一种应用于无线充电控制芯片的可调磁滞比较器制造技术

本实用新型专利技术公开一种应用于无线充电控制芯片的可调磁滞比较器，其包括PMOS管P0，PMOS管P1，PMOS管P2，PMOS管P3，PMOS管P4，NMOS管N0，NMOS管N1，NMOS管N2，NMOS管N3，NMOS管N4，NMOS管N5，NMOS管N6，NMOS管N7，NMOS管N8，NMOS管N9，NMOS管N10，NMOS管N11，NMOS管N12，NMOS管N13，第一运算放大器，第二运算放大器，比较器，电阻R0，电阻R1，开关K0，开关K1，开关K2，开关K3和无线充电控制芯片，其中开关K0、K1、K2、K3通过无线充电控制芯片的逻辑控制模块控制闭合或断开。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于电子电路
，具体涉及一种磁滞比较器。
技术介绍
现有的磁滞比较器，一般采用反馈信号短路电阻、电流正负反馈等方式实现磁滞功能，但是环境温度变化或工艺失调，容易引起磁滞电压漂移，不适用于精确磁滞比较。
技术实现思路
因此，针对上述的问题，本技术提出一种应用于无线充电控制芯片的可调磁滞比较器，对现有的磁滞比较器进行改进，采用温度补偿、工艺失调补偿及可调磁滞电压技术，使磁滞比较器的比较阈值实现可量化调整，同时不受温度、工艺失调影响，使其实现精确磁滞比较。为了解决上述技术问题，本技术所采用的技术方案是，一种应用于无线充电控制芯片的可调磁滞比较器，包括PMOS管P0，PMOS管P1，PMOS管P2，PMOS管P3，PMOS管P4，NMOS管N0，NMOS管N1，NMOS管N2，NMOS管N3，NMOS管N4，NMOS管N5，NMOS管N6，NMOS管N7，NMOS管N8，NMOS管N9，NMOS管N10，NMOS管N11，NMOS管N12，NMOS管N13，第一运算放大器，第二运算放大器，比较器，电阻R0，电阻R1，开关K0，开关K1，开关K2，开关K3和无线充电控制芯片，其中开关K0、K1、K2、K3通过无线充电控制芯片的逻辑控制模块控制闭合或断开，其连接关系如下：
第一运算放大器的正输入端连接电源Vref，负输入端与NMOS管N0的源极、电阻R0的第一输入端连接，输出端连接NMOS管N0的栅极；电阻R0的第二输入端接地，NMOS管N0的漏极连接PMOS管P0的栅极和漏极，PMOS管P0的源极、PMOS管P1的源极、PMOS管P2的源极、PMOS管P3的源极、以及PMOS管P4的源极均连接至电源Vdd；PMOS管P1的栅极和PMOS管P0的栅极连接，PMOS管P1的漏极连接NMOS管N1的栅极和漏极，NMOS管N1的源极连接NMOS管N2的栅极和漏极，NMOS管N2的源极接地；NMOS管N3的栅极连接NMOS管N1的栅极、NMOS管N5的栅极、NMOS管N7的栅极和NMOS管N9的栅极，NMOS管N3的源极连接NMOS管N4的漏极，NMOS管N3的漏极连接NMOS管N5的漏极、NMOS管N7的漏极、NMOS管N9的漏极、PMOS管P2的漏极和栅极、PMOS管P3的栅极和PMOS管P4的栅极，NMOS管N4的栅极连接NMOS管N2的栅极、NMOS管N6的栅极、NMOS管N8的栅极和NMOS管N10的栅极，NMOS管N4的源极、NMOS管N6的源极、NMOS管N8的源极和NMOS管N10的源极接地，NMOS管N6的漏极连接NMOS管N5的源极，NMOS管N8的漏极连接NMOS管N7的源极，NMOS管N10的漏极连接NMOS管N9的源极；PMOS管P3的漏极连接NMOS管N11的漏极和栅极、NMOS管N13的栅极；NMOS管N11的源极和NMOS管N13的源极接地，NMOS管N13的漏极连接NMOS管N12的源极，NMOS管N12的漏极连接PMOS管P5的漏极、电阻R1的第一输入端和比较器的负输入端，NMOS管N12的栅极连接PMOS管P5的栅极，PMOS管P5的源极连接PMOS管P4的漏极；电阻R1的第二输入端连接第二运算放大器的负输入端和输出端，第二运算放大器的正输入端连接电源Vref；比较器的输出端接于PMOS管P5的栅极；开关K0接于电源Vdd和NMOS管N3的源极之间，开
