屏蔽罩框架及其制作工艺制造技术

技术编号:13767412 阅读:68 留言:0更新日期:2016-09-29 00:13
本发明专利技术公开了一种屏蔽罩框架的制作工艺,包括如下步骤:S1、在进入模具的原材料料带上打印记点,该印记点为间隔设置的凹陷或凸起,制得坯件;S2、在坯件上需要拉伸及折弯的边缘处开孔。还公开了一种屏蔽罩框架,包括本体,所述本体的表面设有若干印记点,所述印记点为凹陷或凸起,所述表面的拉伸及折弯边缘开设有冲孔。本发明专利技术屏蔽罩框架及其制作工艺,使产品平面度能更稳定,并且可有效降低模具的维修费用。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电磁屏蔽
,尤其涉及一种屏蔽罩框架及其制作工艺
技术介绍
现代电子产品日趋向于薄轻化,并对电子产品要求越来越高,尤其是对电子设备硬件及性能的稳定性要求。目前诸多零器件采用的是表面焊接工艺(SMT)来进行安装Shield Frame(屏蔽罩框架),该工艺对Shield Frame(屏蔽罩框架)平面度要求较高。而目前,Shield Frame产品在制作中,因Shield Frame产品比较大,模具工艺是下料折弯结构,再经过螺丝来调整平面度,其主要缺点在于,冲压模具只考虑螺丝结构来调整平面度,但此种方案在调整时,需要对多个螺丝进行调整,且调模时间长,以及零件备件使用频率高,从而增加模具维修成本费用及影响生产效率降低;此外,平面度受材料残余应力的影响,尺寸稳定性差。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是,提供一种平面度稳定、维修成本低的屏蔽罩框架,另外,还提供该屏蔽罩框架的制作工艺。为了解决上述技术问题,本专利技术采用的技术方案为:提供一种屏蔽罩框架,包括本体,所述本体的表面设有若干印记点,所述印记点为凹陷或凸起,所述表面的拉伸及折弯边缘开设有冲孔。基于同一思路,还提供一种屏蔽罩框架的制作工艺,包括如下步骤:S1、在进入模具的原材料料带上打印记点,该印记点为间隔设置的凹陷或凸起,制得坯件;S2、在坯件上需要拉伸及折弯的边缘处开孔。本专利技术的有益效果在于:本专利技术的屏蔽罩框架,在原材料料带表面上增加印记点,使材料强度加强,同时,在产品拉伸及折弯边缘增加冲孔结构,消除
材料残余应力,使产品平面度能更稳定。此外,本专利技术的制作工艺,在制作时不会增加模具加工难度,而且本专利技术相对于现有技术的方案,可有效降低成本,现有技术的模具中零件备件因使用频率高,模具维修频率高(预估1天/次),且良品率大约在80.2%,而本专利技术采用上述的工艺,可有效提高生产效率且良率大约可提升90%以上,而模具维修/保养时间可变更2-3天/次,相对之前修模费用大大降低。附图说明图1为本专利技术实施例的屏蔽罩框架的制作工艺的工艺流程框图;图2为本专利技术实施例的屏蔽罩框架的原材料料带的结构示意图;图3为本专利技术实施例的屏蔽罩框架的冲压冲孔后的正面结构示意图;图4为本专利技术实施例的屏蔽罩框架的冲压冲孔后的背面结构示意图;图5为本专利技术实施例的屏蔽罩框架的正面结构示意图;图6为本专利技术实施例的屏蔽罩框架的背面结构示意图。标号说明:1、本体;11、表面;2、印记点;3、冲孔。具体实施方式为详细说明本专利技术的
技术实现思路
、构造特征、所实现目的及效果,以下结合实施方式并配合附图详予说明。本专利技术最关键的构思在于:本专利技术在原材料带上打印记点2,以制作本体1,具有该凹陷或凸起的屏蔽罩框架可有效保证平面度。请参阅图1,本专利技术屏蔽罩框架的制作工艺,包括如下步骤:S1、在原材料料带上打印记点,该印记点为间隔设置的凹陷或凸起,制得坯件;S2、在坯件上需要拉伸及折弯的边缘处开孔。从上述描述可知,本专利技术的有益效果在于:本专利技术的制作工艺,在制作时不会增加模具加工难度,而且本专利技术相对于现有技术的方案,可有效降低成本,
