一种晶体谐振器及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种晶体谐振器及其制备方法。该晶体谐振器包括：晶体振荡晶片和固定装置，其中：晶体振荡晶片的边缘上设置有晶片定位结构块，固定装置上设置有与晶体定位结构块匹配的晶片定位缺口，通过将晶片定位结构块放置于晶片定位缺口中，实现晶体振荡晶片与固定装置之间的衔接。相比于现有技术，本发明专利技术提供的晶体谐振器中的晶体振荡晶片结构中增加了晶片定位结构块，以及在固定装置上相应地设计了晶片定位缺口，通过该晶片定位结构块和晶片定位缺口，实现了晶体振荡晶片与固定装置之间的衔接，解决了现有技术利用导电胶将晶体振荡晶片与基座固定时，由于导电胶的粘附作用在晶体振荡晶片上产生的应力造成晶体谐振器的工作性能相对较低的问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子
，尤其涉及一种晶体谐振器及其制备方法。
技术介绍
目前，由于石英晶体谐振器可以提供稳定的时钟信号，因此可以被应用于很多领域中，例如，计算机、航天、卫星定位、电视、收音机等均利用石英晶体谐振器提供时钟信号。常用石英晶体谐振器包含石英晶体振荡晶片、基座和外壳等部件，其中，石英晶体振荡晶片与基座通过导电胶进行衔接，即通过在石英振荡晶片上涂抹导电胶将石英晶体振荡晶片固定在基座上。石英晶体谐振器的工作原理是利用石英晶体的压电效应实现的，这里的压电效应具体是指：采用机械方法(拉伸、压缩等)在石英晶体振荡晶片上产生机械应变，从而使得晶体内部产生极化现象；反过来，还可以通过在晶体中的极化方向上加入电场，从而使得石英晶体振荡晶片上产生机械应变。现有技术将石英晶体振荡晶片与基座通过导电胶进行衔接的方法，操作步骤较为简单，的确给用户带来了便捷。但是，当导电胶通过粘附作用将石英晶体振荡晶片与基座衔接时，导电胶的粘附作用会在石英晶体振荡晶片上形成内应力，而该内应力会影响石英晶体振荡晶片的压电效应，造成晶片的振荡频率发生变化；另外，导电胶的粘附作用同样也会在基座上形成应力，从而使得该基座发生应力形变，该基座因为要恢复应力形变，会对石英晶体振荡晶片产生应力作用，也会使得晶片的振荡频率发生变化，降低了晶体谐振器的工作性能。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术提供了一种晶体谐振器，用于解决现有技术中利用导电胶将晶体振荡晶片与基座衔接，导致晶体谐振器的工作性能相对较低的问题。一种晶体谐振器，包括：晶体振荡晶片和固定装置，其中：所述晶体振荡晶片的边缘上设置有晶片定位结构块，所述固定装置上设置有与所述晶体定位结构块匹配的晶片定位缺口，通过将所述晶片定位结构块放置于所述晶片定位缺口中，实现所述晶体振荡晶片与所述固定装置之间的衔接。优选地，所述晶体定位结构块的数量为四个，且所述四个晶体定位结构块分别位于过所述晶体振荡晶片圆心的两个垂直方向上。优选地，所述晶体定位结构块的形状为梯形结构，且所述梯形结构的下底与所述晶体振荡晶片边缘衔接。优选地，所述梯形结构的下底与所述晶体振荡晶片边缘衔接，其中，衔接部分对应所述晶体振荡晶片的边缘角大于等于5度，且小于等于45度。优选地，所述固定装置包括：上电极和下电极，其中：所述上电极，用于将所述晶体振荡晶片压制于所述下电极上；所述下电极，用于承载所述晶体振荡晶片。优选地，所述下电极设置有晶片定位缺口，则所述上电极将所述晶体振荡晶片压制于所述下电极上具体包括：所述上电极将所述晶体振荡晶片中的晶体定位结构块压制于所述下电极中的晶片定位缺口中。优选地，所述上电极设置有上电极定位缺口，以及所述下电极设置有下电极定位台阶，所述下电极定位台阶与所述上电极定位缺口对应衔接。优选地，所述下电极定位台阶与所述上电极定位缺口对应衔接具体包括：利用定位夹具将所述下电极定位台阶与所述上电极定位缺口进行固定衔接。优选地，所述固定装置还包括基座，并将所述基座与所述上电极的电极引
出端相连。一种晶体谐振器的制备方法，包括：根据预设的尺寸对晶体材料进行加工，得到晶体振荡晶片，所述晶体振荡晶片的边缘上设置有晶片定位结构块；将所述晶体振荡晶片与固定装置进行衔接，其中，所述固定装置上设置有与所述晶体定位结构块匹配的晶片定位缺口，通过将所述晶片定位结构块放置于所述晶片定位缺口中，实现所述晶体振荡晶片与所述固定装置之间的衔接。本专利技术提供了一种晶体谐振器，该晶体谐振器包括晶体振荡晶片和固定装置，其中，该晶体振荡晶片的边缘上设置有晶片定位结构块，该固定装置上设置有与该晶体定位结构块匹配的晶片定位缺口，通过将该晶片定位结构块放置于该晶片定位缺口中，实现该晶体振荡晶片与固定装置之间的衔接。本专利技术提供的晶体谐振器中的晶体振荡晶片，相比于现有技术中的晶体振荡晶片，增加了晶片定位结构块，以及在固定装置上相应地设计了晶片定位缺口，利用该晶体定位结构块和该晶片定位缺口，实现了晶体振荡晶片与固定装置之间的衔接，解决了现有技术利用导电胶将晶体振荡晶片与基座固定时，由于导电胶的粘附作用在晶体振荡晶片上产生的应力造成晶体谐振器的工作性能相对较低的问题。附图说明此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：图1为本专利技术提供的一种现有技术中的晶体振荡晶片的结构示意图；图2为本专利技术提供的一种现有技术中的晶体谐振器的结构示意图；图3为本专利技术提供的一种晶体正振荡晶片的结构示意图；图4为本专利技术提供的一种晶体正振荡晶片的结构示意图；图5为本专利技术提供的一种晶体谐振器的结构示意图；图6为本专利技术提供的一种晶体谐振器中的固定装置的结构示意图；图7为本专利技术提供的一种制作晶片谐振器的流程示意图。具体实施方式在
