存储器系统技术方案

本发明专利技术涉及一种存储器系统。根据一个实施例，所述存储器系统包括非易失性半导体存储器和存储器控制器。所述存储器控制器具有第一信号生成部分、第二信号生成部分以及第一接口部分，所述第一信号生成部分生成与用于所述非易失性半导体存储器的读取操作的读取电压相关的第一信号，所述第二信号生成部分生成指定用于纠正所述读取电压的温度的温度系数的第二信号，并且所述第一接口部分输出所述第一信号、所述第二信号以及读取命令。所述非易失性半导体存储器具有字线、包括连接到所述字线的存储器基元的存储器基元阵列以及第二接口部分，所述第二接口部分接收所述第一信号、所述第二信号以及所述读取命令。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉引用本申请要求2015年2月20日提交的美国临时申请号62/118,831和2015年5月14日提交的美国申请号14/712,017的优先权，通过引用将其整个内容并入到此处。
此处描述的实施例通常地涉及存储器系统。
技术介绍
在多值非易失性半导体存储器的领域中公知的存储器基元根据它们的各自阈值具有不同的各自温度依赖性。因此，在正常读取中，用于确定所有存储器基元的各自阈值被基于适合于各自存储器基元的不同温度系数而单独地调整。另一方面，进行分布读取以确定通过所有存储器基元呈现的阈值分布状态，即，以确定峰(mountain)与谷(valley)的形状等，对于所有存储器基元的阈值中的每一个。然而，在分布读取中，用于确定所有存储器基元的各自阈值的读取电压被基于单一普通(相同)温度系数调整，不考虑在读取电压中的不同。因此，通过分布读取检测的阈值分布可能与在正常读取中实际呈现的阈值分布不一致。
技术实现思路
实施例的目的为提供改善的存储器系统。实施例提供，一种存储器系统，其包括非易失性半导体存储器和控制所述非易失性
半导体存储器的存储器控制器，所述存储器控制器包括：第一信号生成部分，其被配置为生成与用于所述非易失性半导体存储器的读取操作的读取电压相关的第一信号；第二信号生成部分，其被配置为生成用于指定(specify)用于所述读取电压的温度纠正的温度系数的第二信号；以及第一接口部分，其被配置为输出所述第一信号、所述第二信号以及读取命令；以及所述非易失性半导体存储器包括：字线；存储器基元阵列，其包括连接到所述字线的存储器基元；第二接口部分，其被配置为接收所述第一信号、所述第二信号以及所述读取命令；以及控制部分，其被配置为生成基于所述第一信号确定的所述读取电压，以基于通过所述第二信号指定的所述温度系数调整所述读取电压，从而生成调整的读取电压，以使用所述调整的读取电压确定连接到所述字线的所述存储器基元中的每个的阈值电压，并且将通过确定所述阈值电压获得的结果通过所述第二接口部分输出到所述存储器控制器。此外，实施例提供，一种控制器系统，其包括非易失性半导体存储器和控制所述非易失性半导体存储器的存储器控制器，所述存储器控制器包括：第一信号生成部分，其被配置为生成指定用于所述非易失性半导体存储器的读取操作的读取电压和用于所述读取电压的温度的纠正的温度系数的第一信号；第二信号生成部分，其被配置为生成用于给出指令以使通过所述第一信号指定的所述读取电压经受基于所述温度系数的用于温度的纠正的第二信号；以及第一接口部分，其被配置为输出所述第一信号、所述第二信号以及读取命令；以及所述非易失性半导体存储器包括：字线；存储器基元阵列，其包括连接到所述字线的存储器基元；第二接口部分，其被配置为接收所述第一信号、所述第二信号以及所述读取命令；以及控制部分，其被配置为生成基于所述第一信号确定的所述读取电压，以基于通过所述第一信号指定的所述温度系数调整所述读取电压，从而生成调整的读取电压，以使用所述调整的读取电压确定连接到所述字线的所述存储器基元中的每个的阈值电压，并且将通过确定所述阈值电压获得的结果通过所述第二接口部分输出到所述存储器控制器。附图说明图1为示出示例性存储器系统的视图；图2为示出示例性非易失性半导体存储器的视图；图3为示出存储器基元阵列的示例性方框的视图；图4和图5每个为示出存储器控制器具有的示例性表格的视图；图6为示出非易失性半导体存储器具有的示例性表格的视图；图7和图8每个为示出示例性电压控制器的视图；图9为示出示例性控制信号生成部分的视图；图10和图11每个为示出改变温度系数的实例的视图；图12为示出使用2n阈值分布的峰的改变温度系数的实例的视图；图13为示出使用2n阈值分布的谷的改变温度系数的实例的视图；图14为对比示出对比例和实施例的视图；图15为示出在实际阈值分布和通过分布读取检测的阈值分布之间的差异的视图；图16为示范性示出到便携式计算机的应用的视图；以及图17为示范性示出到数据存储设备的应用的视图。具体实施方式1.实施例图1示出示例性存储器系统。存储器系统具有存储器控制器100和通过存储器控制器100控制的非易失性半导体存储器200。存储器控制器100包括处理部分110、接口部分120、存储部分130、错误检查与错误纠正部分(ECC)140以及连接这些部分的总线150。处理部分110包括生成指定在非易失性半导体存储器200的分布读取时间使用的读取电压的第一信号的第一信号生成部分111，和生成指定用于在分布读取的时间使用的读取电压的温度纠正的温度系数(施加到读取电压的温度系数)的第二信号的第二信号生成部分112。接口部分120在分布读取的时间输出分布读取命令CMD、第一信号以及第二信号到非易失性半导体存储器200。例如，错误检查与错误纠正部分140检查和纠正从非易失性半导体存储器200读取的读取数据的错误。存储部分130具有表格131。表格131包括读取电压、对应于读取电压的数字值(DAC值)以及用于选择用于纠正各自读取电压的温度的温度系数的信息。第一信号生成部分111和第二信号生成部分112参考在存储部分130中的表格131各自生成第一和第二信号。图2示出示例性非易失性半导体存储器。例如，非易失性半导体存储器200为NAND闪存。非易失性半导体存储器200包括输入/输出(I/O)控制器201、命令/信号缓冲器202、地址缓冲器203、电压控制器204、电压生成器205、驱动器206、感测放大器207、译码器208、存储器基元阵列209、页(page)缓冲器210以及温度传感器211。基于输入信号IN，I/O控制器201向命令/信号缓冲器202提供全部从
存储器控制器100已经接收的命令CMD、第一信号S1以及第二信号S2，并且向地址缓冲器203提供地址。而且，I/O控制器201在写入的时间发送数据到页缓冲器210并且在读取的时间接收来自页缓冲器210的数据。命令/信号缓冲器202译码命令CMD，并且输出指令到电压控制器204以便执行通过命令表示的各种操作(例如，读取、写入、擦除等)。而且，命令/信号缓冲器202译码第一信号S1和第二信号S2，并且输出这些到电压控制器204。地址缓冲器203译码地址并且输出地址到驱动器206。电压控制器204根据来自命令缓冲器202的命令控制访问存储器基元阵列209的操作。电压生成器205基于来自电压控制器204的控制信号CGRVDAC生成电压CGRV用于实现读取操作。驱动器206基于来自地址缓冲器203的地址和来自电压控制器204的指令控制感测放大器207、译码器208以及存储器基元阵列209的操作。存储器基元阵列209包括块BK0-BKm(m为1或更大的自然数)。块BK0-BKm中的每个包括物理页。而且，一个物理页包括n个逻辑页(n为2或更大的自然数)。也就是，非易失性半导体存储器为具有2n阈值分布的多值存储器。温度传感器211感测非易失性半导体存储器200的温度，并且输出温度信息TC。可期望的是，邻近存储器基元阵列209设置温度传感器211以便正确地检测存储器基元阵列209的温度。电压控制器204以例如寄存器保持包括在表本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种存储器系统，所述存储器系统包括非易失性半导体存储器和控制所述非易失性半导体存储器的存储器控制器，所述存储器控制器包括：第一信号生成部分，其被配置为生成与用于所述非易失性半导体存储器的读取操作的读取电压相关的第一信号；第二信号生成部分，其被配置为生成用于指定用于所述读取电压的温度纠正的温度系数的第二信号；以及第一接口部分，其被配置为输出所述第一信号、所述第二信号以及读取命令；以及所述非易失性半导体存储器包括：字线；存储器基元阵列，其包括连接到所述字线的存储器基元；第二接口部分，其被配置为接收所述第一信号、所述第二信号以及所述读取命令；以及控制部分，其被配置为生成基于所述第一信号确定的所述读取电压，以基于通过所述第二信号指定的所述温度系数调整所述读取电压，从而生成调整的读取电压，以使用所述调整读取电压确定连接到所述字线的所述存储器基元中的每个的阈值电压，并且将通过确定所述阈值电压获得的结果通过所述第二接口部分输出到所述存储器控制器。

