芯片切割方法技术

本申请公开了一种芯片切割方法，其包括以下步骤：在待切割晶圆上选定欲切割区；去除欲切割区表面上的钝化层以形成划片槽；以及沿划片槽切割待切割晶圆。该芯片切割方法中，在对待切割晶圆进行切割的步骤之前，先去除了欲切割区上的钝化层。钝化层往往具有较高的应力，且厚度较厚。在切割之前去除这层高应力层，能够降低后期的切割难度，使形成的划片槽更容易被切开。同时，去除这层高应力层，能够改善欲切割区中各层的应力不均匀性问题，使得后期切割的过程中，欲切割区的受力更加均衡，从而能够促使划片槽中产生的微裂纹更加均匀，有利于提高切割痕迹的平整性。以上各方面的因素均能够改善芯片的切割效果，提高芯片的良品率。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及芯片制造领域，具体而言，涉及一种芯片切割方法。
技术介绍
随着行业的竞争日益激烈，芯片设计和制造公司需要不断地减少制造成本、提高市场竞争力。缩小晶圆上的划片槽能够有效提高单片晶圆内的芯片数量，以200mm晶圆为例，当划片槽由～60um缩小到～25um时，单片晶圆的芯片数量能够增加～10％以上，极大地减少了芯片的制造成本。因此窄划片槽结构将成为芯片制造的发展趋势，具有广阔的应用前景。当划片槽降至50um以下时，传统的金刚刀切割技术由于机械刀片尺寸的限制已经不再适用，这时需要用到激光隐形切割技术。然而目前的激光隐形切割技术广泛存在扩片困难的问题：在激光隐形切割芯片时，芯片中容易出现微裂纹均匀性差的问题，这最终会导致这些连在一起的芯片在晶圆扩片时不能完全分开，即使分开也容易造成芯片崩缺，使芯片的良品率下降，从而对芯片厂商造成重大损失。申请内容本申请旨在提供一种芯片的切割方法，以解决现有技术中晶圆切割时切割效果差的问题。为了实现上述目的，根据本申请的一个方面，提供了一种芯片切割方法，其包括以下步骤：在待切割晶圆上选定欲切割区；去除欲切割区表面上的钝化层以形成划片槽；以及沿划片槽切割待切割晶圆。进一步地，当钝化层为多层结构时，在去除欲切割区的钝化层步骤中，可去除一层或多层钝化层。进一步地，在待切割晶圆上选定欲切割区的步骤包括：在待切割晶圆的芯片功能区和焊盘上形成钝化层；在不同的芯片功能区之间选定欲切割区；去除欲切割区表面上的钝化层以形成划片槽的步骤包括：同时去除焊盘和欲切割区上的钝化层。进一步地，同时去除焊盘和欲切割区上的钝化层的步骤包括：在钝化层上形成掩膜层；图形化掩膜层，同时露出焊盘和欲切割区上的钝化层；沿露出的钝化层向下刻蚀，同时去除焊盘和欲切割区上的钝化层。进一步地，沿露出的钝化层向下刻蚀的步骤中，采用干法刻蚀或湿法刻蚀的方法。进一步地，沿划片槽切割待切割晶圆的步骤中，在待切割晶圆的背面进行激光隐形切
割。进一步地，沿划片槽切割待切割晶圆的步骤之后，还包括对切割后的晶圆进行扩片的步骤。进一步地，钝化层为多层结构，钝化层中，由上至下第一层的材料为氮氧化硅、氮化硅或二氧化硅。进一步地，钝化层中，由上至下第二层的材料为二氧化硅或一氧化硅。应用本申请的芯片的切割方法，在对待切割晶圆进行切割的步骤之前，先去除了欲切割区上的钝化层。钝化层往往具有较高的应力，且厚度较厚(一般约)。在切割之前去除这层高应力层，能够降低后期的切割难度，使形成的划片槽更容易被切开。同时，去除这层高应力层，能够改善欲切割区中各层的应力不均匀性，使得后期切割的过程中，欲切割区的受力更加均衡，从而能够促使划片槽中产生的微裂纹更加均匀。这就有利于提高切割痕迹的平整性。此外，去除这层高应力层，还能够防止其在后期切割过程中发生崩裂破坏芯片结构。以上各方面的因素均能够改善芯片的切割效果，提高芯片的良品率。附图说明构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本申请的进一步理解，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：图1示出了本申请一种实施方式中芯片切割方法的工艺流程示意图；图2至图7示出了本申请一种实施方式中芯片切割方法各步骤所形成的基体的剖面示意图；图2示出了在晶圆上形成多个芯片功能区，形成待切割晶圆后的基体的剖面示意图；图3示出了在待切割晶圆上选定欲切割区，去除欲切割区表面上的钝化层中的一层，进而形成划片槽后的基体的剖面示意图；图4示出了在待切割晶圆上选定欲切割区，去除欲切割区表面上的钝化层中的两层，进而形成划片槽后的基体的剖面示意图；图5示出了在待切割晶圆的芯片功能区和焊盘上形成钝化层后的基体的剖面示意图；图6示出了在不同的芯片功能区之间选定欲切割区，并同时去除焊盘和欲切割区上的钝化层后的基体的剖面示意图；图7示出了沿划片槽切割待切割晶圆，得到多个芯片后形成的基体的剖面示意图。