掩膜块、掩膜版及掩膜版的制造方法技术

本发明专利技术所提供了一种掩膜块，掩膜版及掩膜版的制造方法。所述掩膜块包括：至少一个功能部；包围所述功能部的支撑部；以及至少一个开口，设置于所述功能部；由于功能部具有较小的厚度，并且是通过一次刻蚀步骤即可形成mask开口，因而可以降低真空蒸镀遮蔽效应的影响，有利于提高产品的开口率和解析度，同时本发明专利技术工艺容易达成，且容易获得较高的刻蚀精度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及信息显示与光电
，特别是涉及一种掩膜块、掩膜版及掩膜版的制造方法。
技术介绍
目前随着光电行业的技术发展，真空蒸镀技术由于其具有独特的成膜性能优势，因而成为了薄膜沉积，尤其是有机薄膜沉积的主流技术方案。随着技术和产品性能的不断提升，真空蒸镀技术的发展也不断地面临挑战。其中，对于真空蒸镀的掩膜版(mask)的要求也越来越高，随着技术的发展，掩膜版朝着高精度，高质量的精细金属掩膜版(Fine Metal Mask，FMM)方向发展。掩膜版的制作精度，开口大小及形状直接制约了产品的解析度和产品质量。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种掩膜块、一种掩膜版及掩膜版的制造方法。本专利技术提供了一种掩膜块，包括：至少一个功能部；包围所述功能部的支撑部；以及至少一个开口，设置于所述功能部；其特征在于，所述开口为所述功能部通过一次刻蚀形成。本专利技术还提供了一种掩膜版，包含框架，和至少一个上述的掩膜块，所述框架用于固定所述掩膜块。本专利技术还包括一种掩膜版的制造方法，包括：提供掩膜基材，以及框架；对所述掩膜基材进行第一次刻蚀，形成至少一个功能部，和包围所述功能部
的支撑部；对所述功能部进行第二次刻蚀，在所述功能部形成至少一个所述开口，形成所述掩膜块；将至少一个所述掩膜块固定于所述框架。与现有技术相比，本专利技术至少具有如下突出的优点之一：1、本专利技术所提供的掩膜版，其功能部具有较小的厚度，并且是通过一次刻蚀步骤即可形成mask开口，因而可以降低真空蒸镀遮蔽效应的影响，使得mask开口可以做的更小，有利于提高产品的开口率和解析度。2、本专利技术所提供的掩膜版，功能部的厚度小于支撑部的厚度，不仅可达到降低真空蒸镀遮蔽效应的影响，而且可以增强掩膜版的整体结构强度，提高掩膜版的质量。3、本专利技术所提供的掩膜版的制作方法，先进行对功能部相应位置的第一次刻蚀，再对该位置进行二次刻蚀形成mask开口，第一次刻蚀所需成本较低，并且精度要求不高，工艺容易达成；此外二次刻蚀所需的刻蚀时间短，并且容易获得较高的刻蚀精度。附图说明图1是现有技术中一种掩膜版的示意图；图2是图1中沿切线AA’断开所得的截面图；图3是图2中其中一个开口放大后的示意图；图4是本专利技术的一个实施例所提供的掩膜块的示意图；图5是本专利技术的另一个实施例所提供的掩膜块的示意图；图6是图4中沿切线BB’断开所得的截面图；图7是本专利技术的一个实施例所提供的掩膜版的示意图；图8是本专利技术实施例所提供的一种掩膜版的制造方法的流程图；具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面将结合附图和实施例对本专利技术做进一步说明。需要说明的是，在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广。在图中相同的附图标记表示相同或类似的结构，因而将省略对它们的重复描述。所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施方式中。在下面的描述中，提供许多具体细节从而给出对本专利技术的实施方式的充分理解。然而，本领域技术人员应意识到，没有特定细节中的一个或更多，或者采用其它的方法、组元、材料等，也可以实践本专利技术的技术方案。在某些情况下，不详细示出或描述公知结构、材料或者操作以避免模糊本专利技术。本专利技术的附图仅用于示意相对位置关系，附图中元件的大小并不代表实际大小的比例关系。在详细阐述本专利技术实施例之前，首先将结合图1，图2和图3，对现有技术中常用的一种掩膜版加以介绍，以便于理解本
技术实现思路
。请参照图1，图1是现有技术中一种掩膜版的示意图。掩膜版10包含功能区12，和包围功能区的支撑区11。图2是图1中沿切线AA’断开所得的截面图。结合图1和图2，功能区12中包含有多个mask开口3，mask开口3用于使得在真空蒸镀过程中，受热蒸发的蒸镀材料穿过mask开口3蒸镀到对面的基板，实现真空蒸镀。图2中，Mask开口3为经过两步刻蚀，依次形成子开口1和子开口2，从而完成对mask的制作。现有技术的这种mask结构及制作方式，具有较大的真空蒸镀遮蔽效应，限制了mask开口的加工尺寸，不利于提高产品的开口率和解析度。下面结合图3，对上述原因加以阐述。图3是图2中mask开口放大后的示意图，其中P点为开口1底部的一个端点，R点为开口2底部的一个端点，Q点为位于开口1和开口2交界处的端点，直线L1为经过Q点且平行于掩膜版10的延伸平面的参考线，直线L2经过Q、R两点，直线L3经过P点，同时沿着掩膜版的法线方向延伸，直线L4经过Q点同时沿着掩膜版的法线方向延伸，因此L3平行于L4，且L3和L4均垂直于L1，此外，L2具有与L1的夹角α，L3和L4之间的距离为m，支撑区即掩膜版的厚度为n。掩膜版的遮蔽效应主要由厚度n，夹角α，以及距离m决定。可以看出如图3中所示的开口形状，当受热的蒸镀材料自下方穿过开口区时，所得到的蒸镀薄膜的形状和面积随着掩膜版的厚度n，夹角α，以及距离m的变化而改变，即掩膜版的遮蔽效应随着掩膜版的厚度n，夹角α，以及距离m的变化而改变。容易得到，厚度n越小时，掩膜版的遮蔽效应就越小；夹角α越小时，掩膜版的遮蔽效应越小；距离m越小时，掩膜版的遮蔽效应也会越小。有鉴于此，为了提出一种降低真空蒸镀遮蔽效应的掩膜块及掩膜版，本专利技术提供如下实施例。请参考图4和图5，图4和图5所示为本专利技术所提供的掩膜块的两种实现形式。掩膜块20包括至少一个功能部22，和包围功能部22的支撑部21，还包括位于功能部22的至少一个开口4，开口4为功能部22通过一次刻蚀形成。本实施例的支撑部21厚度位于30-1000微米之间，支撑部21与掩膜基材厚度相等，即掩膜基材的未经刻蚀的部分即构成支撑部21，支撑部21起到支撑功能部的作用，能够有效避免功能部由于太薄而发生形变，影响mask质量。本实施例中，掩膜块20的材料包含热膨胀系数较低的因瓦合金。此处，掩膜块20的材料可以是只包括因瓦合金，还可以是包含因瓦合金，以及除该合金以外的其他热膨胀系数较低的材料。在本专利技术的其他实现方式中，掩膜
块的组成材料还可以是其他种类的热膨胀系数较低的材料及其组合，本专利技术在此不作限定。本专利技术的实施例中，功能部22的形状可以是圆形，方形，椭圆形，或八角形等各种可能的形状，功能部22的面积为小于或等于20吋，功能部22的厚度为3-15微米。在本专利技术所提供实施例的一些可实现方式中，掩膜块20可以具有沿第一方向延伸的第一侧边，和沿第二方向延伸的第二侧边，所述第一侧边的长度大于所述第二侧边的长度，所述第一方向垂直于所述第二方向。接下来，将结合图6对本专利技术实施例所提供的掩膜块20的相关特征作进一步说明，图6是图4中沿切线BB’断开所得的截面图。可以看出，与现有技术明显的不同在于，本专利技术的技术方案功能部22的厚度与支撑部21的厚度是不相同的，功能部22的厚度小于支撑部21的厚度，而现有技术是在对掩膜基材的功能部所对应区域直接进行打孔，其功能部与周边的支撑部的厚度是相同的，且厚度相对较厚。需要指出的是，采用本专利技术的技术方案，由于支撑部的厚度为30-1000微米，而功能部的厚度仅仅只有3-15微米，功能部22的厚度远小于支撑部21的厚度，由本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种掩膜块，包括：至少一个功能部；包围所述功能部的支撑部；以及至少一个开口，设置于所述功能部；其特征在于，所述开口为所述功能部通过一次刻蚀形成。

