基板保持具以及基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板保持具以及基板处理装置。用于多层地保持多个基板的基板保持具包括圆环状构件，该圆环状构件设置于相邻的基板之间，在与基板的要被等离子体处理的被处理面相对的面的外周缘部具有凸部。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及基板保持具以及基板处理装置。
技术介绍
公知有对多个晶圆一并(成批次地)进行成膜处理的立式的基板处理装置。在立式的基板处理装置中，将以层叠多个晶圆的方式保持多个晶圆的晶圆舟皿收容于处理容器，从气体供给部件向晶圆供给处理气体，从而进行成膜处理。例如在日本特开2010－132958号公报中公开了一种立式的基板处理装置，该基板处理装置包括以层叠多个晶圆的方式保持多个晶圆的晶圆舟皿，该晶圆舟皿包括具有圆形孔的环，该环配置于各个晶圆的正上方。在该立式的基板处理装置中，以环的圆形孔的直径从晶圆舟皿的下端朝向上端递增的方式配置了环。然而，在日本特开2010－132958号公报的结构中，等离子体直接作用于晶圆的外周缘部，因此，形成于晶圆的外周缘部的膜有时变薄。因此，需要对膜厚的面内均匀性进一步进行改善。
技术实现思路
根据本专利技术的一技术方案，提供一种多层地保持多个要进行等离子体处理的基板的基板保持具。所述基板保持具包括圆环状构件，该圆环状构件设置于相邻的所述基板之间，在与所述基板的要被等离子体处理的被处理面相对的面的外周缘部具有凸部。附图说明图1是一实施方式的基板处理装置的概略纵剖视图。图2是图1的基板处理装置的概略横剖视图。图3是表示晶圆舟皿的一个例子的图。图4是例示圆环状构件的概略侧视图。图5是例示圆环状构件的概略立体图。图6是表示形成于被配置于晶圆舟皿的上端部分的晶圆上的SiO2膜的膜厚的测量结果的图表。图7是表示形成于被配置于晶圆舟皿的中央部分的晶圆上的SiO2膜的膜厚的测量结果的图表。图8是表示形成于被配置于晶圆舟皿的下端部分的晶圆上的SiO2膜的膜厚的测量结果的图表。具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的实施方式进行说明。另外，在本说明书以及附图中，通过对实质上具有相同的功能构成的构成要素标注相同的附图标记，省略重复的说明。(基板处理装置的结构)对包括一实施方式的基板保持具的基板处理装置的一个例子进行说明。图1是一实施方式的基板处理装置1的概略纵剖视图。图2是图1的基板处理装置1的概略横剖视图。如图1以及图2所示，基板处理装置1具有沿着铅垂方向设置且下端开口的有顶的纵长圆筒体状的处理容器24。该处理容器24例如由石英形成。在该处理容器24内，在靠近上端的位置设置有石英制的顶板26，对处理容器24的
上侧内部空间进行密封。另外，为了提高排气特性而将该处理容器24的下端部的内径设定得稍大，其下端开口。该下端部也可以与例如不锈钢制的圆筒体状的歧管连结。基板处理装置1具有能够呈多层载置许多半导体晶圆W的石英制的晶圆舟皿28。半导体晶圆W是被处理体的一个例子，晶圆舟皿28是基板保持具的一个例子。晶圆舟皿28构成为，能够升降，能够经由下端开口部向处理容器24输入以及经由下端开口部从处理容器24输出。在本实施方式中，该晶圆舟皿28的支柱281构成为能够以大致等间距的方式多层地支承例如50张～150张左右的直径为300mm的晶圆W。该晶圆舟皿28隔着石英制的保温筒30载置于台32上，该台32被支承于旋转轴36上，该旋转轴36贯通对处理容器24的下端开口部进行开闭的例如不锈钢制的盖部34。并且，在供该旋转轴36贯通盖部34的贯通部夹设有例如磁性流体密封38，将该贯通部气密地密封且将旋转轴36支承成能够旋转。另外，在盖部34的周边部和处理容器24的下端部夹设有例如由O形密封圈等构成的密封构件40，对处理容器24进行密封。上述旋转轴36安装于被支承于例如舟皿升降机等升降机构(未图示)的臂42的顶端，构成为，能够使晶圆舟皿28以及盖部34等一体地升降，而向处理容器24输入以及从处理容器24输出。另外，也可以将台32固定于盖部34，不使晶圆舟皿28旋转地进行晶圆W的处理。并且，该处理容器24的下端部安装并支承于例如由不锈钢形成的底板44。在该处理容器24的下部设置有向处理容器24内供给要进行等离子体化的第1气体的第1气体供给部件46以及向处理容器24内供给第2气体的第2气体供给部件48。具体而言，第1气体供给部件46具有由石英管构成的第1气体喷嘴50，该第1气体喷嘴50向内侧贯通处理容器24的下部的侧壁并向上弯曲后延伸。该第1气体喷嘴50是沿着其长度方向以预定的间隔形成有多个(很
