一种LED芯片的wafer分区测试方法技术

一种LED芯片的wafer分区测试方法，属于LED生产应用技术领域，对位于芯片外周的20～40圈的各晶粒进行逐一wafer测试，对位于芯片上述逐一wafer测试圈内的各晶粒按抽测比进行wafer测试。本发明专利技术结合LED芯片外延生长的特性，wafer光电性能呈现边缘离散，由边缘向中间区域集中的总体趋势，兼顾LED芯片wafer的品质与点测效率，本发明专利技术采用边缘光电性能离散区域全点测，中间光电性能集中区域抽测的方式，既对于LED芯片边缘实现了精准点测，又达到了LED芯片wafer品质与点测效率的提升的目的。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于LED生产应用
，具体涉及LED芯片的wafer测试技术。
技术介绍
四元系LED 芯片由于其发光效率高，颜色范围广，使用寿命长而受到半导体照明界的广泛重视，已被大量应用于大屏显示、交通信号灯、景观照明、汽车状态显示等各个领域。四元系LED 芯片制作工艺中wafer的测试方法是将整片芯片进行半切割，将PN结分开后，测试机对wafer 进行扫描，定义出每颗半切割后晶粒的坐标，再依据扫描晶粒坐标进行点测，记录其光电参数，而每一片LED 芯片有十万颗左右，业内做法是，每片LED 芯片按晶粒每隔一定粒数抽测的方式，但存在以下问题：四元系LED 芯片是在GaAs 基板上通过MOCVD外延技术生长一层具有PN结的发光层，芯片在外延生长中呈现边缘的光电性能较差，中间光电性能比较好的特点，若采用对每颗晶粒进行点测，则会相当耗时，效率低下，成本增加；若采用隔一定数量的晶粒进行抽测的方法，效率虽然得到提升，但会增加wafer边缘区域NG晶粒，增加品质异常的风险。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种既能提高wafer测试效率，又能降低NG晶粒漏检率的LED芯片的wafer分区测试方法。本专利技术方法是：对位于芯片外周的20～40圈的各晶粒进行逐一wafer测试，对位于芯片上述逐一wafer测试圈内的各晶粒按抽测比进行wafer测试。本专利技术结合LED芯片外延生长的特性，wafer光电性能呈现边缘离散，由边缘向中间区域集中的总体趋势，兼顾LED芯片wafer的品质与点测效率，本专利技术采用边缘光电性能离散区域全点测，中间光电性能集中区域抽测的方式，既对于LED芯片边缘实现了精准点测，又达到了LED芯片wafer品质与点测效率的提升的目的。通常2～4英寸的LED芯片，所述抽测比为10～40%，可以提升测试效率20～50%。具体实施方式在GaAs基板的一面通过MOCVD外延技术生长一层具有PN结的发光层，即芯片的PN 连接面。在发光层上沉积上一层AuBe薄膜层，通过光刻、蚀刻以等间距图案排列，在400～500℃下进行P极合金，制成各晶粒的正电极。在GaAs 基板上沉积一层AuGe薄膜层，在300～500℃下进行N极合金，制成各晶粒的负电极。通过以上工艺，取得了具有多晶粒的芯片半制品。将蓝膜粘附在负电极的外表面，然后用金刚石切割刀按前面工艺所形成的各晶粒图案对芯片进行等间距半分割。将LED芯片wafer扫描完成后，借助点测机定义出每颗晶颗的坐标，并形成扫描mapping图（晶元图），然后向点测机控制台输入外圈的圈数和内圈的抽测比例值，点测机则依据设定的数值进行自动点测。通常输入的外圈圈数为20～40圈，点测机则对该设计定圈的每个晶粒进行检测。实际检测时，针对不同直径的LED芯片，内圈的抽测比例不同，如2～4英寸的LED芯片wafer内圈的抽测比例约10～40%，点测机则对该抽测比例对内圈的晶粒进行抽检。采用本专利技术方法对于LED芯片边缘精准点测，实现了LED芯片wafer品质与点测效率的提升。对于4英寸的LED芯片wafer检测，采用本专利技术方法较对每颗晶粒进行点测的方法效率提高检测效率45%，采用本专利技术方法较对隔一定数量的晶粒进行抽测的方法降低NG晶粒漏检率50%。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种LED芯片的wafer分区测试方法，其特征在于：对位于LED芯片外周的20～40圈的各晶粒进行逐一wafer测试，对位于芯片上述逐一wafer测试圈内的各晶粒按抽测比进行wafer测试。

【技术特征摘要】
1.一种LED芯片的wafer分区测试方法，其特征在于：对位于LED芯片外周的20～40圈的各晶粒进行逐一wafer测试，对位于芯片上述逐一wa...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖和平，陈亮，马祥柱，郑晓波，杨凯，张双翔，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32