【技术实现步骤摘要】
本描述涉及触摸屏幕感应技术。一个或多个实施例可以应用到例如电容式触摸屏幕。
技术介绍
配备有触摸屏幕的设备时常在雨中由湿的或出汗的手指使用,或者在可能导致冷凝的湿润环境中使用。尽管可能期望触摸屏幕在所有这些环境中正确地操作,表面的水/湿气可能以多种方式极大地影响触摸屏幕的性能,例如通过导致幻象触摸或者不利地影响准确性来影响触摸屏幕的性能。水/湿气可能会将触摸屏幕的互电容系统破坏到需要硬重启的地步。在某些情况下,在用户尝试将水擦拭干净时,屏幕甚至可能冻结或者变得完全没有反应。在危险的湿润环境中或者利用潮湿的面板来管理设备,对于触摸控制器工业而言是一个挑战性问题,并且因此已经在该领域内得到广泛研究。例如,US 2012/0268411 A1公开了一种图形接口,该图形接口驱使用户手动选择特定的设备工作模式。文献US 2012/0249470 A1提出了一种通过对导电元件的形状的分析来执行潮湿检测的解决方案。文献US 2012/0274604 A1公开了一种用于检测湿气在面板上的存在的硬件设置。而且,甚至在耐水设备的情况中,多点触摸操作可能不可用于潮湿显示器。期望经由触摸屏幕而致动的操作系统可以能够支持例如四
手指触摸以及更多,从而即使在潮湿环境下,真正的无假性(ghost-free)多点触摸可能智能电话等等中的有用配置。这种类型的操作可以通过诉诸两个不同的芯片来得以支持,一个芯片用于自电容,并且一个芯片用于互电容。
技术实现思路
在以上概述的场景中,因此需要能够克服前述概述出的缺陷的触摸屏幕控制器。一个或多个实施例以满足这样的需求为目标。一个或多个 ...
【技术保护点】
一种操作电容式触摸屏幕(S)的方法,包括:‑产生(C)针对所述屏幕(S)的电容值的电容地图(CM),其中所述电容值指示所述屏幕受到用户触摸的位置(X,Y),以及‑通过将所述电容值与感应阈值的至少一个设置(2041至2045)进行比较,来标识所述屏幕(S)受到用户触摸的位置,其中所述方法包括:‑向所述电容地图(CM)应用描述符处理(200;1000至1018a,1018b),以从所述电容地图(CM)提取描述符的集合(SumP,SumN,MaxNeg,MaxPos,SumNeg1,SumNeg2,SumNeg3,SumPos1,SumPos2,SumPos3),所述描述符指示所述屏幕(S)处于多个不同的操作环境中的一个操作环境,‑向所述描述符应用分类器规则的集合(202),以标识多个不同的操作环境(未被触摸的水、潮湿手指浮动、潮湿手指抓握、干燥手指/触笔浮动、干燥手指/触笔抓握)中的所述一个操作环境,以及‑根据通过向所述描述符(200)应用(202)分类器规则的所述集合而从所述多个不同的操作环境中标识出的操作环境,选择感应阈值的所述至少一个设置(2041至2045)。
【技术特征摘要】
2015.03.06 IT TO2015A0001541.一种操作电容式触摸屏幕(S)的方法,包括:-产生(C)针对所述屏幕(S)的电容值的电容地图(CM),其中所述电容值指示所述屏幕受到用户触摸的位置(X,Y),以及-通过将所述电容值与感应阈值的至少一个设置(2041至2045)进行比较,来标识所述屏幕(S)受到用户触摸的位置,其中所述方法包括:-向所述电容地图(CM)应用描述符处理(200;1000至1018a,1018b),以从所述电容地图(CM)提取描述符的集合(SumP,SumN,MaxNeg,MaxPos,SumNeg1,SumNeg2,SumNeg3,SumPos1,SumPos2,SumPos3),所述描述符指示所述屏幕(S)处于多个不同的操作环境中的一个操作环境,-向所述描述符应用分类器规则的集合(202),以标识多个不同的操作环境(未被触摸的水、潮湿手指浮动、潮湿手指抓握、干燥手指/触笔浮动、干燥手指/触笔抓握)中的所述一个操作环境,以及-根据通过向所述描述符(200)应用(202)分类器规则的所述集合而从所述多个不同的操作环境中标识出的操作环境,选择感应阈值的所述至少一个设置(2041至2045)。2.根据权利要求1所述的方法,其中所述电容地图(CM)是所述触摸屏幕(S)的互电容地图。3.根据权利要求1或权利要求2所述的方法,包括将描述符的所述集合(SumP,SumN,MaxNeg,MaxPos,SumNeg1,SumNeg2,SumNeg3,SumPos1,SumPos2,SumPos3)提取为在整个所述电容地图(CM)上计算出的全局描述符。4.根据前述任一项权利要求所述的方法,其中所述描述符处理(202;1000至1018a,1018b)包括:-相对于针对所述电容值的可能范围的集合(b1,b2,b3,-b1,-b2,-b3)来校验(1006a,1008a,1010a,1006b,1008b,1010b)所述电容值,
\t以及-根据所述校验的结果,提取(1012a,1014a,1016a,1018a,1012b,1014b,1016b,1018b)所述描述符。5.根据权利要求4所述的方法,其中所述描述符处理(202;1000至1018a,1018b)包括从所述电容地图(CM)中提取从以下各项中选择出的多个描述符:-针对所述电容值的正数值的最大值(maxPos);-针对所述电容值的负数值的最大值(maxNeg);-针对所述电容值的所有正数值的总和(sumN);-针对所述电容值的所有负数值的总和(sumP);-针对所述电容值的在第一正数范围中的正数值的总和(sumPos1);-针对所述电容值的在第二正数范围中的正数值的总和(sumPos2);-针对所述电容值的在第三正数范围中的正数值的总和(sumPos3);-针对所述电容值的在第一负数范围中的负数值的总和(sumNeg1);-针对所述电容值的在第二负数范围中的负数值的总和(sumNeg2);-针对所述电容值的在第三负数范围中的负数值的总和(sumNeg3)。6....
【专利技术属性】
技术研发人员:N·谷亚尔内里,
申请(专利权)人:意法半导体股份有限公司,
类型:发明
国别省市:意大利;IT
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