【技术特征摘要】
1.一种掩膜块，包括：至少一个功能部；包围所述功能部的支撑部；以及至少一个开口，设置于所述功能部；其特征在于，所述开口为所述功能部通过一次刻蚀形成。2.如权利要求1所述的掩膜块，其特征在于，所述功能部的厚度小于所述支撑部的厚度。3.如权利要求1所述的掩膜块，其特征在于，所述功能部的厚度为3-15微米。4.如权利要求1所述的掩膜块，其特征在于，所述功能部的形状为圆形，方形，椭圆形，或八角形。5.如权利要求1所述的掩膜块，其特征在于，所述功能部的面积小于或等于20吋。6.如权利要求1所述的掩膜块，其特征在于，所述掩膜块的材料包含因瓦合金。7.如权利要求1所述的掩膜块，其特征在于，所述支撑部的厚度为30-1000微米。8.一种掩膜版，包含框架，和至少一个如权利要求1-7任意一项所述的掩膜块，所述框架用于固定所述掩膜块。9.如权利要求8所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜块具有沿第一方向延伸的第一侧边，和沿第二方向延伸的第二侧边，所述第一侧边的长度大于所述第二侧边的长度，所述第一方向垂直于所述第二方向，所述第二侧边的至少部分接触所述框架。10.如权利要求9所述的掩膜版，其特征在于，所述掩膜版包含多个所述
\t掩膜块，所述掩膜块设置为沿所述第二方向依次排列。11.一种掩膜版的制造方法，包括：...

【专利技术属性】
技术研发人员：辛宇，钱栋，张继帅，李旺，沈永财，
申请(专利权)人：上海天马有机发光显示技术有限公司，天马微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31