多)气体喷射孔50A的分散形的气体喷嘴，构成为能够从各气体喷射孔50A朝向水平方向大致均匀地喷射第1气体。另外，同样地，第2气体供给部件48也具有由石英管构成的第2气体喷嘴52，该第2气体喷嘴52向内侧贯通处理容器24的下部的侧壁并向上弯曲后延伸。第2气体喷嘴52是沿着其长度方向以预定的间隔形成有多个(很多)气体喷射孔52A的分散形的气体喷嘴，构成为能够从各气体喷射孔52A朝向水平方向大致均匀地喷射第2气体。另外，在分别与第1气体喷嘴50以及第2气体喷嘴52连接的气体通路46A、48A的中途，分别夹设有对气体流量进行控制的质量流量控制器那样的流量控制器46B、48B以及开闭阀46C、48C。另外，在此只示出供给第1气体和第2气体的第1气体供给部件46和第2气体供给部件48，但在使用更多的气体种类的情况下，也可以与此相对应地进一步设置其他的气体供给部件。另外，虽未图示，但也可以设置有用于供给例如N2等吹扫气体的气体供给部件、供给用于去除不需要的膜的清洁气体、例如HF系气体的清洁气体供给系统。并且，在该处理容器24的下部的侧壁形成有排气口54。并且，该排气口54与夹设有压力调整阀56A、真空泵56B等的真空排气系统56连接，能够对处理容器24内的气氛进行抽真空而维持在预定的压力。并且，在处理容器24中形成有活化部件58，该活化部件58沿着该处理容器24的长度方向设置，通过利用高频电力产生的等离子体使第1气体活化。也如图2所示，该活化部件58主要由如下构件构成：等离子体形成箱62，其是由沿着处理容器24的长度方向设置的等离子体划分壁60划分形成的；沿着该等离子体划分壁60的长度方向设置于该等离子体划分壁60的等离子体电极64；以及与该等离子体电极64连接的高频电源66。具体而言，等离子体形成箱62是这样形成的：在处理容器24的侧壁形成预定宽度的、上下细长的开口68，由上下细长的等离子体划分壁60在外侧覆
盖该开口68。等离子体划分壁60例如是石英制的，具有日文コ字状的截面，被气密地焊接接合于处理容器24的外壁。由此，该处理容器24的侧壁的一部分向外侧突出，形成截面日文コ字状的等离子体形成箱62。等离子体形成箱62的一侧是开口68，与处理容器24的处理空间连通。即、等离子体划分壁60的内部空间成为等离子体形成区域，与处理容器24内的处理空间连通。开口68沿着上下方向形成得足够长，以便能够在高度方向上涵盖被保持于晶圆舟皿28的全部晶圆W。并且，在等离子体划分壁60的两侧壁的外侧面，以彼此相对的方式设置有一对等离子体电极64。该等离子体电极64整体地沿着等离子体形成箱62的长度方向形成。并且，各等离子体电极64分别与供电线70连接，该供电线70经由用于谋求阻抗匹配的匹配电路71与等离子体发生用的高频电源66连接。利用从该高频电源66供给的高频电力在等离子体形成箱62内形成等离子体。在此，作为高频电源66的频率，可使用本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板保持具，其用于多层地保持多个要进行等离子体处理的基板，其中，该基板保持具包括圆环状构件，该圆环状构件设置于相邻的所述基板之间，在与所述基板的要被等离子体处理的被处理面相对的面的外周缘部具有凸部。

【技术特征摘要】
2015.03.12 JP 2015-0493791.一种基板保持具，其用于多层地保持多个要进行等离子体处理的基板，其中，该基板保持具包括圆环状构件，该圆环状构件设置于相邻的所述基板之间，在与所述基板的要被等离子体处理的被处理面相对的面的外周缘部具有凸部。2.根据权利要求1所述的基板保持具，其中，所述圆环状构件的外径大于所述基板的外径。3.根据权利要求1所述的基板保持具，其中，所述圆环状构件具有用于保...

【专利技术属性】
技术研发人员：及川大海，
申请(专利权)人：东京毅力科创株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP