一种大功率低噪音电子镇流器制造技术

本发明专利技术公开了一种大功率低噪音电子镇流器，其特征在于，主要由处理芯片U1，二极管整流器U，正极与二极管整流器U的正极输出端相连接、负极则与二极管整流器U的负极输出端相连接的电容C1，与电容C1相连接的电磁滤波电路，一端与处理芯片U的RT管脚相连接、另一端则与电磁滤波电路相连接的电阻R2，串接在处理芯片U1的PGND管脚和SGND管脚之间的电阻R4等组成。本发明专利技术可以放大其输出功率，从而可以满足大功率日光灯的工作需求，扩大了本发明专利技术的适用范围。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种镇流器，具体是指一种大功率低噪音电子镇流器。
技术介绍
随着社会的发展，镇流器已被广泛的应用于日光灯上，镇流器可以使输入电流稳定在灯管的额定电流范围内，而灯管两端的电压也被稳定在额定的工作电压范围内，起到降压限流的作用，不仅保护了日光灯，而且使日光灯的照明效果更好。然而，传统的镇流器容易受到电磁干扰信号的影响，导致其稳定性低，这严重的影响了日光灯的使用寿命。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服传统的镇流器容易受到电磁干扰信号影响的缺陷，提供一种大功率低噪音电子镇流器。本专利技术的目的通过下述技术方案实现：一种大功率低噪音电子镇流器，主要由处理芯片U1，二极管整流器U，正极与二极管整流器U的正极输出端相连接、负极则与二极管整流器U的负极输出端相连接的电容C1，与电容C1相连接的电磁滤波电路，一端与处理芯片U的RT管脚相连接、另一端则与电磁滤波电路相连接的电阻R2，串接在处理芯片U1的PGND管脚和SGND管脚之间的电阻R4，分别与处理芯片U1和电磁滤波电路相连接的变压输出电路，N极与处理芯片U1的VB管脚相连接、P极经电阻R3后与处理芯片U1的VCC管脚相连接的二极管D3；以及与电磁滤波电路相连接的功率放大电路组成；所述处理芯片U的VCC管脚和HV管脚均与电容C1的正极相连接、其VB管脚和VS管脚均与变压输出电路相连接、其CT管脚和SGND管脚均与电磁滤波电路相连接。进一步的，所述功率放大电路由三极管VT4，放大器P1，放大器P2，三极管VT5，一端与三极管VT4的基极相连接、另一端作为该功率放大电路的输入端的电阻R9，串接在三极管VT4的集电极和放大器P1的正极之间的电阻R10，
串接在放大器P1的正极和输出端之间的电阻R11，正极与三极管VT4的发射极相连接、负极与放大器P2的正极相连接的电容C8，P极与三极管VT4的发射极相连接、N极与放大器P2的负极相连接的二极管D4，正极与放大器P2的负极相连接、负极经电阻R13后与放大器P1的输出端相连接的电容C9，串接在放大器P2的输出端和三极管VT5的发射极之间的电阻R12，P极与放大器P2的正极相连接、N极与三极管VT5的基极相连接的二极管D5，正极与放大器P1的输出端相连接、负极与三极管VT5的集电极相连接的电容C10，以及P极与三极管VT5的集电极相连接、N极作为该功率放大电路的输出端的二极管D6组成；所述放大器P2的负极和放大器P1的负极均接地；所述功率放大电路的输入端与电容C1的负极相连接。所述电磁滤波电路由场效应管MOS，三极管VT1，串接在场效应管MOS的漏极和栅极之间的电阻R1，P极与场效应管MOS的漏极相连接、N极则与三极管VT1的发射极相连接的二极管D1，正极与场效应管MOS的源极相连接、负极则与三极管VT1的基极相连接的电容C2，负极与三极管VT1的集电极相连接、正极则与变压输出电路相连接的电容C3，P极与三极管VT1的发射极相连接、N极则与处理芯片U1的CT管脚相连接的二极管D2，以及正极与三极管VT1的发射极相连接、负极则与处理芯片U1的SGND管脚相连接的同时接地的电容C4组成；所述电容C1的负极与场效应管MOS的栅极相连接；所述场效应管MOS的栅极还经电阻R2后与处理芯片U1的RT管脚相连接。所述变压输出电路由变压器T，三极管VT2，三极管VT3，串接在三极管VT2的集电极和处理芯片U1的VB管脚之间的电阻R5，正极与三极管VT2的集电极相连接、负极经电阻R6后与三极管VT3的基极相连接的电容C5，正极与三极管VT2的发射极相连接、负极经电阻R8后与三极管VT3的发射极相连接的电容C6，正极与变压器T的原边电感线圈的同名端、负极则与变压器T的原边电感线圈的非同名端相连接的同时接地的电容C7，以及串接在电容C3的正极和变压器T的原边电感线圈的同名端之间的电阻R7组成；所述三极管VT2的基极与处理芯片U1的VS管脚相连接、其发射极接地；所述三极管VT3的集
电极与变压器T的副边电感线圈的非同名端相连接。所述处理芯片U1为GR6953集成芯片。本专利技术较现有技术相比，具有以下优点及有益效果：(1)本专利技术可以把工作中产生的电磁干扰信号进行抑制，降低电磁干扰信号对本专利技术的影响，极大的提高了本专利技术的稳定性，使日光灯可以稳定的工作，从而延长了日光灯的工作寿命。(2)本专利技术可以放大其输出功率，从而可以满足大功率日光灯的工作需求，扩大了本专利技术的适用范围。附图说明图1为本专利技术的整体结构示意图。图2为本专利技术的功率放大电路的结构图。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式不限于此。实施例如图1所示，本专利技术主要由处理芯片U1，二极管整流器U，正极与二极管整流器U的正极输出端相连接、负极则与二极管整流器U的负极输出端相连接的电容C1，与电容C1相连接的电磁滤波电路，一端与处理芯片U的RT管脚相连接、另一端则与电磁滤波电路相连接的电阻R2，串接在处理芯片U1的PGND管脚和SGND管脚之间的电阻R4，分别与处理芯片U1和电磁滤波电路相连接的变压输出电路，N极与处理芯片U1的VB管脚相连接、P极经电阻R3后与处理芯片U1的VCC管脚相连接的二极管D3；以及与电磁滤波电路相连接的功率放大电路组成。所述处理芯片U的VCC管脚和HV管脚均与电容C1的正极相连接、其VB管脚和VS管脚均与变压输出电路相连接、其CT管脚和SGND管脚均与电磁滤波电路相连接。为了更好的实施本专利技术，所述处理芯片U1优选GR6953集成芯片来实现。进一步的，该电磁滤波电路由场效应管MOS，三极管VT1，电阻R1，电容C2，电容C3，电容C4，二极管D1以及二极管D2组成。连接时，电阻R1串接在场效应管MOS的漏极和栅极之间。二极管D1的P极与场效应管MOS的漏极相连接、其N极则与三极管VT1的发射极相连接。电容C2的正极与场效应管MOS的源极相连接、其负极则与三极管VT1的基极相连接。电容C3的负极与三极管VT1的集电极相连接、其正极则与变压输出电路相连接。二极管D2的P极与三极管VT1的发射极相连接、其N极则与处理芯片U1的CT管脚相连接。电容C4的正极与三极管VT1的发射极相连接、其负极则与处理芯片U1的SGND管脚相连接的同时接地。同时，所述电容C1的负极分别与场效应管MOS的栅极和功率放大电路的输入端相连接。所述场效应管MOS的栅极还经电阻R2后与处理芯片U1的RT管脚相连接。另外，所述变压输出电路由变压器T，三极管VT2，三极管VT3，电阻R5，电阻R6，电阻R7，电阻R8，电容C5，电容C6以及电容C7组成。连接时，电阻R5串接在三极管VT2的集电极和处理芯片U1的VB管脚之间。电容C5的正极与三极管VT2的集电极相连接、其负极经电阻R6后与三极管VT3的基极相连接。电容C6的正极与三极管VT2的发射极相连接、其负极经电阻R8后与三极管VT3的发射极相连接。电容C7的正极与变压器T的原边电感线圈的同名端、其负极则与变压器T的原边电感线圈的非同名端相连接的同时接地。电阻R7串接在电容C3的正极和变压器T的原边电感线圈的同名端之间。所述三极管VT2的基极与处理芯片U1的VS管脚相连接、其发射极接地。所述三极管V本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种大功率低噪音电子镇流器，其特征在于，主要由处理芯片U1，二极管整流器U，正极与二极管整流器U的正极输出端相连接、负极则与二极管整流器U的负极输出端相连接的电容C1，与电容C1相连接的电磁滤波电路，一端与处理芯片U的RT管脚相连接、另一端则与电磁滤波电路相连接的电阻R2，串接在处理芯片U1的PGND管脚和SGND管脚之间的电阻R4，分别与处理芯片U1和电磁滤波电路相连接的变压输出电路，N极与处理芯片U1的VB管脚相连接、P极经电阻R3后与处理芯片U1的VCC管脚相连接的二极管D3；以及与电磁滤波电路相连接的功率放大电路组成；所述处理芯片U的VCC管脚和HV管脚均与电容C1的正极相连接、其VB管脚和VS管脚均与变压输出电路相连接、其CT管脚和SGND管脚均与电磁滤波电路相连接。

【技术特征摘要】
1.一种大功率低噪音电子镇流器，其特征在于，主要由处理芯片U1，二极管整流器U，正极与二极管整流器U的正极输出端相连接、负极则与二极管整流器U的负极输出端相连接的电容C1，与电容C1相连接的电磁滤波电路，一端与处理芯片U的RT管脚相连接、另一端则与电磁滤波电路相连接的电阻R2，串接在处理芯片U1的PGND管脚和SGND管脚之间的电阻R4，分别与处理芯片U1和电磁滤波电路相连接的变压输出电路，N极与处理芯片U1的VB管脚相连接、P极经电阻R3后与处理芯片U1的VCC管脚相连接的二极管D3；以及与电磁滤波电路相连接的功率放大电路组成；所述处理芯片U的VCC管脚和HV管脚均与电容C1的正极相连接、其VB管脚和VS管脚均与变压输出电路相连接、其CT管脚和SGND管脚均与电磁滤波电路相连接。2.根据权利要求1所述的一种大功率低噪音电子镇流器，其特征在于，所述功率放大电路由三极管VT4，放大器P1，放大器P2，三极管VT5，一端与三极管VT4的基极相连接、另一端作为该功率放大电路的输入端的电阻R9，串接在三极管VT4的集电极和放大器P1的正极之间的电阻R10，串接在放大器P1的正极和输出端之间的电阻R11，正极与三极管VT4的发射极相连接、负极与放大器P2的正极相连接的电容C8，P极与三极管VT4的发射极相连接、N极与放大器P2的负极相连接的二极管D4，正极与放大器P2的负极相连接、负极经电阻R13后与放大器P1的输出端相连接的电容C9，串接在放大器P2的输出端和三极管VT5的发射极之间的电阻R12，P极与放大器P2的正极相连接、N极与三极管VT5的基极相连接的二极管D5，正极与放大器P1的输出端相连接、负极与三极管VT5的集电极相连接的电容C10，以及P极与三极管VT5的集电极相连接、N极作为该功率放大电路的输出端的二极管D6组成；所述放大器P2的负极...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：成都卡诺源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51