清净化多结晶硅块破碎物的制造装置及利用该制造装置制造清净化多结晶硅块破碎物的方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种制造装置，能够通过吹出的气流更有效率地除去多结晶硅块破碎后混入其中的金属微粉或硅微粉等。这种清净化多结晶硅块破碎物的制造装置包括：输送带，最好是网状，用以搬运多结晶硅块破碎物；吹飞用气流喷射器，设置于该输送带的移动面的上方，吹掉伴随该多结晶硅块破碎物的微粉；以及飞跃防止用网，设置于该网状输送带的该移动面以及位于该移动面的上方的该吹飞用气流喷射器之间，防止该多结晶硅块破碎物过度弹跳。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及于清净化的多结晶硅块破碎物的制造装置，以及利用该制造装置来制造清净化的多结晶硅块破碎物的方法。
技术介绍
半导体装置或太阳能电池的制造当中所使用的硅晶圆片一般会使用西门子法制造的棒状多结晶硅块，然后通过以下的方法制造而成。也就是，将硅块在敲碎后分类出拳头大小的碎片，将获得的多结晶硅块破碎物做为原料使用柴可拉斯基法产生圆柱状的硅晶棒，再将这种硅晶棒切片研磨切削，获得晶圆片。敲碎上述的多结晶硅块一般较多是以人力使用槌子来实施。又，为了产量更高地获得多量的硅块破碎物，也会使用通常是敲碎矿石用的被称为颚式压碎机的压碎机等，来取代使用槌子的人力敲碎。在此，槌子的材质、或是做为颚式压碎机的压碎部并具有突起等的2片金属板(颚)的材质虽然是含有碳化钨(Tungsten Carbide)、钛等的高硬度金属，但也无法避免获得的破碎物中有这些金属微粉的混入。如果有这种金属微粉的不纯物残留，就会成为柴可拉斯基法制造硅晶棒时金属污染的主因。以上述的槌子或颚式压碎机来打碎多结晶硅块时，也会大量产生粒子径小的多结晶硅的微粉(以下也称为「硅微粉」)。这种多结晶硅微粉也有使破碎时的金属污染更严重、以柴可拉斯基法制造硅晶棒时微粉难以溶解的问题，并且会使硅晶棒的生产力下降。因此，这种多结晶硅块破碎物强烈需要去除因破碎而混入的金属微粉或硅微粉等的微粉类。另一方面，上述多结晶硅块破碎后的分级例如使用以振动来进行筛选的振动筛选机(例如参照专利文献1)、以旋转的滚筒来筛选的分级机(例如参照专利文献2)、或是将搬运破碎物的输送带做成网状使得比网孔要小的
粒子落下的滚动式分级机(例如参照专利文献3)。然而，因为上述破碎而产生的微粉相当微小且比表面积大，会进入多结晶硅块破碎物的复杂的间隙、附着在该破碎物的表面等，因此使用既有的分级机来分级无法高度地去除这些微粉。在这些步骤后，如果不使用特殊的蚀刻剂进行繁杂的蚀刻处理的话，就无法使获得的破碎物充分地清净化。因此，为了除去混入上述多结晶硅块破碎物中的微粉，也有一种方案是将压缩空气吹到该破碎物上(参照专利文献4，请求项25、段落[0082]～[0088])。先行技术文献专利文献1：日本特表2009-532319号公报专利文献2：日本特开2004-91321号公报专利文献3：日本特开2012-62206号公报专利文献4：日本特开2012-46412号公报通过上述压缩空气来除去微粉的方法，仅揭示了在破碎后及/或分级后进行压缩空气的吹出，但完全没有揭示在破碎后的分级、搬运线上要以怎样的装置构造来实施。因此，无法有效率地实施这种操作，无法简单地达成将破碎物充分地清净化。有鉴于此，本专利技术的目的是提供一种制造装置及制造方法，能够在多结晶硅块破碎后，用气流吹动的方式有效率地去除混入的金属微粉或硅微粉等的微粉。
技术实现思路
本专利技术人等有鉴于上述问题而持续地进行研究。结果找出了解决上述问题的方法，也就是以输送带搬运多结晶硅块破碎物时，在该输送带的输送面的至少上方设置各吹飞用气流喷射器，在该输送带的输送面与设置于上方的吹飞用气流喷射器之间设置多结晶硅块破碎物的飞跃防止网，藉此完成本专利技术。也就是，本专利技术提出一种清净化多结晶硅块破碎物的制造装置，至少包括：a)带式输送机，搬运多结晶硅块破碎物；b)吹飞用气流喷射器，设置于该带式输送机的输送带的移动面的上方，吹掉伴随该多结晶硅块破碎物的
微粉；以及c)飞跃防止用网，设置于该输送带的该移动面以及位于该移动面的上方的该吹飞用气流喷射器之间，防止该多结晶硅块破碎物过度弹跳。本专利技术另一观点提出一种清净化多结晶硅块破碎物的制造装置，至少包括：带式输送机，搬运多结晶硅块破碎物；以及吹飞用气流喷射器，设置于该带式输送机的输送带的移动面的上方或下方，吹掉伴随该多结晶硅块破碎物的微粉，其中该输送带是网状。本专利技术也提出一种清净化多结晶硅块破碎物的制造方法，包括：使用上述的清净化多结晶硅块破碎物的制造装置，将气流吹到载置于移动中的该输送带上的该多结晶硅块破碎物上，将伴随着该多结晶硅块破碎物的该微粉去除。根据本专利技术的多结晶硅块破碎物的制造装置，以输送带搬运多结晶硅块破碎物时，通过至少设置于输送带的移动面的上方的吹飞用气流喷射器所吹出的气流，能够有效率地将伴随破碎物的微粉吹掉，使多结晶硅块破碎物清净化。