一种断电保护电路制造技术

本发明专利技术属于涉及一种断电保护电路，其包括交流电输入端、整流降压电路、自锁电路、可控硅触发电路、可控硅、主控开关、第一负载输入端和第二负载输入端；所述的可控硅的阴极连接交流电输入端的N极，交流电输入端的L极通过主控开关连接第一负载输入端，可控硅的阳极连接第二负载输入端；所述的整流降压电路与交流电输入端连接，整流降压电路分别与自锁电路和可控硅触发电路连接；所述的可控硅触发电路用于为可控硅提供导通的触发电压信号；所述自锁电路用于为可控硅触发电路提供导通的触发电压信号。本发明专利技术的有益效果在于：采用了由主开关和辅助开关组成的联动开关，以及采用了自锁电路，保证了断电保护电路的稳定可靠运行。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于涉及一种电路保护装置，尤其涉及一种断电保护电路。
技术介绍
当电机或其他用电设备运转过程中发生插头脱落、电网停电或其他原因引起电机断电失电的情况下，操作人员可能由于各种原因未及时关闭电机开关，待电网突然恢复送电，电机突然得电，电机将自行运转。在操作人员没有预知的情况下，电机的突然运行将会危害人身及财产安全。同时，电机恢复供电的瞬间峰值电流非常大，会对设备造成一定的损害，尤其是电路故障时频繁的间歇性通电断电将对设备造成巨大冲击，对设备造成严重危害。为了避免上述安全隐患，市面出现了一些断电保护器，公开号为CN102227082A的中国专利技术专利公开了一种断电保护器，它包括电磁继电器、电容器、二极管、用电设备、可移动开关、按钮开关、绝缘体和衔铁,电磁继电器与衔铁、绝缘体和用电设备串联在电路中,电容器、二极管采用并联。本专利技术的技术缺陷在于：(1)保护装置的期间与用电设备串联，对用电设备的正常运行造成干扰；(2)采用了继电器、按钮开关、移动开关等多个开关装置，机械开关响应时间长，电路可靠性差，在快速断电通电的情况下无法提供有效保护；(3)用户主动断电和非供电线路故障断电的情况会做出误判，给用户操作带来不便。中国专利CN103066559A公开了一种断电保护器，包括：输入端与负载电路输入端并联的阻容降压电路；一个与负载电路串联的双向可控硅；由阻容降压电路输出端供电的单片机，所述单片机的第一I/O端口串联一个开关后接阻容降压电路输出端负极，第二I/O端口串联一个电阻R5后连接双向可控硅控制端，第三I/O端口，串联一个电阻R1后连接负载电路输入端的N极。该断电保护器在整个断电保护电路中没有实体的断电开关，如果可控硅等电路元件工作不稳定，则可能会造成危险。
技术实现思路
为了克服现有技术存在的不足，本专利技术提供了一种工作稳定可靠的断电保护电路。一种断电保护电路，其包括交流电输入端、整流降压电路、自锁电路、可控硅触发电路、可控硅、主控开关、第一负载输入端和第二负载输入端；所述的可控硅的阴极连接交流电输入端的N极，交流电输入端的L极通过主控开关连接第一负载输入端，可控硅的阳极连接第二负载输入端；所述的整流降压电路与交流电输入端连接，整流降压电路分别与自锁电路和可控硅触发电路连接；所述的可控硅触发电路用于为可控硅提供导通的触发电压信号；所述自锁电路用于为可控硅触发电路提供导通的触发电压信号。进一步，所述的整流降压电路包括电阻R1、二极管D1、电阻R2和电容C1，二极管D1的正极通过电阻R1与交流电输入端的L极连接，二极管D1的负极依次通过电阻R1和电容C1与交流电输入端的N极连接。进一步，所述的自锁电路包括电阻R3、电阻R4、电阻R5和三极管Q1，电阻R3与电容C1并联，三极管Q1的发射极与集电极之间并联电阻R3,三极管Q1的基极与发射极之间并联电阻R5。进一步，所述的可控硅触发电路包括触发二极管DB3、电阻R7、电阻R8、电容C2、MOS管Q2，触发二极管DB3的一端连接可控硅的控制极，触发二极管DB3的另一端通过电阻R7与交流电输入端的N极连接，电容C2的电容值小于电容C1的电容值；所述的主控开关包括主开关和辅助开关，主开关与辅助开关同时开启或关闭，交流电输入端的L极通过主开关连接第一负载输入端，交流电输入端的N极依次通过电阻R7、电阻R8、辅助开关连接第二负载输入端；所述的MOS管Q2的S极连接交流电输入端的N极，MOS管Q2的D极连接电容C2与电阻R4的连接点，MOS管Q2的G极连接三极管Q1的集电极。进一步，所述的可控硅Q3的阳极与阴极之间还并联有压敏电阻RT1。压敏电阻为RT1圆片型压敏电阻元器件，主要是用来保护可控硅，在电机断电时，电机会产生反峰电压，当反峰电压超过一定值时，RT1圆片型压敏电阻元器件保持导通状态，此时保护了可控硅。当反峰电压恢复到正常值时，RT1圆片型压敏电阻元器件自动恢复到断开状态。本专利技术的有益效果在于：采用了由主开关和辅助开关组成的联动开关，以及采用了自锁电路，保证了断电保护电路的稳定可靠运行。附图说明图1是本专利技术断电保护电路的电路图。具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但本专利技术所要保护的范围并不限于此。参照图1，一种断电保护电路，其包括交流电输入端、整流降压电路、自锁电路、可控硅触发电路、可控硅、主控开关、第一负载输入端和第二负载输入端；所述的可控硅的阴极连接交流电输入端的N极，交流电输入端的L极通过主控开关连接第一负载输入端a，可控硅的阳极连接第二负载输入端b；所述的整流降压电路与交流电输入端连接，整流降压电路分别与自锁电路和可控硅触发电路连接；所述的可控硅触发电路用于为可控硅提供导通的触发电压信号；所述自锁电路用于为可控硅触发电路提供导通的触发电压信号。所述的整流降压电路包括电阻R1、二极管D1、电阻R2和电容C1，二极管D1的正极通过电阻R1与交流电输入端的L极连接，二极管D1的负极依次通过电阻R1和电容C1与交流电输入端的N极连接。所述的自锁电路包括电阻R3、电阻R4、电阻R5和三极管Q1，电阻R3与电容C1并联，三极管Q1的发射极与集电极之间并联电阻R3,三极管Q1的基极与发射极之间并联电阻R5。所述的可控硅触发电路包括触发二极管DB3、电阻R7、电阻R8、电容C2、MOS管Q2，触发二极管DB3的一端连接可控硅的控制极，触发二极管DB3的另一端通过电阻R7与交流电输入端的N极连接，电容C2的电容值小于电容C1的电容值；所述的主控开关包括主开关和辅助开关，主开关与辅助开关同时开启或关闭，交流电输入端的L极通过主开关连接第一负载输入端a，交流电输入端的N极依次通过电阻R7、电阻R8、辅助开关连接第二负载输入端b；所述的MOS管Q2的S极连接交流电输入端的N极，MOS管Q2的D极连接电容C2与电阻R4的连接点，MOS管Q2的G极连接三极管Q1的集电极。所述的可控硅Q3的阳极与阴极之间还并联有压敏电阻RT1。本专利技术各元器件的型号举例如下：电阻R1为225、电阻R2为225，电阻R3为224，电阻R4为225，电阻R5为3902，R7为154，R8为154，压敏电阻为RT1 10d471K；电容C1为105，C2为103。本专利技术的工作原理是：主开关与辅助开关处于打开状态，将交流电输入端与市电连接，L极经电阻R1、二极管D1、电阻R2后得到5V左右的直流电压。此时，MOS管Q2的D极与S极导通，电容C2通过MOS管Q2接地，自锁电路相当于短路，不起作用。可控硅Q3的阳极与阴极之间没有建立正向电压，故保持断开状态，电机不工作。保持交流电输入端与市电连接，将主开关与辅助开关同时置于闭合状态，L极通过电阻R8降压供给触发二极管DB3，产生大于30V的触发电压，此时MOS管Q2的D极与S极保持导通，电容C2通过MOS管Q2对地产生锯齿波电压，此锯齿波电压供给触发二极管DB3导通，触发二极管DB3导通后进而触发可控硅Q3的控制极G极，可控硅Q3的阳极与阴极之间导通(输出220V)，电机工作(电机运转)。当外界电压突然断开(即交流电输入端与市电断开)，此时可控硅Q3的阳极与阴极之间没有建立正向电压，自动保持断开状态(输出0V)，电机不工作(电机不运转)。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种断电保护电路，其特征在于：其包括交流电输入端、整流降压电路、自锁电路、可控硅触发电路、可控硅、主控开关、第一负载输入端和第二负载输入端；所述的可控硅的阴极连接交流电输入端的N极，交流电输入端的L极通过主控开关连接第一负载输入端，可控硅的阳极连接第二负载输入端；所述的整流降压电路与交流电输入端连接，整流降压电路分别与自锁电路和可控硅触发电路连接；所述的可控硅触发电路用于为可控硅提供导通的触发电压信号；所述自锁电路用于为可控硅触发电路提供导通的触发电压信号。

【技术特征摘要】
1.一种断电保护电路，其特征在于：其包括交流电输入端、整流降压电路、自锁电路、可控硅触发电路、可控硅、主控开关、第一负载输入端和第二负载输入端；所述的可控硅的阴极连接交流电输入端的N极，交流电输入端的L极通过主控开关连接第一负载输入端，可控硅的阳极连接第二负载输入端；所述的整流降压电路与交流电输入端连接，整流降压电路分别与自锁电路和可控硅触发电路连接；所述的可控硅触发电路用于为可控硅提供导通的触发电压信号；所述自锁电路用于为可控硅触发电路提供导通的触发电压信号。2.根据权利要求1所述的断电保护电路，其特征在于：所述的整流降压电路包括电阻R1、二极管D1、电阻R2和电容C1，二极管D1的正极通过电阻R1与交流电输入端的L极连接，二极管D1的负极依次通过电阻R1和电容C1与交流电输入端的N极连接。3.根据权利要求2所述的断电保护电路，其特征在于：所述的自锁电路包括电阻R3、电阻R4、电阻R5和三极管Q1，电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：高金云，丰志明，
申请(专利权)人：浙江金美电动工具有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江;33