一种湿法硅片清洗方法技术

本发明专利技术公开了一种湿法硅片清洗方法，包括以下步骤：步骤1、使用硫酸、过氧化氢和去离子水的混合溶液清洗硅片上的有机物和金属；步骤2、使用去离子水对硅片进行冲洗；步骤3、在50℃～60℃的温度下，使用氢氟酸和水的混合物溶解硅片上的氧化层；步骤4、使用去离子水对硅片进行清洗；步骤5、在55℃～70℃的温度下，在使用SC‑1溶液对硅片进行清洗；步骤6、使用去离子水对硅片进行清洗；步骤7、在55℃～70℃的温度下，使用SC‑2溶液对硅片进行清洗；步骤8、使用HF溶液对硅片进行浸泡。本发明专利技术在清洗中使用了合适的温度范围，与现有的常温的湿法清洗技术相比，反应速率加快，则在相同的清洗程度之下，本发明专利技术所使用的氢氟酸等有害化学物质减少。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及硅片清洗方法，具体涉及一种湿法硅片清洗方法。
技术介绍
半导体是由硅片制成的，由于硅片上的关键尺寸持续缩小，硅片表面在经受工艺之前必须是清洁的。控制沾污最有效途径是防止沾污颗粒硅片。但是，一旦硅片表面被沾污，沾污物必须通过清洗排除。硅片清洗时为了去除其表面的污染物，包括颗粒、有机物、金属、氧化物等。现有的技术是使用湿化学法进行清洗。但是现有的方法中所使用的HF溶液过多，HF溶液使用较危险，对人体的危害较大。
技术实现思路
针对现有技术的不足，本专利技术公开了一种湿法硅片清洗方法。本专利技术的技术方案如下：一种湿法硅片清洗方法，包括以下步骤：步骤1、使用硫酸、过氧化氢和去离子水的混合溶液清洗硅片上的有机物和金属；所述硫酸、过氧化氢和去离子水的体积比为H2SO4：H2O2：H2O＝400：20：1；步骤2、使用去离子水对硅片进行冲洗；步骤3、在50℃～60℃的温度下，使用氢氟酸和水的混合物溶解硅片上的氧化层；所述氢氟酸和水的体积比为HF：H2O＝5：1；步骤4、使用去离子水对硅片进行清洗；步骤5、在55℃～70℃的温度下，在使用SC-1溶液对硅片进行清洗；所述SC-1中的溶液体积比为：NH4OH：H2O2:H2O＝1:4：20；步骤6、使用去离子水对硅片进行清洗；步骤7、在55℃～70℃的温度下，使用SC-2溶液对硅片进行清洗；所述SC-2中的溶液体积比为：HCl：H2O2:H2O＝1:1：50；步骤8、使用HF溶液对硅片进行浸泡。本专利技术的有益技术效果是：本专利技术在清洗中使用了合适的温度范围，与现有的常温的湿法清洗技术相比，反应速率加快，则在相同的清洗程度之下，本专利技术所使用的氢氟酸等有害化学物质减少。而且本专利技术与现有的高温的湿法清洗技术相比，本专利技术不必加热到上百摄氏度，反应条件更加温和，而且节约了反应所需能量。附图说明图1是本专利技术的流程图。具体实施方式图1是本专利技术的流程图。如图1所示，本专利技术的步骤包括：步骤1、使用硫酸、过氧化氢和去离子水的混合溶液清洗硅片上的有机物和金属；硫酸、过氧化氢和去离子水的体积比为：H2SO4：H2O2：H2O＝400：20：1。次不走可以去除掉硅片上的粒子。步骤2、使用去离子水对硅片进行冲洗；步骤3、在50℃～60℃的温度下，使用氢氟酸和水的混合物溶解硅片上的氧化层；所述氢氟酸和水的体积比为HF：H2O＝5：1。步骤4、使用去离子水对硅片进行清洗；步骤5、在55℃～70℃的温度下，在使用SC-1溶液对硅片进行清洗；所述SC-1中的溶液体积比为：NH4OH：H2O2:H2O＝1:4：20；此步骤使用电化学法，用于去除硅片上的颗粒。氢氧根在硅片表面上积累负电荷，使得硅片表面的颗粒物被排斥而进入溶液。清洗液由金属和有机物中俘获电子并将其氧化，使之溶解在溶液中。步骤6、使用去离子水对硅片进行清洗；步骤7、在55℃～70℃的温度下，使用SC-2溶液对硅片进行清洗；所述SC-2中的溶液体积比为：HCl：H2O2:H2O＝1:1：50；此步骤用于去除硅片表面的金属物质，所以使用酸性溶液。步骤8、使用HF溶液对硅片进行浸泡。此步骤用于停止硅片在空气中被氧化，使得硅片表面保持高稳定的清洁状态。以上所述的仅是本专利技术的优选实施方式，本专利技术不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本专利技术的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种湿法硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、使用硫酸、过氧化氢和去离子水的混合溶液清洗硅片上的有机物和金属；所述硫酸、过氧化氢和去离子水的体积比为H2SO4：H2O2：H2O＝400：20：1；步骤2、使用去离子水对硅片进行冲洗；步骤3、在50℃～60℃的温度下，使用氢氟酸和水的混合物溶解硅片上的氧化层；所述氢氟酸和水的体积比为HF：H2O＝5：1；步骤4、使用去离子水对硅片进行清洗；步骤5、在55℃～70℃的温度下，在使用SC‑1溶液对硅片进行清洗；所述SC‑1中的溶液体积比为：NH4OH：H2O2:H2O＝1:4：20；步骤6、使用去离子水对硅片进行清洗；步骤7、在55℃～70℃的温度下，使用SC‑2溶液对硅片进行清洗；所述SC‑2中的溶液体积比为：HCl：H2O2:H2O＝1:1：50；步骤8、使用HF溶液对硅片进行浸泡。

【技术特征摘要】
1.一种湿法硅片清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、使用硫酸、过氧化氢和去离子水的混合溶液清洗硅片上的有机物和金属；所述硫酸、过氧化氢和去离子水的体积比为H2SO4：H2O2：H2O＝400：20：1；步骤2、使用去离子水对硅片进行冲洗；步骤3、在50℃～60℃的温度下，使用氢氟酸和水的混合物溶解硅片上的氧化层；所述氢氟酸和水的体积比为HF：H2O＝5：1；步骤4、...

【专利技术属性】
技术研发人员：吕耀安，
申请(专利权)人：无锡宏纳科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32