提高液晶显示面板外围区域剥离效率的方法技术

本发明专利技术提供一种提高液晶显示面板外围区域剥离效率的方法，所述液晶显示面板包括显示区域及设置在所述显示区域周围的外围区域，在剥离工艺中，在外围区域，在形成掩膜层的步骤中，在所述外围区域形成图形化的掩膜层，在沉积透明电极层的步骤中，透明电极层沉积在外围区域图形化的掩膜层表面，形成图形化的透明电极层，在剥离步骤中，剥离液通过所述图形化的透明电极层的边缘与所述掩膜层接触，去除所述掩膜层。本发明专利技术的优点在于，剥离液可从图形化的透明电极层的边缘进入并与所述掩膜层接触，增加了剥离液与掩膜层接触面积，大大提高了外围区域的剥离效率，使得外围区域剥离时间与显示区域的剥离时间与相近。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及液晶显示面板领域，尤其涉及一种提高液晶显示面板外围区域剥离效率的方法。
技术介绍
3光罩(3mask)技术是一种极大化缩减光罩次数的LCD新型技术，不仅可节约LCD面板制造成本，还可缩减工序时间，提高产能。3mask技术将钝化层(PV)与像素(PXL)用一道光罩形成，采用剥离(lift-off)工艺实现两层材料的图形化。Lift-off工艺是一种广泛应用于半导体及OLED技术中的材料图形化方法。与采用传统黄光制程的4mask/5mask技术不同的是，lift-off制程先形成掩膜并图形化，再在掩膜上形成ITO，通过剥离液(stripper)去除掩膜的同时，剥离掉掩膜上层的薄膜ITO，从而实现ITO的图形化。掩膜剥离速度跟被剥离的掩膜面积有关，需要被剥离的掩膜面积越大，剥离液浸润掩膜的时间越久，剥离掩膜的时间就越长。图1为现有的一块液晶显示面板的阵列基板示意图，中间的显示区域11布满重复排列的像素单元(附图中未标示)，而外围区域12则只有金属走线(附图中未标示)和其他设计，外围区域12有大部分面积是没有透明电极层(ITO)存在的。而在3mask制程中，在外围区域12，在透明电极层溅射(sputter)后，如图2所示，在掩膜13表面覆盖有透明电极层14，后续工艺中覆盖的大部分透明电极层14会被剥离液随掩膜一起被剥离掉，掩膜剥离液只能通过掩膜13的侧边(如图2中箭头所示，为了清楚描述，在图2中夸大了外围区域的尺寸)缓慢渗透与掩膜13产生反应，慢慢使掩膜13膨胀、浸润而被剥离。此过程因掩膜13面积过大而使外围区域12比显示区域11剥离时间增加很多。因此，亟需一种新的外围区域设计，提高外围区域掩膜剥离效率，使外围区域与显示区域面内区的剥离时间接近。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种提高液晶显示面板外围区域剥离效率的方法，其能够提供外围区域剥离效率，使得外围区域剥离时间与显示区域的剥离时间与相近。为了解决上述问题，本专利技术提供了一种提高液晶显示面板外围区域剥离效率的方法，
所述液晶显示面板包括显示区域及设置在所述显示区域周围的外围区域，在剥离工艺中，在外围区域，在形成掩膜层的步骤中，在所述外围区域形成图形化的掩膜层，在沉积透明电极层的步骤中，透明电极层沉积在外围区域图形化的掩膜层表面，形成图形化的透明电极层，在剥离步骤中，剥离液通过所述图形化的透明电极层的边缘与所述掩膜层接触，去除所述掩膜层。进一步，所述图形化的透明电极的边缘不仅包括外围区域整个图形化的透明电极的边缘，也包括图形化的掩透明电极内部的图形边缘。进一步，所述图形化的掩膜层是指使具有多条缝隙的掩膜层，使得在沉积透明电极层的步骤中在外围区域图形化的掩膜层表面沉积的透明电极层具有多条缝隙，所述剥离液通过所述透明电极层的缝隙与所述掩膜层接触。进一步，所述缝隙为多条平行的直线型缝隙。进一步，所述缝隙为多条平行的虚线型缝隙。进一步，所述缝隙为多条平行的折线型缝隙。进一步，所述缝隙为多条平行的虚折线型缝隙。进一步，在形成掩膜层步骤中，在所述显示区域也形成图形化的掩膜层。本专利技术的优点在于，剥离液可从图形化的透明电极层的边缘进入并与所述掩膜层接触，增加了剥离液与掩膜层接触面积，大大提高了外围区域的剥离效率，使得外围区域剥离时间与显示区域的剥离时间与相近。附图说明图1是现有的液晶显示面板的阵列基板示意图；图2是在现有的剥离工艺中外围区域覆盖掩膜层及透明电极层的示意图；图3是本专利技术液晶显示面板的阵列基板的示意图；图4A～图4D是本专利技术剥离工艺的流程示意图；图5A～图5D是本专利技术图形化的掩膜层的缝隙的示意图。具体实施方式下面结合附图对本专利技术提供的提高液晶显示面板外围区域剥离效率的方法的具体实施方式做详细说明。本专利技术提供一种提高液晶显示面板外围区域剥离效率的方法。