可提高光刻精度的遮罩制造技术

本发明专利技术公开了一种可提高光刻精度的遮罩，包括透镜组；深紫外光经由透镜组射出；透镜组的光射出方向固定有光刻遮罩；所述光刻遮罩；所述光刻遮罩下方设置有待处理晶片；待处理晶片之上粘贴有光刻胶；所述光刻胶有多个，相邻的光刻胶之间为第一空档；多块光刻胶组成光刻图案；光刻遮罩也有多个，每个光刻遮罩的位置与光刻胶的位置严格对应；相邻的光刻遮罩之间为第二空档；每两个相邻的光刻遮罩为一组，组成一组的两个光刻遮罩下方安装有一个移向透镜；每个光刻遮罩只有一个边缘被光刻遮罩覆盖。本发明专利技术通过增加移向透镜，改变了深紫外光在光刻胶边缘的相位，使得光刻边缘的深紫外光分辨率更高，有利于提高半导体器件的关键宽度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及集成电路制造领域，具体涉及一种可提高光刻精度的遮罩。
技术介绍
光刻是集成电路制造领域常会用到的一种工艺流程，随着集成电路的制造工艺的提升，
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术公开了一种可提高光刻精度的遮罩。本专利技术的技术方案如下：一种可提高光刻精度的遮罩，包括透镜组；深紫外光经由透镜组射出；透镜组的光射出方向固定有光刻遮罩；所述光刻遮罩；所述光刻遮罩下方设置有待处理晶片；待处理晶片之上粘贴有光刻胶；所述光刻胶有多个，相邻的光刻胶之间为第一空档；多块光刻胶组成光刻图案；光刻遮罩也有多个，每个光刻遮罩的位置与光刻胶的位置严格对应；相邻的光刻遮罩之间为第二空档；每两个相邻的光刻遮罩为一组，组成一组的两个光刻遮罩下方安装有一个移向透镜；每个光刻遮罩只有一个边缘被光刻遮罩覆盖。本专利技术的有益技术效果是：本专利技术通过增加移向透镜，改变了深紫外光在光刻胶边缘的相位，使得光刻边缘的深紫外光分辨率更高，有利于提高半导体器件的关键宽度。附图说明图1是本专利技术的结构图。图2是本专利技术的原理图。图3是现有技术的深紫外线相位图。具体实施方式图1是本专利技术的结构图。如图1所示，本专利技术包括透镜组4。深紫外光经由透镜组4射出。透镜组4的光射出方向固定有光刻遮罩。光刻遮罩3。光刻遮罩3下方设置有待处理晶片1。待处理晶片1之上粘贴有光刻胶2。光刻胶2有多个，相邻的光刻胶2之间为第一空档21。多块光刻胶2组成光刻图案。光
刻遮罩3也有多个，每个光刻遮罩3的位置与光刻胶2的位置严格对应。相邻的光刻遮罩3之间为第二空档31。每两个相邻的光刻遮罩3为一组，组成一组的两个光刻遮罩下方安装有一个移向透镜32。每个光刻遮罩3只有一个边缘被光刻遮罩3覆盖。图2是本专利技术的原理图，如图2所示，由于移向透镜32的存在，此处的深紫外光的相位会被移为相反方向，则相邻的光刻胶对于深紫外光的分辨率提高。此分辨率的提高可以参照图3，图3是现有技术的深紫外线相位图。与现有技术相比，显然，本专利技术可大大提高光刻精度，有利于减小集成电路的关键尺寸。以上所述的仅是本专利技术的优选实施方式，本专利技术不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本专利技术的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种可提高光刻精度的遮罩，其特征在于，包括透镜组(4)；深紫外光经由透镜组(4)射出；透镜组(4)的光射出方向固定有光刻遮罩；所述光刻遮罩(3)；所述光刻遮罩(3)下方设置有待处理晶片(1)；待处理晶片(1)之上粘贴有光刻胶(2)；所述光刻胶(2)有多个，相邻的光刻胶(2)之间为第一空档(21)；多块光刻胶(2)组成光刻图案；光刻遮罩(3)也有多个，每个光刻遮罩(3)的位置与光刻胶(2)的位置严格对应；相邻的光刻遮罩(3)之间为第二空档(31)；每两个相邻的光刻遮罩(3)为一组，组成一组的两个光刻遮罩下方安装有一个移向透镜(32)；每个光刻遮罩(3)只有一个边缘被光刻遮罩(3)覆盖。

【技术特征摘要】
1.一种可提高光刻精度的遮罩，其特征在于，包括透镜组(4)；深紫外光经由透镜组(4)射出；透镜组(4)的光射出方向固定有光刻遮罩；所述光刻遮罩(3)；所述光刻遮罩(3)下方设置有待处理晶片(1)；待处理晶片(1)之上粘贴有光刻胶(2)；所述光刻胶(2)有多个，相邻的光刻胶(2)之间为第一空档(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕耀安，
申请(专利权)人：无锡宏纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32