关K1接于电源Vdd和NMOS管N5的源极之间，开关K2接于电源Vdd和NMOS管N7的源极之间，开关K3接于电源Vdd和NMOS管N9的源极之间。上述电路中，R0＝R1，也即电阻R0和电阻R1完全相同，其具体是相同尺寸、相同类型的电阻，具有相同的温度系数，若温度变化，温度引起阻值变化产生的影响将被抵消；电阻R0和电阻R1因工艺失调引起的阻值变化产生的影响也会被抵消。本技术通过上述方案，采用温度补偿、工艺失调补偿及可调磁滞电压技术，使磁滞比较器的比较阈值实现可量化调整，同时不受温度、工艺失调影响，相对于普通磁滞比较器，具有精确、不受温度及工艺失调影响的优势。应用于无线充电控制芯片，对解调信号进行抽样判决，可精确比较输入电压，通过对无线充电芯片内部控制寄存器进行编程，可调整磁滞比较翻转阈值电压。附图说明图1为本技术的可调磁滞比较器一个具体实施例；图2为本技术的可调磁滞比较器的输入电压与输出电压的波形图。具体实施方式现结合附图和具体实施方式对本技术进一步说明。本技术提供一种应用于无线充电控制芯片的可调磁滞比较器。作为一个具体的实施例，参见图1，该可调磁滞比较器包括PMOS管P0，PMOS管P1，PMOS管P2，PMOS管P3，PMOS管P4，NMOS管N0，NMOS管N1，NMOS管N2，NMOS管N3，NMOS管N4，NMOS管N5，NMOS管N6，NMOS管N7，NMOS管N8，NMOS管N9，NMOS管N10，NMOS管N11，NMOS管N12，NMOS管N13，第一运算放大器，第二运算放大器，比较器，电阻R0，
电阻R1，开关K0，开关K1，开关K2，开关K3和无线充电控制芯片，其中开关K0、K1、K2、K3通过无线充电控制芯片的逻辑控制模块控制闭合或断开，其连接关系如下：第一运算放大器的正输入端连接电源Vref，负输入端与NMOS管N0的源极、电阻R0的第一输入端连接，输出端连接NMOS管N0的栅极；电阻R0的第二输入端接地，NMOS管N0的漏极连接PMOS管P0的栅极和漏极，PMOS管P0的源极、PMOS管P1的源极、PMOS管P2的源极、PMOS管P3的源极、以及PMOS管P4的源极均连接至电源Vdd；PMOS管P1的栅极和PMOS管P0的栅极连接，PMOS管P1的漏极连接NMOS管N1的栅极和漏极，NMOS管N1的源极连接NMOS管N2的栅极和漏极，NMOS管N2的源极接地；NMOS管N3的栅极连接NMOS管N1的栅极、NMOS管N5的栅极、NMOS管N7的栅极和NMOS管N9的栅极，NMOS管N3的源极连接NMOS管N4的漏极，NMOS管N3的漏极连接NMOS管N5的漏极、NMOS管N7的漏极、NMOS管N9的漏极、PMOS管P2的漏极和栅极、PMOS管P3的栅极和PMOS管P4的栅极，NMOS管N4的栅极连接NMOS管N2的栅极、NMOS管N6的栅极、NMOS管N8的栅极和NMOS管N10的栅极，NMOS管N4的源极、NMOS管N6的源极、NMOS管N8的源极和NMOS管N10的源极接地，NMOS管N6的漏极连接NMOS管N5的源极，NMOS管N8的漏极连接NMOS管N7的源极，NMOS管N10的漏极连接NMOS管N9的源极；PMOS管P3的漏极连接NMOS管N11的漏极和栅极、NMOS管N13的栅极；NMOS管N11的源极和NMOS管N13的源极接地，NMOS管N13的漏极连接NMOS管N12的源极，NMOS管N12的漏极连接PMOS管P5的漏极、电阻R1的第一输入端和比较器的负输入端，NMOS管N12的栅极连接PMOS管P5的栅极，PMOS管P5的源极连接PMOS管P4的漏极；电阻R1的第二输入端连接第二运算放大器的负输...