技术介绍
中提到，石英晶体谐振器的工作原理主要是利用石英晶体的压电效应，这里的压电效应既包含有正压电效应和负压电效应。具体地，正压电效应是指：晶体在沿一定的方向上受到外力的作用而产生应力形变时，该晶体的内部将产生极化现象，同时在晶体的两个相对的表面上形成正负相反的电荷；当作用与晶体上的外力消失时，该晶体将恢复不带电的状态。负压电效应是指：当在极化方向给晶体附加极化电场，从而使得该晶体发生形变；当该极化电场消失时，该晶体将恢复形变。由此可知，给晶体谐振器中的晶体上施加力的作用，将会影响晶体谐振器的工作性能，而现有技术在固定谐振器中的石英晶体振荡晶片与固定装置时，通常利用导电胶将石英晶体振荡晶片与固定装置粘附在一起，如图1所示为目前通常使用的晶体振荡晶片，图2所示为现有技术将晶体振荡晶片固定于基座的示意图，其中：110为晶体振荡晶片，120为基座，130为固定晶体振荡晶片110与基座120的固定夹具，140为导电胶，用于将晶体振荡晶片110与基座120牢固粘附。由于导电胶140的粘附作用力会对晶体振荡晶片110产生附加应力的作用，另外，导电胶140同样也会对基座120产生附加应力的作用，使得基座120发生应力形变，因为基底120要恢复该应力形变，将对晶体振荡晶片110又产生一个应力作用。而产生的这两附加应力作用降低了晶体谐振器的工作性能。另外，因为导电胶140直接涂在晶片振荡晶片110上，所以会对晶体振荡晶片110造成污染，这样，加速了晶体振荡晶片110的老化速度，即减短了晶体谐振器的寿命。针对上述问题，本专利技术提供了一种晶体谐振器。为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本专利技术具体实施例及相应的附图对本专利技术技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。以下结合附图，详细说明本专利技术提供的技术方案。本专利技术提供了一种晶体谐振器，具体包括：晶体振荡晶片和固定装置，其中，所述晶体振荡晶片的边缘上设置有晶片定位结构块，所述固定装置上设置有与所述晶体定位结构块匹配的晶片定位缺口，通过将所述晶片定位结构块放置于所述晶片定位缺口中，实现所述晶体振荡晶片与所述固定装置之间的衔接。具体地，本专利技术提供的晶体振荡晶片的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种晶体谐振器，其特征在于，包括：晶体振荡晶片和固定装置，其中：所述晶体振荡晶片的边缘上设置有晶片定位结构块，所述固定装置上设置有与所述晶体定位结构块匹配的晶片定位缺口，通过将所述晶片定位结构块放置于所述晶片定位缺口中，实现所述晶体振荡晶片与所述固定装置之间的衔接。

【技术特征摘要】
1.一种晶体谐振器，其特征在于，包括：晶体振荡晶片和固定装置，其中：所述晶体振荡晶片的边缘上设置有晶片定位结构块，所述固定装置上设置有与所述晶体定位结构块匹配的晶片定位缺口，通过将所述晶片定位结构块放置于所述晶片定位缺口中，实现所述晶体振荡晶片与所述固定装置之间的衔接。2.根据权利要求1所述的晶体谐振器，其特征在于，所述晶体定位结构块的数量为四个，且所述四个晶体定位结构块分别位于过所述晶体振荡晶片圆心的两个垂直方向上。3.根据权利要求1所述的晶体谐振器，其特征在于，所述晶体定位结构块的形状为梯形结构，且所述梯形结构的下底与所述晶体振荡晶片边缘衔接。4.根据权利要求3所述的晶体谐振器，其特征在于，所述梯形结构的下底与所述晶体振荡晶片边缘衔接，其中，衔接部分对应所述晶体振荡晶片的边缘角大于等于5度，且小于等于45度。5.根据权利要求1所述的晶体谐振器，其特征在于，所述固定装置包括：上电极和下电极，其中：所述上电极，用于将所述晶体振荡晶片压制于所述下电极上；所述下电极，用于承载所述晶体振荡晶片。6.根据权利要求5所述的晶体谐振器，其特征在于，所述下电极设置有晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔巍，潘立虎，叶林，周伟平，郑文强，王作羽，刘小光，哈斯图亚，
申请(专利权)人：北京无线电计量测试研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11