一种基于基极偏置电路的白光LED降噪驱动系统技术方案

本发明专利技术公开了一种基于基极偏置电路的白光LED降噪驱动系统，其特征在于，主要由驱动芯片U，负极接地、正极顺次经电阻R1和电阻R2后与驱动芯片U的TRIG管脚相连接的电容C1，串接在电容C1的正极和驱动芯片U之间的滤波电路，正极经电阻R6后与滤波电路相连接、负极接地的电容C5等组成。本发明专利技术采用NE555集成芯片结合新颖的外围电路，其可以消除电流的相位差，减少高频自激的产生，提高了本发明专利技术的降噪能力，从而降低了本发明专利技术在工作时产生的电流噪音。同时，本发明专利技术可以对输入的电流进行处理，使电流更加稳定，如此则可以使LED更加稳定的工作。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子领域，具体是指一种基于基极偏置电路的白光LED降噪驱动系统。
技术介绍
目前，由于LED灯具有能耗低、使用寿命长以及安全环保等特点，其已经成为了人们生活照明的主流产品之一。随着LED的普及和人们对生活质量要求的不断提高，这给LED驱动系统带来了新的挑战。然而，传统的LED驱动系统容易产生高频自激，在工作时容易产生很大的电流噪音，严重影响人们的正常生活。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服传统的LED驱动系统容易产生高频自激，在工作时容易产生很大的电流噪音的缺陷，提供一种基于基极偏置电路的白光LED降噪驱动系统。本专利技术的目的通过下述技术方案实现：一种基于基极偏置电路的白光LED降噪驱动系统，主要由驱动芯片U，负极接地、正极顺次经电阻R1和电阻R2后与驱动芯片U的TRIG管脚相连接的电容C1，串接在电容C1的正极和驱动芯片U之间的滤波电路，正极经电阻R6后与滤波电路相连接、负极接地的电容C5，正极与驱动芯片U的CONT管脚相连接、负极经电阻R7后与电容C5的负极相连接的电容C3，与电容C1的正极相连接的基极偏置电路，以及串接在驱动芯片U的OUT管脚和基极偏置电路之间的栅极开关触发电路组成；所述驱动芯片U的RE管脚和VCC管脚均与滤波电路相连接、其DIS管脚和THRE管脚以及OUT管脚均与电容C5的正极相连接、其GND管脚则与电容C5的负极相连接。进一步的，所述基极偏置电路由放大器P，三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，负极与放大器P的负极相连接、正极则做为该基极偏置电路的输入
端的电容C7，正极与放大器P的负极相连接、负极接地的电容C8，与电容C8相并联的电阻R12，一端与电容C8的正极相连接、另一端经电阻R14后与三极管VT2的集电极相连接的电阻R13，P极与放大器P的正极相连接、N极则与三极管VT2的基极相连接的二极管D4，N极与放大器P的输出端相连接、P极经电位器R15后与三极管VT2的集电极相连接的二极管D5，P极与放大器P的输出端相连接、N极与三极管VT3的基极相连接的二极管D6，正极与三极管VT4的发射极相连接、负极经电阻R16后与三极管VT3的基极相连接的电容C9，串接在三极管VT2的发射极和三极管VT4的基极之间的电阻R17，一端与三极管VT3的发射极相连接、另一端与电容C9的负极相连接的同时接地的电阻R18组成；所述三极管VT2的基极与电位器R15的控制端相连接、其发射极则与三极管VT4的集电极相连接；所述三极管VT4的集电极形成该基极偏置电路的输出端并与栅极开关触发电路相连接、其基极则与三极管VT3的集电极相连接；所述基极偏置电路的输入端与电容C1的正极相连接。所述滤波电路由一端与电容C1的正极相连接、另一端经电阻R4后与驱动芯片U的RE管脚相连接的电阻R3，N极与电容C1的正极相连接、P极经电容C2后接地的二极管D1，以及串接在电容C1的正极和驱动芯片U的VCC管脚之间的电阻R5组成；所述二极管D1的N极还经电阻R6后与电容C5的正极相连接。所述栅极开关触发电路由场效应管MOS1，场效应管MOS2，三极管VT1，P极经电阻R9后与场效应管MOS1的漏极相连接、N极经电感L后与基极偏置电路的输出端相连接的稳压二极管D3，P极接地、N极经电阻R8后与稳压二极管D3的N极相连接的稳压二极管D2，负极与稳压二极管D2的P极相连接、正极与场效应管MOS1的栅极相连接的电容C4，正极与稳压二极管D3的P极相连接、负极与三极管VT1的集电极相连接的电容C6，串接在三极管VT1的发射极和场效应管MOS2的源极之间的电阻R11，以及一端与场效应管MOS2的源极相连接、另一端接地的电阻R10组成；所述场效应管MOS2的栅极与驱动芯片U的OUT管脚相连接、其漏极则与三极管VT1的基极相连接；所述三
极管VT1的基极与场效应管MOS1的源极相连接、其集电极则与稳压二极管D3的N极共同形成该栅极开关触发电路的输出端。所述驱动芯片U为NE555集成芯片。本专利技术较现有技术相比，具有以下优点及有益效果：(1)本专利技术采用NE555集成芯片结合新颖的外围电路，其可以消除电流的相位差，减少高频自激的产生，提高了本专利技术的降噪能力，从而降低了本专利技术在工作时产生的电流噪音。(2)本专利技术可以对输入的电流进行处理，使电流更加稳定，如此则可以使LED更加稳定的工作。附图说明图1为本专利技术的整体结构示意图。图2为本专利技术的基极偏置电路的结构图。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步地详细说明，但本专利技术的实施方式并不限于此。实施例如图1所示，本专利技术主要由驱动芯片U，电容C1，电阻R1，电阻R2，电阻R7，电容C3，电容C5，电阻R6，基极偏置电路，滤波电路以及栅极开关触发电路组成。连接时，电容C1的负极接地、其正极顺次经电阻R1和电阻R2后与驱动芯片U的TRIG管脚相连接。滤波电路串接在电容C1的正极和驱动芯片U之间。电容C5的正极经电阻R6后与滤波电路相连接、其负极接地。电容C3的正极与驱动芯片U的CONT管脚相连接、其负极经电阻R7后与电容C5的负极相连接。基极偏置电路与电容C1的正极相连接。栅极开关触发电路则串接在驱动芯片U的OUT管脚和基极偏置电路之间。所述驱动芯片U的RE管脚和VCC管脚均与滤波电路相连接、其DIS管脚和THRE管脚以及OUT管脚均与电容C5的正极相连接、其GND管脚则与电容C5的负极相连接。所述电容C1的正