【技术保护点】
一种应用于无线充电控制芯片的可调磁滞比较器，其特征在于：包括PMOS管P0，PMOS管P1，PMOS管P2，PMOS管P3，PMOS管P4，NMOS管N0，NMOS管N1，NMOS管N2，NMOS管N3，NMOS管N4，NMOS管N5，NMOS管N6，NMOS管N7，NMOS管N8，NMOS管N9，NMOS管N10，NMOS管N11，NMOS管N12，NMOS管N13，第一运算放大器，第二运算放大器，比较器，电阻R0，电阻R1，开关K0，开关K1，开关K2，开关K3和无线充电控制芯片，其中开关K0、K1、K2、K3通过无线充电控制芯片的逻辑控制模块控制闭合或断开，其连接关系如下：第一运算放大器的正输入端连接电源Vref，负输入端与NMOS管N0的源极、电阻R0的第一输入端连接，输出端连接NMOS管N0的栅极；电阻R0的第二输入端接地，NMOS管N0的漏极连接PMOS管P0的栅极和漏极，PMOS管P0的源极、PMOS管P1的源极、PMOS管P2的源极、PMOS管P3的源极、以及PMOS管P4的源极均连接至电源Vdd；PMOS管P1的栅极和PMOS管P0的栅极连接，PMOS管P1的漏极连接NMOS管N1的栅极和漏极，NMOS管N1的源极连接NMOS管N2的栅极和漏极，NMOS管N2的源极接地；NMOS管N3的栅极连接NMOS管N1的栅极、NMOS管N5的栅极、NMOS管N7的栅极和NMOS管N9的栅极，NMOS管N3的源极连接NMOS管N4的漏极，NMOS管N3的漏极连接NMOS管N5的漏极、NMOS管N7的漏极、NMOS管N9的漏极、PMOS管P2的漏极和栅极、PMOS管P3的栅极和PMOS管P4的栅极，NMOS管N4的栅极连接NMOS管N2的栅极、NMOS管N6的栅极、NMOS管N8的栅极和NMOS管N10的栅极，NMOS管N4的源极、NMOS管N6的源极、NMOS管N8的源极和NMOS管N10的源极接地，NMOS管N6的漏极连接NMOS管N5的源极，NMOS管N8的漏极连接NMOS管N7的源极，NMOS管N10的漏极连接NMOS管N9的源极；PMOS管P3的漏极连接NMOS管N11的漏极和栅极、NMOS管N13的栅极；NMOS管N11的源极和NMOS管N13的源极接地，NMOS管N13的漏极连接NMOS管N12的源极，NMOS管N12的漏极连接PMOS管P5的漏极、电阻R1的第一输入端和比较器的负输入端，NMOS管N12的栅极连接PMOS管P5的栅极，PMOS管P5的源极连接PMOS管P4的漏极；电阻R1的第二输入端连接第二运算放大器的负输入端和输出端，第二运算放大器的正输入端连接电源Vref；比较器的输出端接于PMOS管P5的栅极；开关K0接于电源Vdd和NMOS管N3的源极之间，开关K1接于电源Vdd和NMOS管N5的源极之间，开关K2接于电源Vdd和NMOS管N7的源极之间，开关K3接于电源Vdd和NMOS管N9的源极之间。...

【技术特征摘要】
1.一种应用于无线充电控制芯片的可调磁滞比较器，其特征在于：包括PMOS管P0，PMOS管P1，PMOS管P2，PMOS管P3，PMOS管P4，NMOS管N0，NMOS管N1，NMOS管N2，NMOS管N3，NMOS管N4，NMOS管N5，NMOS管N6，NMOS管N7，NMOS管N8，NMOS管N9，NMOS管N10，NMOS管N11，NMOS管N12，NMOS管N13，第一运算放大器，第二运算放大器，比较器，电阻R0，电阻R1，开关K0，开关K1，开关K2，开关K3和无线充电控制芯片，其中开关K0、K1、K2、K3通过无线充电控制芯片的逻辑控制模块控制闭合或断开，其连接关系如下：第一运算放大器的正输入端连接电源Vref，负输入端与NMOS管N0的源极、电阻R0的第一输入端连接，输出端连接NMOS管N0的栅极；电阻R0的第二输入端接地，NMOS管N0的漏极连接PMOS管P0的栅极和漏极，PMOS管P0的源极、PMOS管P1的源极、PMOS管P2的源极、PMOS管P3的源极、以及PMOS管P4的源极均连接至电源Vdd；PMOS管P1的栅极和PMOS管P0的栅极连接，PMOS管P1的漏极连接NMOS管N1的栅极和漏极，NMOS管N1的源极连接NMOS管N2的栅极和漏极，NMOS管N2的源极接地；NMOS管N3的栅极连接NMOS管N1的栅极、NMOS管N5的栅极、NMOS管N7的栅极和NMOS管N9的栅极，NMOS管N3的源极连接NMOS管N4的漏极，NMOS管N3的漏极连接NMOS管N5的漏极、NMOS管N7的漏极、NMOS管N9的漏极、PMOS管P2的漏极和栅极、PMOS管P3的栅极和PMOS管P4的栅极，NMOS管N4的栅极连接NMOS管N2的栅极、NMOS管N6的栅极、NMOS管N8的栅极和NMOS管N10的栅极，NMOS管N4的源极、N...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨瑞聪，林桂江，廖建平，刘玉山，任连峰，沈滨旭，杨凤炳，
申请(专利权)人：厦门新页微电子技术有限公司，
类型：新型
国别省市：福建;35