在本具体实施方式中，具体涉及的是提高液晶显示面板的阵列基板的外围区域剥离效率的方法。参见图3所示，所述液晶显示面板的阵列基板包括显示区域31及设置在所述显示区域31周围的外围区域32。在现有技术中，在剥离工艺中，首先进行的是形成掩膜层步骤：在显示区域31及外围区域32表面形成掩膜层，由于显示区域需要形成图形化的ITO层，而外围区域并不需要ITO层，因此，现有技术在形成掩膜层的步骤中，在显示区域表面形成图形化的掩膜层，在外围区域直接形成掩膜层，不需要图形化；其次进行的是沉积透明电极层(ITO)的步骤：在所述掩膜层表面沉积透明电极层，而该步骤中，在显示区域，透明电极层直接沉积在图形化的掩膜层表面，形成图形化的透明电极层，在外围区域，透明电极层直接沉积在未图形化的掩膜层表面，形成没有图形化的的透明电极层；最后进行的是剥离步骤：采用剥离液去除掩膜层，同时去除掩膜层上表面的透明电极层，保留需要的透明电极层，在所述显示区域保留了图形化的透明电极层，外围区域的透明电极层被全部取去除。如
技术介绍
所述，现有的剥离工艺的缺点在于，外围区域的透明电极层由于面积较大，在剥离步骤中，剥离速度笔显示区域的剥离速度慢，剥离效率低。而本申请一种提高液晶显示面板外围区域剥离效率的方法，其剥离工艺的步骤与现有技术中的剥离工艺的步骤相同，区别在于，参见图4A，在形成掩膜层的步骤中，在所述外围区域32形成图形化的掩膜层33，进一步该步骤中，在显示区域同时形成图形化的掩膜层(附图中未标示)；参见图4B，在沉积透明电极层的步骤中，透明电极层34沉积在外围区域图形化的掩膜层33表面，形成图形化的透明电极层34；参见图4C，在剥离步骤中，剥离液通过所述图形化的透明电极层34的边缘与所述掩膜层33接触，所述剥离液的走向如图中箭头所示，去除所述掩膜层33。参见图4D，去除图形化的掩膜层33后，所述外围区域32的表面还沉积有部分透明电极层34，但是其并不会影响液晶显示面板的性能。参见图4C所示，所述图形化的透明电极层34的边缘不仅包括外围区域整个图形化的透明电极层34的边缘，也包括图形化的透明电极层34内部的图形边缘，增大了剥离液与所述掩膜层的接触面积，加快外围区域32剥离速度，大大提高外围区域32的剥离效率，使得外围区域32剥离时间与显示区域31的剥离时间与相近。在本具体实施方式中，所述图形化的掩膜层是指使具有多条缝隙的掩膜层，使得在沉积透明电极层的步骤中在外围区域图形化的掩膜层表面沉积的透明电极层具有多条缝隙，所述剥离液通过所述透明电极层的缝隙与所述掩膜层接触，提高外围区域的剥离效率。所述缝隙的形状多样化，例如，参见图5A，所述缝隙为多条平行的直线型缝隙；参见
图5B，所述缝隙为多条平行的虚线型缝隙；参见图5C，所述缝隙为多条平行的折线型缝隙；参见图5D，所述缝隙为多条平行的虚折线型缝隙。当然本专利技术仅示意性地列举了几个图形化的例子，本专利技术对此并不进行限制。以上所述仅是本专利技术的优选实施方式，应当指出，对于本
的普通技术人员，在不脱离本专利技术原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种提高液晶显示面板外围区域剥离效率的方法，所述液晶显示面板包括显示区域及设置在所述显示区域周围的外围区域，其特征在于，在剥离工艺中，在外围区域，在形成掩膜层的步骤中，在所述外围区域形成图形化的掩膜层，在沉积透明电极层的步骤中，透明电极层沉积在外围区域图形化的掩膜层表面，形成图形化的透明电极层，在剥离步骤中，剥离液通过所述图形化的透明电极层的边缘与所述掩膜层接触，去除所述掩膜层。

【技术特征摘要】
1.一种提高液晶显示面板外围区域剥离效率的方法，所述液晶显示面板包括显示区域及设置在所述显示区域周围的外围区域，其特征在于，在剥离工艺中，在外围区域，在形成掩膜层的步骤中，在所述外围区域形成图形化的掩膜层，在沉积透明电极层的步骤中，透明电极层沉积在外围区域图形化的掩膜层表面，形成图形化的透明电极层，在剥离步骤中，剥离液通过所述图形化的透明电极层的边缘与所述掩膜层接触，去除所述掩膜层。2.据权利要求1所述的提高液晶显示面板外围区域剥离效率的方法，其特征在于，所述图形化的透明电极的边缘不仅包括外围区域整个图形化的透明电极的边缘，也包括图形化的掩透明电极内部的图形边缘。3.根据权利要求1所述的提高液晶显示面板外围区域剥离效率的方法，其特征在于，所述图形化的掩膜层是指使具有多条缝隙的掩膜层，使得...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐洪远，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44