内周部进行磨削的工序。专利技术的效果根据本专利技术，可以提供在应本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种保护膜，其粘贴在半导体晶片的电路形成面，并具有：聚酰亚胺基材；以及热固性粘着层，所述热固性粘着层设置在所述聚酰亚胺基材的一个表面，并由包含丙烯酸系聚合物(a)、1分钟半衰期温度为140℃以上且200℃以下的热自由基产生剂(b)和交联剂(c)的组合物获得。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.31 JP 2014-0744891.一种保护膜，其粘贴在半导体晶片的电路形成面，并具有：聚酰亚胺基材；以及热固性粘着层，所述热固性粘着层设置在所述聚酰亚胺基材的一个表面，并由包含丙烯酸系聚合物(a)、1分钟半衰期温度为140℃以上且200℃以下的热自由基产生剂(b)和交联剂(c)的组合物获得。2.根据权利要求1所述的保护膜，所述热自由基产生剂(b)的分子量为200以上且1000以下。3.根据权利要求1或权利要求2所述的保护膜，所述组合物进一步包含2官能以上的丙烯酸系低聚物(d)。4.根据权利要求1～权利要求3的任一项所述的保护膜，所述丙烯酸系聚合物(a)为在侧链具有自由基反应性的双键的聚合物。5.根据权利要求1～权利要求4的任一项所述的保护膜，其作为半导体装置的制造方法中的下述保护膜使用，所述半导体装置的制造方法包括下述工序：(1)在半导体晶片的电路形成面，将具有热固性粘着层的保护膜以该电路形成面与该热固性粘着层相接触的方式粘贴的粘贴工序；(2)将粘贴了所述保护膜的所述半导体晶片在120℃以上且180℃以下的温度加热的加热工序；(3)在(2)的加热工序后，将粘贴了所述保护膜的所述半导体晶片在真空下静置的静置工序；以及(4)在(3)的静置工序后，在真空并且200℃以上的条件下，对所述半导体晶片中的电路非形成面，实施金属蒸镀、金属溅射和离子注入中的任一种处理的处理工序。6.一种半导体装置的制造方法，其包括下述工序：...

【专利技术属性】
技术研发人员：助川诚，木下仁，田原修二，
申请(专利权)人：三井化学东赛璐株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP