一种太阳能电池及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种太阳能电池及其制作方法，包括：提供一基底；在基底一表面形成第一保护层；在基底背离第一保护层的表面制作硼扩散层；去除第一保护层和硼硅玻璃后，在硼扩散层背离基底一侧形成第二保护层；在基底背离硼扩散层的表面制作磷扩散层；去除第二保护层、磷硅玻璃和边缘pn结后，在磷扩散层背离基底一侧形成第一钝化层，在硼扩散层背离基底一侧形成第二钝化层；在第二钝化层上形成多个开孔；在第一钝化层背离基底一侧形成正面电极，且在第二钝化层背离基底一侧形成背面电极并烧结后，得到太阳能电池。在基底的一表面制作硼扩散层，将硼扩散层作为太阳能电池的背电场，在基底背离正面电极一侧形成高浓度掺杂区域，提高了背电场的效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及太阳能电池
，更为具体的说，涉及一种太阳能电池及其制作方法。
技术介绍
常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种清洁、普遍和潜力高的替代能源。太阳能电池，也称光伏电池，是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且太阳能是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源，并受到了广泛的关注。背电场作为太阳能电池的主要结构之一，其作用是在太阳能电池背面形成P/P+的高低结结构，阻止P区光生电子到其背面的复合，降低其背表面复合速率。现有的太阳能电池主要采用丝网印刷铝浆并烧结的方式在太阳能电池的背面形成铝背场。但是，由于铝在硅中的溶解度较低，很难得到一个较高的铝背场掺杂浓度，因而形成的背电场效果受到制约，影响太阳能电池的性能。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种太阳能电池及其制作方法，通过对基底一表面制作硼扩散层以作为背电场，以在基底背离正面电极一侧形成高浓度掺杂区域，进而提高了背电场的效果，提高了太阳能电池的性能。为实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：一种太阳能电池的制作方法，包括：提供一基底；在所述基底一表面形成第一保护层；在所述基底背离所述第一保护层的表面制作硼扩散层；去除所述第一保护层和硼硅玻璃后，在所述硼扩散层背离所述基底一侧形成第二保护层；在所述基底背离所述硼扩散层的表面制作磷扩散层；去除所述第二保护层、磷硅玻璃和边缘pn结后，在所述磷扩散层背离所述基底一侧形成第一钝化层，以及，在所述硼扩散层背离所述基底一侧形成第二钝化层；在所述第二钝化层上形成多个开孔；在所述第一钝化层背离所述基底一侧形成正面电极，且在所述第二钝化层背离所述基底一侧形成背面电极并烧结后，得到所述太阳能电池。优选的，在提供所述基底后、且在形成所述第一保护层前，还包括：对所述基底进行表面抛光。优选的，在形成所述第二保护层后、且在制作所述磷扩散层前，还包括：将述基底背离所述硼扩散层的表面制作为绒面。优选的，在所述基底背离所述第一保护层的表面制作硼扩散层为：在扩散炉管中对所述基底背离所述第一保护层的表面制作硼扩散层，其中，扩散工艺参数为：所述扩散炉管中的温度范围为850℃～1100℃，包括端点值；扩散时长范围为45min～120min，包括端点值；对所述扩散炉管通入的氧气和氮气的流量比氧气流量：氮气流量的范围为1：20～1:5，包括端点值。优选的，在所述基底背离所述硼扩散层的表面制作磷扩散层为：采用液态三氯氧磷扩散工艺对所述基底背离所述硼扩散层的表面制作磷扩散层，其中，扩散工艺参数为：扩散温度范围为800℃～900℃，包括端点值；扩散时长范围为30min～120min，包括端点值。优选的，所述第一保护层和/或第二保护层为第一氮化硅层；以及，所述第一保护层和第二保护层的厚度范围为25nm～55nm，包括端点值。优选的，所述第一钝化层和/或第二钝化层为第二氮化硅层；以及，所述第二氮化硅层的厚度范围为80nm～120nm，包括端点值。优选的，所述第二钝化层为氧化铝/氮化硅叠层；以及，所述氧化铝层/氮化硅层叠层的厚度范围为70nm～90nm，包括端点值，且所述氧化铝/氮化硅叠层中氧化铝层的厚度范围为5nm～30nm，包括端点值，所述氧化铝/氮化硅叠层中氮化硅层的厚度范围为40nm～85nm，包括端点值。优选的，所述多个开孔的总面积占所述第二钝化层的面积的3％～8％，包括端点值。相应的，本专利技术还提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池采用上述的太阳能电池的制作方法制作而成。相较于现有技术，本专利技术提供的技术方案至少具有以下优点：本专利技术提供了一种太阳能电池及其制作方法，包括：提供一基底；在所述基底一表面形成第一保护层；在所述基底背离所述第一保护层的表面制作硼扩散层；去除所述第一保护层和硼硅玻璃后，在所述硼扩散层背离所述基底一侧形成第二保护层；在所述基底背离所述硼扩散层的表面制作磷扩散层；去除所述第二保护层、磷硅玻璃和边缘pn结后，在所述磷扩散层背离所述基底一侧形成第一钝化层，以及，在所述硼扩散层背离所述基底一侧形成第二钝化层；在所述第二钝化层上形成多个开孔；在所述第一钝化层背离所述基底一侧形成正面电极，且在所述第二钝化层背离所述基底一侧形成背面电极并烧结后，得到所述太阳能电池。由上述内容可知，本专利技术提供的技术方案，在基底的一表面制作硼扩散层，进而将硼扩散层作为太阳能电池的背电场，以在基底背离正面电极一侧形成高浓度掺杂区域，进而提高了背电场的效果，提高了太阳能电池的性能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的一种太阳能电池的制作方法的流程图；图2a至图2h为图1示制作方法对应的结构流程图；图3为本申请实施例提供的一种基底制绒后的结构示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。正如
技术介绍
所述，由于铝在硅中的溶解度较低，很难得到一个较高的铝背场掺杂浓度，因而形成的背电场效果受到制约，影响太阳能电池的性能。基于此，本申请实施例提供了一种太阳能电池及其制作方法，通过对基底一表面制作硼扩散层以作为背电场，以在基底背离正面电极一侧形成高浓度掺杂区域，进而提高了背电场的效果，提高了太阳能电池的性能。为实现上述目的，本申请实施例提供的技术方案如下，具体结合图1至图3所示，对本申请实施例提供的技术方案进行详细的描述。参考图1所示，为本申请实施例提供的一种太阳能电池的制作方法的流程图，其中，太阳能电池的制作方法包括：S1、提供一基底；S2、在所述基底一表面形成第一保护层；S3、在所述基底背离所述第一保护层的表面制作硼扩散层；S4、去除所述第一保护层和硼硅玻璃后，在所述硼扩散层背离所述基底一侧形成第二保护层；S5、在所述基底背离所述硼扩散层的表面制作磷扩散层；S6、去除所述第二保护层、磷硅玻璃和边缘pn结后，在所述磷扩散层背离所述基底一侧形成第一钝化层，以及，在所述硼扩散层背离所述基底一侧形成第二钝化层；S7、在所述第二钝化层上形成多个开孔；S8、在所述第一钝化层背离所述基底一侧形成正面电极，且在所述第二钝化层背离所述基底一侧形成背面电极并烧结后，得到所述太阳能电池。由上述内容可知，本申请实施例提供的技术方案，在基底的一表面制作硼扩散层，进而将硼扩散层作为太阳能电池的背电场，以在基底背离正面电极一侧形成高浓度掺杂区域，进而提高了背电场的效果，提高了太阳能电池的性能。具体的，结合图2a至图2h所示，对本申请实施例提供的技术方案进行更详细的描述，图2a至图2h为图1示制作方法对应的结构流程图。其中，参考图2a所示，首先提供一基底10；本申请实施例提供的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：提供一基底；在所述基底一表面形成第一保护层；在所述基底背离所述第一保护层的表面制作硼扩散层；去除所述第一保护层和硼硅玻璃后，在所述硼扩散层背离所述基底一侧形成第二保护层；在所述基底背离所述硼扩散层的表面制作磷扩散层；去除所述第二保护层、磷硅玻璃和边缘pn结后，在所述磷扩散层背离所述基底一侧形成第一钝化层，以及，在所述硼扩散层背离所述基底一侧形成第二钝化层；在所述第二钝化层上形成多个开孔；在所述第一钝化层背离所述基底一侧形成正面电极，且在所述第二钝化层背离所述基底一侧形成背面电极并烧结后，得到所述太阳能电池。

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：提供一基底；在所述基底一表面形成第一保护层；在所述基底背离所述第一保护层的表面制作硼扩散层；去除所述第一保护层和硼硅玻璃后，在所述硼扩散层背离所述基底一侧形成第二保护层；在所述基底背离所述硼扩散层的表面制作磷扩散层；去除所述第二保护层、磷硅玻璃和边缘pn结后，在所述磷扩散层背离所述基底一侧形成第一钝化层，以及，在所述硼扩散层背离所述基底一侧形成第二钝化层；在所述第二钝化层上形成多个开孔；在所述第一钝化层背离所述基底一侧形成正面电极，且在所述第二钝化层背离所述基底一侧形成背面电极并烧结后，得到所述太阳能电池。2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在提供所述基底后、且在形成所述第一保护层前，还包括：对所述基底进行表面抛光。3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在形成所述第二保护层后、且在制作所述磷扩散层前，还包括：将述基底背离所述硼扩散层的表面制作为绒面。4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，在所述基底背离所述第一保护层的表面制作硼扩散层为：在扩散炉管中对所述基底背离所述第一保护层的表面制作硼扩散层，其中，扩散工艺参数为：所述扩散炉管中的温度范围为850℃～1100℃，包括端点值；扩散时长范围为45min～120min，包括端点值；对所述扩散炉管通入的氧气和氮气的流量比氧气流量：氮气流量的范围为1：20～1:...

【专利技术属性】
技术研发人员：陆俊宇，连维飞，吴晨阳，魏青竹，倪志春，
申请(专利权)人：中利腾晖光伏科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32