一种硫华菊的矮化栽培方法技术

本发明专利技术涉及一种硫华菊的矮化栽培方法，该方法包括播种、苗期管理、整地、定植、养护管理；本发明专利技术方法可降低硫华菊的垂直高度、增加开花量，提升硫华菊作为园林植物栽植的景观效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种时花的栽培方法，特别涉及一种硫华菊的矮化栽培方法。
技术介绍
硫华菊(Cosmos sulphureus)为菊科硫华菊属一年生草本植物，原产于墨西哥，又名黄秋英、黄波斯菊、黄花波斯菊、硫黄菊、硫磺菊、黄芙蓉。硫华菊性强健，易栽培。喜阳光充足，不耐寒。多分枝，叶为对生的二回羽状复叶，深裂，裂片呈披针形，有短尖，叶缘粗糙，与大波斯菊相比叶片更宽。花为舌状花，有单瓣和重瓣两种，直径3-5厘米，颜色多为黄、金黄、橙色、红色。春播花期6-8月，夏播花期9-10月。作为景观花卉的硫华菊，在不经任何处理的情况下其垂直高度可达80cm以上，易倒伏，且开花量较小，景观效果持续性较差。
技术实现思路
本专利技术是依据硫华菊的生长习性和特点，提供了一种硫华菊的矮化栽培方法，可降低硫华菊的垂直高度、增加开花量，提升硫华菊作为园林植物栽植的景观效果。本专利技术的技术方案是：一种硫华菊的矮化栽培方法，包括播种、苗期管理、整地、定植、养护管理；所述播种步骤为：将硫华菊种子浸泡在浓度为0.5％的高锰酸钾溶液中进行消毒灭菌，浸泡时长1-2小时，将消毒处理好的种子播种在穴盘上，基质采用松散的腐殖土，每穴播种2粒种子，播种后浇透水，并用塑料薄膜进行覆盖，每2天揭开塑料薄膜喷水一次，保持基质湿润，保持育苗室温度在18-22℃，待种子发芽后将塑料薄膜揭开(一般为7-10天)。进一步，所述苗期管理包括以下步骤：幼苗子叶展开后，将穴盘移至明亮地方接受光照，保证每天2-3小时阳光照射，但不宜接受阳光直射，同时减少喷水次数至每3天浇水一次，出苗2天后除去弱苗，每穴保留一株。进一步，所述整地包括以下步骤：在需要栽植硫华菊的地块进行翻挖松土，翻挖深度为20-30cm，疏松土壤、细碎土块，去除大块杂物，对于轻壤、中壤按照1kg/m2掺拌草炭土，对于土壤为质地粘重的重壤，除掺拌1kg/m2草炭土外，还需要按照质量比原土:河砂＝1:1掺拌河砂，将掺拌物与原土混合均匀后对土地进行平整。进一步，所述定植包括以下步骤：在幼苗出现5-7片真叶时对幼苗进行摘心并移栽，在
平整好的地块按照株行距50cm×50cm进行挖穴，穴深10cm左右，穴径10-15cm，每穴栽植一株。栽植完成后立即浇透水。优选地，栽植后，架设遮阳网，遮盖3-4天，待缓苗后移除遮阳网。进一步，所述养护管理包括以下步骤：2-4天浇水一次，每次浇水浇透；(一般情况下，3-4天浇水一次，天旱时2天浇一次，降水过大或长时间连续降水时，开沟排水)，在植株垂直高度到达20-30cm时，对植株进行二次摘心，3天后喷施多效唑，喷施浓度400mg/L，用量0.15-0.25kg/m2，花蕾期追肥一次，叶面喷施质量浓度1％的磷酸二氢钾溶液，按照0.3-0.5kg/m2的量进行喷施。本专利技术的有益效果：按照本专利技术的方法栽植硫华菊，一方面可有效降低硫华菊垂直高度，将整株高度控制在60cm以下，可大大减少植株的倒伏；另一方面能够增加单株的开花量，相比于常规种植其开花量增加20％-30％，提升了硫华菊的景观效果。具体实施方式下面结合具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不构成对本专利技术的限制。实施例1：以天津经济技术开发区第八大街泰达植物资源库芊卉园硫华菊矮化栽植为例。该园区的硫华菊矮化栽植主要按照以下步骤进行：播种：将硫华菊种子浸泡在浓度为0.5％的高锰酸钾溶液中进行消毒灭菌，浸泡2小时，将消毒处理好的种子播种在200孔穴盘上，基质采用松散的腐殖土，每穴播种2粒种子，播种后浇透水，并用塑料薄膜进行覆盖，每2天揭开塑料薄膜喷水一次，保持基质湿润，保持育苗室温度在20℃左右。待种子发芽后即可将塑料薄膜揭开。苗期管理：幼苗子叶展开后，将穴盘移至光线较好的地方接受适当的光照，控制光照强度，不宜接受阳光直射，每天光照2小时，同时减少喷水次数至每3天浇水一次，降低基质水分含量，以提高植株后期的品质。出苗2天后除去弱苗，每穴保留一株。整地：在需要栽植硫华菊的地块(土壤为轻壤)进行翻挖松土，翻挖深度为25cm，疏松土壤、细碎土块，去除大块杂物。按照1kg/m2掺拌草炭土，使其与表层0-25cm土壤均匀混合，同时对土地进行平整。定植：在幼苗出现5-7片真叶时对幼苗进行摘心并移栽，在平整好的地块按照株行距50cm×50cm进行挖穴，穴深10cm左右，穴径10cm，每穴栽植一株。栽植完成后立即浇透水。架设遮阳网，遮盖4天后移除。养护管理：根据土壤情况进行浇水，一般情况下每4天浇水一次，天旱时每2天浇水一次，每次浇水浇透。在由于降水过大或长时间连续降水，导致种植区地表有明显积水时进行开沟排水，保证土壤的透气性，防止植株烂根、死亡。在植株垂直高度到达25cm左右时，对植株进行二次摘心，3天后喷施多效唑，喷施浓度400mg/L，用量0.2kg/m2，以达到矮化植株、增加分枝的目的。花蕾期追肥一次，叶面喷施质量浓度1％的磷酸二氢钾溶液，按照0.4kg/m2的量进行喷施。结果：硫华菊的垂直高度被控制在50-60cm范围内，倒伏量小，株型整齐，开花量大，景观效果极好。以上所述，仅是本专利技术的较佳实施例而已，并非对本专利技术的技术方案作任何形式上的限制。凡是依据本专利技术的技术实质对以上实施例所作的任何简单的修改、等同变化与修饰，均仍属本专利技术的技术方案的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种硫华菊的矮化栽培方法，其特征在于：包括播种、苗期管理、整地、定植、养护管理；所述播种步骤为：将硫华菊种子浸泡在浓度为0.5％的高锰酸钾溶液中进行消毒灭菌，浸泡时长1‑2小时，将消毒处理好的种子播种在穴盘上，基质采用松散的腐殖土，每穴播种2粒种子，播种后浇透水，并用塑料薄膜进行覆盖，每2天揭开塑料薄膜喷水一次，保持基质湿润，保持育苗室温度在18‑22℃，待种子发芽后将塑料薄膜揭开。