极接输入电源。为了更好的实施本专利技术，所述驱动芯片U优选NE555集成芯片来实现。其中，所述滤波电路由电阻R3，电阻R4，电阻R5，二极管D1以及电容C2组成。连接时，电阻R3的一端与电容C1的正极相连接、其另一端经电阻R4后与驱动芯片U的RE管脚相连接。二极管D1的N极与电容C1的正极相连接、其P极与电容C2的负极相连接；所述电容C2的正极接地。串电阻R5接在电容C1的正极和驱动芯片U的VCC管脚之间。所述二极管D1的N极还经电阻R6后与电容C5的正极相连接。另外，该栅极开关触发电路由场效应管MOS1，场效应管MOS2，三极管VT1，电感L，电阻R8，电阻R9，电阻R10，电阻R11，电容4，电容C6，稳压二极管D2以及稳压二极管D3组成。其中，稳压二极管D3的P极经电阻R9后与场效应管MOS1的漏极相连接、其N极经电感L后与基极偏置电路的输出端相连接。稳压二极管D2的P极接地、其N极经电阻R8后与稳压二极管D3的N极相连接。电容C4的负极与稳压二极管D2的P极相连接、其正极与场效应管MOS1的栅极相连接。电容C6的正极与稳压二极管D3的P极相连接、其负极与三极管VT1的集电极相连接。电阻R11串接在三极管VT1的发射极和场效应管MOS2的源极之间。电阻R10的一端与场效应管MOS2的源极相连接、其另一端接地。同时，所述场效应管MOS2的栅极与驱动芯片U的OUT管脚相连接、其漏极则与三极管VT1的基极相连接。所述三极管VT1的基极与场效应管MOS1的源极相连接、其集电极则与稳压二极管D3的N极共同形成该栅极开关触发电路的输出端，该栅极开关触发电路的输出端接LED灯。如图2所示，该基极偏置电路由放大器P，三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基于基极偏置电路的白光LED降噪驱动系统，其特征在于，主要由驱动芯片U，负极接地、正极顺次经电阻R1和电阻R2后与驱动芯片U的TRIG管脚相连接的电容C1，串接在电容C1的正极和驱动芯片U之间的滤波电路，正极经电阻R6后与滤波电路相连接、负极接地的电容C5，正极与驱动芯片U的CONT管脚相连接、负极经电阻R7后与电容C5的负极相连接的电容C3，与电容C1的正极相连接的基极偏置电路，以及串接在驱动芯片U的OUT管脚和基极偏置电路之间的栅极开关触发电路组成；所述驱动芯片U的RE管脚和VCC管脚均与滤波电路相连接、其DIS管脚和THRE管脚以及OUT管脚均与电容C5的正极相连接、其GND管脚则与电容C5的负极相连接。

【技术特征摘要】
1.一种基于基极偏置电路的白光LED降噪驱动系统，其特征在于，主要由驱动芯片U，负极接地、正极顺次经电阻R1和电阻R2后与驱动芯片U的TRIG管脚相连接的电容C1，串接在电容C1的正极和驱动芯片U之间的滤波电路，正极经电阻R6后与滤波电路相连接、负极接地的电容C5，正极与驱动芯片U的CONT管脚相连接、负极经电阻R7后与电容C5的负极相连接的电容C3，与电容C1的正极相连接的基极偏置电路，以及串接在驱动芯片U的OUT管脚和基极偏置电路之间的栅极开关触发电路组成；所述驱动芯片U的RE管脚和VCC管脚均与滤波电路相连接、其DIS管脚和THRE管脚以及OUT管脚均与电容C5的正极相连接、其GND管脚则与电容C5的负极相连接。2.根据权利要求1所述的一种基于基极偏置电路的白光LED降噪驱动系统，其特征在于，所述基极偏置电路由放大器P，三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，负极与放大器P的负极相连接、正极则做为该基极偏置电路的输入端的电容C7，正极与放大器P的负极相连接、负极接地的电容C8，与电容C8相并联的电阻R12，一端与电容C8的正极相连接、另一端经电阻R14后与三极管VT2的集电极相连接的电阻R13，P极与放大器P的正极相连接、N极则与三极管VT2的基极相连接的二极管D4，N极与放大器P的输出端相连接、P极经电位器R15后与三极管VT2的集电极相连接的二极管D5，P极与放大器P的输出端相连接、N极与三极管VT3的基极相连接的二极管D6，正极与三极管VT4的发射极相连接、负极经电阻R16后与三极管VT3的基极相连接的电容C9，串接在三极管VT2的发射极和三极管VT4的基极之间的电阻R17，一端与三极管VT3的发射极相连接、另一端与电容C9的负极相连接的同时接地的电阻R18组成；所述三极管VT2的基极与电位器R15的控制端相连...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤福琼，
申请(专利权)人：成都卡诺源科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川;51