半导体激光血管内照射治疗仪制造技术

本实用新型专利技术提供了一种半导体激光血管内照射治疗仪。其由电源、半导体激光器、激光准直器、耦合连接器和带耦合头的光纤及光针组成。由于本实用新型专利技术采用工作波长为６３３ｎｍ的半导体激光器代替了现有技术中的气体Ｈｅ－Ｎｅ激光器，使仪器体积大大减小，重量减轻１００多倍、而工作电压由现有技术的～１５００Ｖ降低到直流３～６Ｖ，避免了操作、使用过程中可能发生的危险，并且能够达到同样的输出激光功率１．５～２ｍＷ，在临床使用上达到同样的治疗效果。（*该技术在2005年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
半导体激光血管内照射治疗仪本技术涉及一种激光血管内照射治疗仪，特别是涉及半导体激光血管内照射治疗仪。目前，用于临床的激光血管内照射治疗仪只有气体He-Ne激光器，如专利号为94229151.4的JNZ型低能量He-Ne激光血管内照射治疗仪。由于这种治疗仪采用的是气体He-Ne激光器，工作波长为633nm。所以，存在以下不足：(1)气体He-Ne激光管体积较大，造成治疗仪体积也较大，在使用过程中不太方便。(2)气体He-Ne激光管的工作电压为～1500V，启辉电压高达～5000V，在安装和使用中存在着不安全因素。本技术的任务是克服上述技术中的不足，提供一种半导体激光血管内照射治疗仪。半导体激光器的工作波长为633nm，工作电压低，体积小，所制成的治疗仪安全可靠，便于携带和使用。解决的方案是将半导体激光器前装有激光准直器，采用耦合连接器将激光器和激光准直器与带耦合头的光纤和光针相连接，即组成半导体激光血管内照射治疗仪。本技术比现有技术具有以下优点：1、由于采用了半导体激光器，工作电压降为3～6V，而气体He-Ne激光管的启辉电压为～5000V，工作电压-->为～1500V，这大大降低了操作使用过程中的危险性。2、由于采用了工作波长为633nm的半导体激光器，所制出的治疗仪与气体He-Ne激光血管内照射治疗仪相比，重量减轻了约100倍，体积也大大缩小，便于携带和使用。以下结合附图对本技术的实施例进行叙述。图1为本技术的主剖视图。参照图1，本技术由外壳(1)、电源(2)、开关(3)、半导体激光器(4)、激光准直器(5)、耦合连接器(6)、带有耦合头的光纤(7)、光针耦合头(8)、光针(9)。其中的技术关键是耦合连接器，它将半导体激光器和激光准直器与带耦合头的光纤相连接，必须保持机械中心和光束中心相一致。本技术的最佳实施例采用的是HL6312型半导体激光器或功率为3～10mW的半导体激光器，它们的工作波长为633nm，电源是交直流稳压电源，其输入电压为～220V，输出直流电压为3～6V，也可采用3～6V的干电池。由于本技术采用了半导体激光器，在操作使用中工作电压由现有技术的工作电压～1500V降低到直流电压3～6V，大大降低了危险性，并且，仪器的体积和重量也大大减小，方便了操作和使用，并且能够达到临床使用的效果。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体激光血管内照射治疗仪，其特征在于该治疗仪是由电源、半导体激光器、激光准直器、耦合连接器、带耦合头的光纤和光针等组成。

【技术特征摘要】
1、一种半导体激光血管内照射治疗仪，其特征在于该治疗仪是由电源、半导体激光器、激光准直器、耦合连接器、带耦合头的光纤和光针等组成。2、根据权利要求1所述的半导体激光血管内照射治疗仪，其特征在于电源可采用交直流稳压电源。3、根据权利要求2所述的半导体激光血管内照射治疗仪，其特征在于交直流稳压电源的输入电压为～220V，输出直流电压为...

【专利技术属性】
技术研发人员：施良顺，
申请(专利权)人：中国人民解放军军事医学科学院放射医学研究所，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]