【技术特征摘要】
1.一种硫华菊的矮化栽培方法，其特征在于：包括播种、苗期管理、整地、定植、养护管理；所述播种步骤为：将硫华菊种子浸泡在浓度为0.5％的高锰酸钾溶液中进行消毒灭菌，浸泡时长1-2小时，将消毒处理好的种子播种在穴盘上，基质采用松散的腐殖土，每穴播种2粒种子，播种后浇透水，并用塑料薄膜进行覆盖，每2天揭开塑料薄膜喷水一次，保持基质湿润，保持育苗室温度在18-22℃，待种子发芽后将塑料薄膜揭开。2.根据权利要求1所述的一种硫华菊的矮化栽培方法，其特征在于：所述苗期管理包括以下步骤：幼苗子叶展开后，将穴盘移至明亮地方接受光照，保证每天2-3小时阳光照射，但不宜接受阳光直射，同时减少喷水次数至每3天浇水一次，出苗2天后除去弱苗，每穴保留一株。3.根据权利要求2所述的一种硫华菊的矮化栽培方法，其特征在于：所述整地包括以下步骤：在需要栽植硫华菊的地块进行翻挖松土，翻挖深度为20-30cm，疏松土壤、细碎土块，去...

【专利技术属性】
技术研发人员：王振宇，田飞，张楚涵，谢志远，张清，
申请(专利权)人：天津泰达绿化集团有限公司，
类型：发明
国别省市：天津;12