【技术特征摘要】
2015.02.20 US 62/118831;2015.05.14 US 14/7120171.一种存储器系统，所述存储器系统包括非易失性半导体存储器和控制所述非易失性半导体存储器的存储器控制器，所述存储器控制器包括：第一信号生成部分，其被配置为生成与用于所述非易失性半导体存储器的读取操作的读取电压相关的第一信号；第二信号生成部分，其被配置为生成用于指定用于所述读取电压的温度纠正的温度系数的第二信号；以及第一接口部分，其被配置为输出所述第一信号、所述第二信号以及读取命令；以及所述非易失性半导体存储器包括：字线；存储器基元阵列，其包括连接到所述字线的存储器基元；第二接口部分，其被配置为接收所述第一信号、所述第二信号以及所述读取命令；以及控制部分，其被配置为生成基于所述第一信号确定的所述读取电压，以基于通过所述第二信号指定的所述温度系数调整所述读取电压，从而生成调整的读取电压，以使用所述调整读取电压确定连接到所述字线的所述存储器基元中的每个的阈值电压，并且将通过确定所述阈值电压获得的结果通过所述第二接口部分输出到所述存储器控制器。2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述存储器控制器进一步包括存储部分，所述存储部分被配置为存储用于每个读取电压的对应于所述读取电压的数字值，并且所述第一信号生成部分生成所述数字值作为所述第一信号。3.根据权利要求2所述的存储器系统，其中，所述存储部分存储指定用于每个读取电压的温度系数的信息，并且所述第二信号生成部分基于指定所述温度系数的所述信息而生成所述第二信号。4.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述控制部分通过所述第二接口部分将用于每个读取电压的确定的结果输出到所述存储器控制器。5.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，所述非易失性半导体存...

【专利技术属性】
技术研发人员：白川政信，热海刚，辻秀贵，神谷智之，山本英明，黑泽泰彦，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：日本;JP