【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体纳米材料与新能源
，涉及一种金属-硫属半导体材料、其制备方法和用途。
技术介绍
金属-硫属半导体具有优异的能量转化和存储功能，并广泛应用于人类的生产、生活和科学研究中，而金属-硫属半导体纳米晶体的能力转化和存储性能则更为突出。近年来，金属-硫属半导体纳米晶体的制备和应用备受人们的关注，通过简单、绿色的工艺合成形貌可控、单分散性好、产量高、性能优异的金属-硫属半导体纳米材料一直是人们研究的重点。CN 104418311A公开了一种Cu2-xSe纳米晶片的制备方法，包括以下制备过程：⑴配制铜前躯体溶液；⑵配制硒前驱体溶液；⑶注入回流，出现Cu2-xSe纳米晶片；⑷对Cu2-xSe纳米晶片进行洗涤、液体脱离，得到Cu2-xSe纳米晶片。但是，该Cu2-xSe纳米晶片的尺寸较大，并且没有公开其厚度。CN 104692341A公开了一种硒化亚锡正方形纳米片，主要成分是Sn和Se，二者摩尔比例为1:1，纳米片由正交晶体结构的SnSe构成，呈规则的正方形片状；纳米片的边长约为200-400nm，厚度约为20-30nm。但是该纳米片的制备工艺条件苛刻。不同尺寸与形貌的硫属半导体材料的能量转化与存储性能存在较大的差异，其相应的纳米晶体能量存储与转化性往往能更为优异。但这类金属-硫属半导体纳米晶体的制备工艺相对复杂或可控性较差或难以实现规模化工业生产。
技术实现思路
针对现有技术存在的不足，本专利技术的目的在于提供一种金属-硫属半导体材料、其制备方法和用途，所述金属-硫属半导体材料属于纳米半导体材料，粒径均一，形貌及大小可控，性能好，其制备方法所需的原...
【技术保护点】
一种金属‑硫属半导体材料，包括金属‑硫属半导体晶体，其特征在于，所述金属‑硫属半导体晶体的三维尺度至少一个尺度为1‑100纳米，所述金属‑硫属半导体晶体为纳米片或纳米立方体，所述纳米片具有原子级厚度，所述纳米立方体暴露晶面为{100}晶面。
【技术特征摘要】
1.一种金属-硫属半导体材料，包括金属-硫属半导体晶体，其特征在于，所述金属-硫属半导体晶体的三维尺度至少一个尺度为1...
【专利技术属性】
技术研发人员：何佳清，谢晓滨，林京洋，冯丹，
申请(专利权)人：南方科技大学，
类型：发明
国别省市：广东;44
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。