现有技术的模具中零件备件因使用频率高,模具维修频率高(预估1天/次),且良品率大约在80.2%,而本专利技术采用上述的工艺,可有效提高生产效率且良率大约可提升90%以上,而模具维修/保养时间可变更2-3天/次,相对之前修模费用大大降低。进一步的,所述原材料包括SUS不锈钢、洋白铜、铝材、马口铁、预镀Ni铝材或预镀镍SUS。由上述描述可知,原材料可以为SUS不锈钢、洋白铜、铝材、马口铁、预镀Ni铝材或预镀镍SUS,原材料的优选的厚度范围为0.1-0.35毫米。进一步的,所述印记点2为阵列排布,所述印记点2的深度为0.03-0.1毫米。如图2至图6的屏蔽罩框架,包括本体1,所述本体1的表面11设有若干印记点2,所述印记点2为凹陷或凸起,所述表面11的拉伸及折弯边缘开设有冲孔3。从上述描述可知,本专利技术的有益效果在于:本专利技术的屏蔽罩框架,在原材料料带表面上增加印记点2,使材料强度加强,同时,在产品拉伸及折弯边缘增加冲孔3结构,消除材料残余应力,使产品平面度能更稳定。进一步的,若干所述印记点2为阵列排布在本体1的表面11上。印记点2采用阵列排布,可均匀增强本体1的整体的强度,同时,阵列排布外形更加美观。进一步的,所述印记点2的形状为方形、圆形或椭圆形。进一步地,所述印记点2的大小为0.1-0.6毫米。进一步地,所述印记点2的间距为0.3-0.6毫米。进一步地,所述印记点2的深度为0.03-0.1毫米。请参照图2至图6,本专利技术的实施例一为:本实施例屏蔽罩框架,包括本体1,该本体1的表面11设有若干印记点2,印记点2为凹陷或凸起并阵列排布在本体1的表面11,在表面11的拉伸及折弯边缘还开设有冲孔3。该凹陷或凸起的形状为方形、圆形或椭圆形,或其形状的组合。印记点2优选的大小为0.3或0.4毫米,间距优选为0.4或0.5毫米,深度为0.03-0.1
毫米0.06或0.07毫米。如图1所示为该屏蔽罩框架的制作工艺流程框图,包括如下步骤:S1、在进入模具的原材料料带上打印记点2,该印记点2为间隔设置的凹陷或凸起,制得坯件,该原材料包括SUS不锈钢、洋白铜、铝材、马口铁、预镀Ni铝材或预镀镍SUS,印记点2为阵列排布,印记点2的深度为0.03-0.1毫米;S2、在坯件上需要拉伸及折弯的边缘处开孔。综上所述,本专利技术提供的屏蔽罩框架及其制作工艺,使产品平面度能更稳定,并且可有效降低模具的维修费用。以上所述仅为本专利技术的实施例,并非因此限制本专利技术的专利范围,凡是利用本专利技术说明书及附图内容所作的等同变换,或直接或间接运用在相关的
,均同理包括在本专利技术的专利保护范围内。本文档来自技高网
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【技术保护点】
一种屏蔽罩框架的制作工艺,其特征在于,包括如下步骤:S1、在进入模具的原材料料带上打印记点,该印记点为间隔设置的凹陷或凸起,制得坯件;S2、在坯件上需要拉伸及折弯的边缘处开孔。

【技术特征摘要】
1.一种屏蔽罩框架的制作工艺,其特征在于,包括如下步骤:S1、在进入模具的原材料料带上打印记点,该印记点为间隔设置的凹陷或凸起,制得坯件;S2、在坯件上需要拉伸及折弯的边缘处开孔。2.根据权利要求1所述的屏蔽罩框架的制作工艺,其特征在于,所述原材料包括SUS不锈钢、洋白铜、铝材、马口铁、预镀Ni铝材或预镀镍SUS。3.根据权利要求1所述的屏蔽罩框架的制作工艺,其特征在于,所述印记点为阵列排布,所述印记点的深度为0.03-0.1毫米。4.一种屏蔽罩框架,包括本体,其特征在于,所述本体的表面设有若干印记点,所述印记...

【专利技术属性】
技术研发人员:文盛杨
申请(专利权)人:深圳市信维通信股份有限公司
类型:发明
国别省市:广东;44

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