本文所述的实施例涉及用于显示基板的处理的掩模腔室装置。所述掩模腔室可以是配置成用于制造OLED器件的较大的处理系统的部分。所述掩模腔室可配置成对在处理系统中的诸沉积工艺期间所利用的掩模加热和冷却。所述掩模腔室可以包括腔室体,所述腔室体限定容积,所述体积尺寸设计为适于接收容纳多个掩模的一个或多个盒。在所述容积内耦接至腔室体的加热器可配置成:当在沉积处理腔室中利用掩模之前,可控地加热掩模;并且在沉积处理腔室中使用之后,冷却所述掩模。
【技术实现步骤摘要】
本公开的实施例总体涉及用于大面积基板的基板处理系统。更具体而言,本文所描述的实施例涉及掩模腔室。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)在用于显示信息的电视机屏、计算机监视器、移动电话等的制造中被使用。典型的OLED可以包括位于两个电极之间的诸个有机材料层,这些层全都以形成具有单独可供能的像素的矩阵显示面板的方式被沉积在基板上。OLED一般被放置于两个玻璃面板之间,并且这些玻璃面板边缘被密封,以便将OLED封装在其中。随着市场对平板技术的接受,对更大的显示器、增加的生产量以及更低的制造成本的需求已促使设备制造商为平板显示器制造方开发适应更大尺寸的玻璃基板的新系统。另外,以高效且具成本效益的方式将各种系统部件集成到复杂的处理操作中的能力减少了拥有成本。然而,由于采用此类大型设备来处理大面积基板,集成系统的各种部件变得耗时且困难。因此,本领域中需要的是用于制造OLED显示器件的改进的装置。
技术实现思路
在一个实施例中,提供掩模腔室装置。所述装置包括:腔室体,所述腔室体限定容积,所述容积尺寸设计为适于在其中接收一个或多个掩模;以及盖构件,所述盖构件可以在所述容积外可滑动地耦接至所述腔室体。加热构件和温度测量装置可耦接至所述腔室体。所述加热构件可以设置在所述容积内,并且所述温度测量装置可耦接至所述腔室体。平台可以设置在所述容积内,并且与所述盖构件相对,并且所述平台可以可移动地耦接至所述腔室体。在另一实施例中,提供掩模腔室装置。所述装置包括:腔室体,所述腔室体限定容积;以及盖构件,所述盖构件在所述容积外耦接至所述腔室体。反射式加热构件可在所述容积内耦接至所述腔室体,并且热电偶可耦接至所述腔室体。平台可耦接至所述腔室体,并且可以可移动地设置在所述容积内。在又一实施例中,提供掩模腔室装置。所述装置包括:腔室体,所述腔室体限定容积;以及盖构件,所述盖构件可滑动地耦接至所述腔室体。狭缝阀可在所述盖组件下方耦接至所述腔室体,并且热电偶可在所述狭缝阀下方耦接至所述腔室体。多个反射式加热器可在所述容积内耦接至所述腔室体。平台还可以可移动地设置在所述容积内,并且对准装置可耦接至所述平台,并从所述平台延伸。所述对准装置可以包括轴承构件。附图说明因此,为了能详细地理解本公开的上述特征的方式,可以通过参照实施例来获取对上文简要概述的本公开的更具体的描述,在所附附图中示出实施例中的一些。然而,应当注意,所附附图仅示出本公开的示例性实施例,并且因此不应视为限制本公开的范围,因为本公开可允许其他等效实施例。图1示出掩模腔室的立体图。图2示出图1的掩模腔室的平面图,其中盖组件已移除。图3示出图1的掩模腔室的立体横截面图。图4示出平台盒对准装置的部分剖切侧视图。图5示出处理系统的示意性立体图。为了便于理解,在可能的情况下,已使用完全相同的附图标记来指定各附图所共有的完全相同的元件。构想了一个实施例的元件和特征可有益地并入其他实施例,而无需进一步叙述。具体实施方式本文所述的实施例涉及用于显示基板的处理的掩模腔室。所述掩模腔 室可以是配置成用于制造OLED器件的较大的处理系统(参见图5)的部分。所述掩模腔室可配置成对在所述处理系统中的诸沉积工艺期间所利用的掩模加热和冷却。所述掩模腔室可以包括腔室体,所述腔室体限定容积,所述容积的尺寸被设计为适于接收容纳多个掩模的一个或多个盒。在所述容积内被耦接至腔室体的加热器可配置成:在将所述掩模用于沉积处理腔室之前,可控地加热掩模;并且当在用于沉积处理腔室之后,冷却所述掩模。图1示出掩模腔室100的立体图。掩模腔室100包括腔室体102,所述腔室体102限定容积104。容积104的尺寸可设计为适于接收一个或多个盒120,所述一个或多个盒120在其中可移除地设置有一个或多个掩模122。盒120可由升降架(crane)或类似装置递送至腔室100,并且被定位在容积104内。框架构件130可耦接至腔室体102,并且一个或多个对准致动器124可耦接至框架构件130。对准致动器124可配置成:在传送至容积104中期间接合所述盒120的部分,并且辅助对盒120进行定位。在一个实施例中,对准致动器124是气缸。盖构件106也可以耦接腔室体102。盖构件106可配置成当该盖构件106位于关闭的位置时封闭容积104。盖支撑构件110也可以耦接至腔室体102,并且可配置成当盖构件106位于打开的位置(如图1所示)时支撑并且定位该盖构件106。盖构件106可耦接至盖支撑构件110。轨道构件126可耦接至盖支撑构件110,并且该轨道构件126可相对于腔室体102平移。在一个实施例中,轨道构件126可使盖构件106在第一方向上平移,并且可使盒120在第二方向上进、出容积104进行平移。该第一方向与第二方向可以基本上彼此垂直。盖致动器128可邻近轨道构件126耦接至腔室体102。盖致动器128可以可移动地耦接至轨道构件126以将盖构件106定位在打开或关闭的位置。在一个实施例中,盖致动器128是气缸。盖构件106、盖支撑构件110以及轨道构件126的平移能力使得能够高效地将盒120和掩模122放置在腔室100内。例如,通过打开盖构件106并移除容纳使用过的掩模的盒,可将需要 清洁或调整的使用过的掩模从腔室100中移除。可由新盒将新掩模提供至腔室100,并且随后可关闭盖构件106。如参考图5更详细地所述,掩模和盒的更换可在基板正在处理系统中被处理的同时执行,使得当系统中的处理腔室需要新掩模时,合适的掩模在掩模腔室100中已存在,并且是可用的。在一个实施例中,设置在腔室100中的第一盒可以容纳未使用的掩模,并且设置在腔室100中的第二盒可以容纳使用过的掩模。可从第一盒中检索新掩模,并将这些新掩模用于系统的处理腔室中,并且来自处理腔室的使用过的掩模可返回至第二盒。当需要时,容纳使用过的掩模的第二盒可从腔室100中移除,并且具有新掩模的第三盒可被定位在腔室100内。狭缝阀118也可以耦接至腔室体102。该狭缝阀一般耦接至处理系统(参见图5)的传送腔室,并且狭缝阀118配置成允许往返于容积104对掩模122的传送。掩模传感器114可耦接至腔室体102,并且延伸到容积104中。掩模传感器114可以是光学传感器或接触传感器等,并且可配置成检测在容积104中掩模122的存在。盒传感器116也可以耦接至腔室体102,并且延伸到容积104中。盒传感器116可以是光学传感器或接触传感器等,并且可配置成检测在容积104中盒120的存在。另外,温度传感器108可耦接至腔室体102,并且延伸到容积104中。在一个实施例中,温度传感器108可以是配置成接触掩模122的热电偶。腔室100可配置成在容积104中创建适于调节掩模122、并且更具体而言适于加热和冷却掩模122的环境。泵送装置112可耦接至腔室体102,并且可配置成在容积中生成真空。在一个实施例中,泵送装置112是低温泵。泵送装置112可以在容积中生成真空环境,所述真空环境可与腔室100被耦接到的传送腔室的环境类似。由此,当打开狭缝阀118以接收或排出掩模122中的一个时,可不破坏真空,这可改善掩模传送的效率。图2示出图1的掩模腔室100的平面图,其中盖组件106已移除。如图所示,容纳掩模122的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种掩模腔室装置,所述掩模腔室装置包括:腔室体,所述腔室体限定容积,所述容积尺寸设计为适于在所述容积中接收一个或多个掩模;盖构件,所述盖构件在所述容积外可滑动地耦接至所述腔室体;加热构件,所述加热构件在所述容积内耦接至所述腔室体;温度测量构件,所述温度测量构件耦接至腔室体;以及平台,所述平台设置在所述容积内,并且与所述盖构件相对,其中,所述平台可移动地耦接至所述腔室体。
【技术特征摘要】
2014.11.20 US 62/082,4781.一种掩模腔室装置,所述掩模腔室装置包括:腔室体,所述腔室体限定容积,所述容积尺寸设计为适于在所述容积中接收一个或多个掩模;盖构件,所述盖构件在所述容积外可滑动地耦接至所述腔室体;加热构件,所述加热构件在所述容积内耦接至所述腔室体;温度测量构件,所述温度测量构件耦接至腔室体;以及平台,所述平台设置在所述容积内,并且与所述盖构件相对,其中,所述平台可移动地耦接至所述腔室体。2.根据权利要求1所述的掩模腔室装置,其特征在于,所述平台耦接至第一直线型致动器,所述第一直线型致动器配置成使所述平台平移穿过所述容积。3.根据权利要求2所述的掩模腔室装置,其特征在于,所述直线型致动器是滚珠螺杆装置。4.根据权利要求2所述的掩模腔室装置,其特征在于,所述直线型致动器配置成使所述平台在第一方向上平移。5.根据权利要求4所述的掩模腔室装置,其特征在于,轨道构件配置成使所述盖构件在与所述第一方向垂直的第二方向上滑动平移。6.根据权利要求5所述的掩模腔室装置,其特征在于,轨道构件配置成使所述盖构件相对于所述腔室体滑动平移。7.根据权利要求5所述的掩模腔室装置,其特征在于,所述轨道构件耦接至所述腔室体。8.根据权利要求1所述的掩模腔室装置,其特征在于,一个或多个第二致动器配置成使所述盖构件从所述腔室体解耦接。9.根据权利要求1所述的掩模腔室装置,其特征在于,所述加热构件是反射式加热器。10.根据权利要求1所述的掩模腔室装置,其特征在于,所述温度测量装置是热电偶。11.根据权利要求1所述的掩模腔室装置,其特征在于,进一步包括:泵送装置,所述泵送装置配置成在所述容积中生成真空。12.根据权利要求11所述的掩模腔室装置,其特征在于,所述泵送装置是低温泵。13.一种掩模腔室装置,所述掩模...
【专利技术属性】
技术研发人员:栗田真一,稻川真,S·博斯基,
申请(专利权)人:应用材料公司,
类型:新型
国别省市:美国;US
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