具体实施方式需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。需要注意的是，这里所使用的术语仅是为了描述具体实施方式，而非意图限制根据本申请的示例性实施方式。如在这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式也意图包括复数形式，此外，还应当理解的是，当在本说明书中使用属于“包含”和/或“包括”时，其指明存在特征、步骤、操作、器件、组件和/或它们的组合。为了便于描述，在这里可以使用空间相对术语，如“在……之上”、“在……上方”、“在……上表面”、“上面的”等，用来描述如在图中所示的一个器件或特征与其他器件或特征的空间位置关系。应当理解的是，空间相对术语旨在包含除了器件在图中所描述的方位之外的在使用或操作中的不同方位。例如，如果附图中的器件被倒置，则描述为“在其他器件或构造上方”或“在其他器件或构造之上”的器件之后将被定位为“在其他器件或构造下方”或“在其他器件或构造之下”。因而，示例性术语“在……上方”可以包括“在……上方”和“在……下方”两种方位。该器件也可以其他不同方式定位(旋转90度或处于其他方位)，并且对这里所使用的空间相对描述作出相应解释。正如
技术介绍
部分所介绍的，现有的芯片切割方法存在切割效果差的问题。为了解决这一问题，本申请申请人提供了一种芯片的切割方法，如图1所示，其包括以下步骤：在待切割晶圆上选定欲切割区；去除欲切割区表面上的钝化层以形成划片槽；以及沿划片槽切割所述待切割晶圆。如
技术介绍
部分所介绍的，在芯片制作过程中，往往是在同一个晶圆上形成多个芯片功能区，再将这些芯片功能区连同晶圆一起通过切割的方式分离开，从而形成多个芯片。在芯片功能区的制作过程中，会在晶圆上形成互连结构层(包括金属互连层、介质层等)。为将互连结构层进行隔离保护，提高最终芯片的电性能和使用性能，需要在互连结构层制作完毕后，在整个晶圆的上表面除了焊盘以外的区域形成钝化层。本申请所提供的上述切割方法，在对待切割晶圆进行切割的步骤之前，先去除了欲切割区上的钝化层。钝化层往往具有较高的应力，且厚度较厚(一般约)。在切割之前去除这层高应力层，能够降低后期的切割难度，使形成的划片槽更容易被切开。同时，去除这层高应力层，能够改善欲切割区中各层的应力不均匀性，使得后期切割的过程中，欲切割区的受力更加均衡，从而能够促使划片槽中产生的微裂纹更加均匀。这就有利于提高切割痕迹的平整性。此外，去除这层高应力层，还能够防止其在后期切割过程中发生崩裂破坏芯片结构。以上各方面的因素均能够改善芯片的切割效果，提高芯片的良品率。下面将更详细地描述根据本申请的示例性实施方式。然而，这些示例性实施方式可以由多种不同的形式来实施，并且不应当被解释为只限于这里所阐述的实施方式。应当理解的是，提供这些实施方式是为了使得本申请的公开彻底且完整，并且将这些示例性实施方式的构思充分传达给本领域普通技术人员。以下将更为详细地说明本申请所提供的上述芯片的切割方法：首先，在晶圆100上形成多个芯片功能区200，形成待切割晶圆，进而形成如图2所示的基体结构。在晶圆上形成多个芯片功能区的方法可以采用本领域技术人员所惯用的方法。具体地，制作多个芯片功能区200的过程包括多个步骤，比如：在每一个芯片本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种芯片切割方法，其特征在于，包括以下步骤：在待切割晶圆上选定欲切割区；去除所述欲切割区表面上的钝化层以形成划片槽；以及沿所述划片槽切割所述待切割晶圆。

【技术特征摘要】
1.一种芯片切割方法，其特征在于，包括以下步骤：在待切割晶圆上选定欲切割区；去除所述欲切割区表面上的钝化层以形成划片槽；以及沿所述划片槽切割所述待切割晶圆。2.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，当所述钝化层为多层结构时，在去除所述欲切割区的钝化层步骤中，可去除一层或多层所述钝化层。3.根据权利要求1所述的切割方法，其特征在于，在所述待切割晶圆上选定欲切割区的步骤包括：在所述待切割晶圆的芯片功能区和焊盘上形成钝化层；在不同的所述芯片功能区之间选定所述欲切割区；去除所述欲切割区表面上的钝化层以形成划片槽的步骤包括：同时去除所述焊盘和所述欲切割区上的钝化层。4.根据权利要求3所述的切割方法，其特征在于，同时去除所述焊盘和所述欲切割区上的钝化层的步骤包括：在所述钝化层上形成掩膜层；图形化所述掩膜层，同...

【专利技术属性】
技术研发人员：呼翔，彭坤，陈文甫，赵连国，王海莲，王峰，李磊，吴亮，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：上海;31