此时，从上方吹出的气流偏离地吹到载置于输送带上的多结晶硅块破碎物的情况下，破碎物发生激烈弹跳的情况下会有跳出输送带外的危险性存在。然而，本专利技术的装置中，在该输送带的移动面以及设置于上方的微粉的吹飞用气流喷射器之间，设置了这种多结晶硅块破碎物的飞跃防止用网，因此能够适度地抑制弹跳，防止上述问题。又，带式输送机的输送带是网状的多结晶硅块破碎物的制造装置中，网状的输送带能够使吹飞用气流喷射器喷出的气流通过，藉此防止多结晶硅块破碎物过度弹跳的问题。一边抑制过度弹跳，一边将适当强度的气流吹到多结晶硅块破碎物上，藉此能够使输送带上的多结晶硅块破碎物产生需要的移动及旋转。因为吹飞用气流喷射器喷出的气流能够接触到多结晶硅块破碎物的表面全体，所以这种多结晶硅块破碎物的制造装置能够有效地除去微粉。这种多结晶硅块破碎物的制造装置中，将带式输送机的输送带做成网状，然后将伴随着多结晶硅块破碎物的微粉吹飞用的气流喷射器也设置再该网状的输送带的移动面的下方的情况下，通过从网状输送带的移动面下方吹上来的气流，使得多结晶硅块破碎物的移动或转动变得活跃。藉此使得朝向破碎物喷出的气流更能接触到破碎物的全体。结果，微粉的除去效率，尤其
是附着于多结晶硅块破碎物的下面的微粉的除去效率提高。在这种方式中，通过下方吹上来的气流使多结晶硅块破碎物的弹跳更激烈，因此在该输送带的移动面以及其上方的吹飞用气流喷射器之间设置多结晶硅块破碎物的飞跃防止用网，特别良好地发挥了防止破碎物往输送带外跳出的效果。而且，通过这种飞跃防止用网，能够防止多结晶硅块破碎物被下方吹来的气流吹到离输送带的移动面过高的位置，因此不会发生来自下方的气流吹到破碎物的下面的强度减弱使微粉的除去效率降低的情形。因此，根据本专利技术的装置，能够良好地减低多结晶硅块破碎时产生的金属微粉不纯物或多结晶硅的微粉等微粉的混入，能够容易地制造清净化的多结晶硅块破碎物。附图说明图1是显示本专利技术的清净化多结晶硅块破碎物的制造装置的概略代表方式在带式输送机移动方向上的纵剖面图。图2是显示图1的清净化多结晶硅块破碎物的制造装置的A-A纵端面图。图3是显示本专利技术的清净化多结晶硅块破碎物的制造装置的另一代表方式在带式输送机移动方向上的纵剖面图。图4是显示图3的清净化多结晶硅块破碎物的制造装置的A-A纵端面图。图5是显示图3的清净化多结晶硅块破碎物的制造装置中的带式输送机1的网状输送带2的一部分的放大平面图。图6是显示本专利技术的清净化多结晶硅块破碎物的制造装置的另一代表方式在带式输送机移动方向上的纵剖面图。图7是显示上述图3的清净化多结晶硅块破碎物的制造装置中，在比所有的微粉吹飞用气流喷射器中设置在输送带的移动路线最上流者的更上流处，设置多结晶硅块破碎物除电用的离子化气流放出器的方式的纵剖面图。其中，附图标记说明如下：1～带式输送机；2～输送带；2a～移动面；3～开口部；4～本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种清净化多结晶硅块破碎物的制造装置，包括：a)带式输送机，搬运多结晶硅块破碎物；b)吹飞用气流喷射器，设置于该带式输送机的输送带的移动面的上方，吹掉伴随该多结晶硅块破碎物的微粉；以及c)飞跃防止用网，设置于该输送带的该移动面以及位于该移动面的上方的该吹飞用气流喷射器之间，防止该多结晶硅块破碎物过度弹跳。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.02.14 JP 2014-026622;2014.07.16 JP 2014-145561.一种清净化多结晶硅块破碎物的制造装置，包括：a)带式输送机，搬运多结晶硅块破碎物；b)吹飞用气流喷射器，设置于该带式输送机的输送带的移动面的上方，吹掉伴随该多结晶硅块破碎物的微粉；以及c)飞跃防止用网，设置于该输送带的该移动面以及位于该移动面的上方的该吹飞用气流喷射器之间，防止该多结晶硅块破碎物过度弹跳。2.如权利要求1所述的清净化多结晶硅块破碎物的制造装置，其中该输送带是网状。3.如权利要求2所述的清净化多结晶硅块破碎物的制造装置，其中该吹飞用气流喷射器也设置于网状的该输送带的该移动面的下方。4.如权利要求2至3中任一项所述的清净化多结晶硅块破碎物的制造装置，其中该吹飞用气流喷射器在该输送带的移动方向的上流处设置于该移动面的上方，在下流处设置于该移动面的下方，在更下流再次设置于该移动面的上方，总共至少设置于3个位置。5.如权利要求2至4中任一项所述的清净化多结晶硅块破碎物的制造装置，其中该吹飞用气流喷射器在该输送带的该移动面的上方及下方的至少各一者，设置于相对于...

【专利技术属性】
技术研发人员：西村茂树，藤井正美，川口一博，义松信昭，浅野哲郎，
申请(专利权)人：德山株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP